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SiCパワーデバイスの基礎 －まとめ－
SiCパワーデバイスの基礎 －まとめ－
応用編
SiC MOSFET：ブリッジ構成におけるゲート－ソース間電圧の挙動
SiC MOSFET : ブリッジ構成におけるゲート－ソース間電圧の挙動
SiC MOSFETのブリッジ構成
SiC MOSFETのゲート駆動回路とターンオン・ターンオフ動作
ブリッジ回路のスイッチングにより発生する電流と電圧
ローサイドスイッチターンオン時のゲート－ソース間電圧の挙動
ローサイドスイッチターンオフ時のゲート－ソース間電圧の挙動
SiC MOSFET : ブリッジ構成におけるゲート－ソース間電圧の挙動 ーまとめー
SiC MOSFET：ゲート－ソース電圧のサージ抑制方法
ゲート－ソース電圧に発生するサージとは
サージ抑制回路
正電圧サージ対策
負電圧サージ対策
サージ抑制回路の基板レイアウトに関する注意点
SiC MOSFET : ゲート－ソース電圧のサージ抑制方法 ーまとめー
ドライバソース端子によるスイッチング損失の改善
はじめに －従来MOSFETの駆動方法
ドライバソース端子を備えたパッケージ
ドライバソース端子の有無による違いと効果
ドライバソース端子の効果
ダブルパルス試験による比較
ブリッジ構成時のゲートーソース間電圧の振る舞い
ターンオン時
ターンオフ時
基板配線レイアウトに関する注意事項
ドライバソース端子によるスイッチング損失の改善 ーまとめー
SiC MOSFETゲート－ソース間電圧測定時の注意点
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