電源設計の技術情報サイト
電源設計の技術情報サイト
| 電圧制御 入力：エミッタ-ベース間電圧VEB |
電流制御 入力：ベース電流IB |
|
|---|---|---|
| 測定回路図 |  |
 |
| 理論式 |  |
 |
| 入力-出力特性 |  |
 |
 |
|
 |
 |
| 微小な電流なら入力電流は全てグランドに落ちますが、入力電流が大きくなると、入力電流の一部がトランジスタのベースに入りはじめ、トランジスタがオンします。 | |
 入力電流が小さいときは、すべての入力電流がグランドに落ち、トランジスタはONしない。(リーク電流などで誤動作しない) |
 入力電流が大きくなると、一部の入力電流がベースに入り、トランジスタがONしはじめる。(通常のオン状態になる) |
 |
|
| VR2=VBE<(EB間の順方向電圧≒0.7V)の場合 | VR2=VBE>(EB間の順方向電圧≒0.7V)の場合 |
| デジトラの動作時には内蔵トランジスタのエミッタ-ベース間(EB間）の順方向にベース電流が流れているため、EB間には順方向電圧（25℃で約0.7V)がかかっています。デジトラでは内蔵トランジスタのEB間と抵抗R2が並列に接続されているため、R2にも同じ0.7Vが印加されています。したがってR2には IR2=0.7V/10KΩ=70μAの電流が流れていることが分かります。 |
 |
| 入力電圧Vinが5Vの場合、IN端子の電位が5Vで、内蔵トランジスタのEB間電位差が0.7Vなので、抵抗R1の両端には 5V-0.7V = 4.3V の電圧がかかっていることが分かります。したがって、R1には IR1=4.3V/10KΩ = 430uAの電流が流れていることが分かります。 |
 |
| したがって、内蔵トランジスタのベースには430μA-70μA=360μAの電流が流れていることが分かります。 |  |
| このような計算で内蔵トランジスタに流れるベース電流が計算することができます。デジトラを十分ONさせる（ =出力電圧Vo(on)を小さくする) には出力電流 Io が内蔵トランジスタに入るベース電流の10～20倍程度以下になるように出力電流：Ioや入力電圧Vinを調整して下さい。入力電圧Vinが足りなくて、十分な出力電流を流せない場合は、入力抵抗R1の小さいタイプのデジトラをご使用ください。 |  |
| 製品毎のSOA（Safe Operating Area)がありますので、エリア内であれば使用可能と判断いたします。 例：VDS=20V、Idpeak=2A、Pw=100μs時 ⇒ Pw=100μsのエリア内なので使用可能です。 |
 |
| 許容損失（Pc)は周囲温度（Ta)に合わせて、軽減（ディレーティング）する必要があります。以下のグラフからトランジスタにかかる電力を周囲温度に合わせて軽減して下さい。 安全動作域（SOA)のディレーティングも必要ですので詳しくは「ロームのトランジスタを安心してお使いいただくために-TR使用可否判断方法」をご参照ください。 また、電気的特性では 例えばバイポーラトランジスタ/デジタルトランジスタの場合, 入力電圧(VBE, VI(on), VI(off),)や hFE, GIは温度により特性が変動します。電気的特性曲線グラフから温度が変化した時も動作に問題がないように設計して下さい。MOSFETも同様に配慮下さい。 |
 |
| ツェナーダイオード各製品のホームページ上に下記のような図が掲載しております。例としてお使いの製品がUDZSシリーズであれば周囲温度25℃で200mWです。また87.5℃では100mWということになります。 ただし、実装基板によって許容損失は変わりますのでご注意下さい。 |
 |
| シリコン素子のPN接合（またはショットキー接合）で発生した熱が発散するまでの熱抵抗値でRth(j-a)は接合部から周囲まで、Rth(j-c)は接合部からケースまで、Rth(j-l)は接合部からリード端子までの熱抵抗値を表しています。ホームページ上に各製品毎に下図のようにグラフを掲載していますのでご使用時の接合部温度：Tjを求めることができます。 ただし、この熱抵抗値は基板、ランドパターンなどの大きさ、材質などによって変わりますのでご注意下さい。 |
 |
