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SiCショットキーバリアダイオード内蔵のIGBT : RGWxx65Cシリーズ

SiC SBDを内蔵したHybrid IGBT
FRD+IGBTの車載充電器の例では
スイッチング損失を67%低減

注目ワード
  • SiCショットキーバリアダイオード(SiC SBD)
  • Hybrid型のIGBT
  • 大幅な損失低減
  • RGWxx65Cシリーズ
  • 650V耐圧
  • Siファストリカバリダイオード(Si FRD)を採用しているIGBTよりターンオン損失を大幅に削減
  • 幅広い動作周波数で97%以上の高効率
  • AEC-Q101に準拠

RGWxx65Cシリーズは、IGBTの還流ダイオードに低損失SiCショットキーバリアダイオード(SiC SBD)を搭載したHybrid型のIGBTで、ファストリカバリダイオード(FRD)搭載のIGBTに対して大幅な損失低減が可能です。電動化車両(xEV)に搭載される車載充電器(オンボードチャージャー)、DC/DCコンバータ、太陽光発電のパワーコンディショナー、産業用インバータなど、大電力を扱う車載電装機器・産業機器に向けて開発されました。650V耐圧で、現在RGW60TS65CHR(30A)、RGW80TS65CHR(40A)、RGW00TS65CHR(50A)のラインアップがリリースされています。

<SiCダイオード内蔵IGBT:RGWxx65Cシリーズのポイント>

  • 還流ダイオードにSiC SBDを搭載したHybrid IGBT
  • 650V耐圧で、IC(100℃) 30A/40A/50Aの3タイプ
  • SiC SBDによりターンオン時のスイッチング損失を大幅に削減
  • xEV用車載充電器に使用した場合の損失低減例
    • ① Siファストリカバリダイオード(Si FRD)搭載のIGBTに比べスイッチング損失を67%低減
    • ② IGBTより低損失とされるSuper Junction MOSFET(SJ-MOSFET)比でもスイッチング損失を24%低減
  • 車載信頼性規格AEC-Q101に準拠
  • アプリケーションの低消費電力化に対しコストパフォーマンスが高い
  • アプリケーションノートやSPICEモデルなど、豊富な設計データをWebサイトから無償提供
  • TO-247Nパッケージ(表面実装TO-263Lは開発中)

RGWxx65CシリーズのTO-247Nパッケージ品。/ RGWxx65CシリーズのTO-247Nパッケージ品のピン配置とピン機能。

SiC SBD搭載によりターンオン損失の低減を図り、アプリケーションの消費電力を大幅に低減可能

「RGWxx65Cシリーズ」は、IGBTの還流ダイオードに、ロームの低損失SiC SBDを採用したIGBTです。Siファストリカバリダイオード(Si FRD)を採用しているIGBTよりターンオン損失を大幅に削減しています。車載充電アプリケーションに使用した例では、スイッチング損失を67%低減でき、全体では56%の損失低減を実現しました。また、一般的にIGBTより損失の少ないと言われているSJ-MOSFETとの比較例では、スイッチング損失を24%低減できました。

RGWxx65Cシリーズによる、車載充電器での損失低減例。IGBT、SJ MOSFETとの比較。

また、幅広い動作周波数で97%以上の高効率を実現可能で、動作周波数100kHz時にはIGBT比で3%の効率向上を実現するなど、車載や産業機器アプリケーションの低消費電力化が可能です。

RGWxx65CシリーズのSiC SBD搭載によるターンオン損失低減効果。/ RGWxx65Cシリーズの動作周波数と効率。

また、RGWxx65Cシリーズは、既存のIGBTとの置き換えにおいて基本的に基板や部品定数の変更などが必要ないので、簡単かつコストパフォーマンスの高い効率改善が可能です。

AEC-Q101に準拠、車載グレードの高信頼性IGBT

RGWxx65Cシリーズは、車載信頼性規格AEC-Q101に準拠しており、車載アプリケーションはもちろん、各種産業機器においても安心して使用することができます。

アプリケーション例

  • ・車載充電器(オンボードチャージャー)
  • ・車載DC/DCコンバータ
  • ・太陽光発電インバータ(パワーコンディショナー)
  • ・無停電電源装置(UPS)
  • ・各種産業用インバータ

Hybrid IGBT:RGWxx65Cシリーズのラインアップ

現在TO-247Nパッケージの3機種がリリースされています。表面実装タイプTO-263Lは開発中です。

品名 耐圧
VCES(V)
コレクタ電流
IC@100℃
(A)
導通損失
VCE(sat)
Typ(V)
還流
ダイオード
AEC-Q101
準拠
パッケージ
SiCショットキーバリアダイオード内蔵のIGBT : RGWxx65Cシリーズ:SiC SBDを内蔵したHybrid IGBT FRD+IGBTの車載充電器の例ではスイッチング損失を67%低減
RGW60TS65CHR
650 30 1.5 SiC SBD YES TO-247N

SiCショットキーバリアダイオード内蔵のIGBT : RGWxx65Cシリーズ:SiC SBDを内蔵したHybrid IGBT FRD+IGBTの車載充電器の例ではスイッチング損失を67%低減

SiCショットキーバリアダイオード内蔵のIGBT : RGWxx65Cシリーズ:SiC SBDを内蔵したHybrid IGBT FRD+IGBTの車載充電器の例ではスイッチング損失を67%低減
RGW80TS65CHR
40
SiCショットキーバリアダイオード内蔵のIGBT : RGWxx65Cシリーズ:SiC SBDを内蔵したHybrid IGBT FRD+IGBTの車載充電器の例ではスイッチング損失を67%低減
RGW00TS65CHR
50

RGW40NL65CHRB
20 TO-263L
(LPDL)

SiCショットキーバリアダイオード内蔵のIGBT : RGWxx65Cシリーズ:SiC SBDを内蔵したHybrid IGBT FRD+IGBTの車載充電器の例ではスイッチング損失を67%低減


RGW50NL65CHRB
25

RGW60NL65CHRB
30

☆:開発中
※ パッケージはJEDEC表記。()内はROHMパッケージを示す。

関連情報

  • ■ RGWxx65Cシリーズには、評価・導入に必要となるドライバ回路の設計手法を記載したアプリケーションノートや、シミュレーション用のモデル(SPICEモデル)などの設計用データを用意しています。下記URLにてダウンロードが可能です。
    https://www.rohm.co.jp/products/igbt/field-stop-trench-igbt?SearchWord=rgw
    &PS_BuiltInDiode=SiC-SBD
  • ■ SiC SBDを採用したHybrid IGBT以外にも、Si FRDを採用したIGBT、還流ダイオードなしのIGBT製品もラインアップしています。詳細は下記URLを参照願います。
    https://www.rohm.co.jp/products/igbt/field-stop-trench-igbt?SearchWord=rgw
  • ■ インターネット販売
    現在、RGW60TS65CHR(30A)、RGW00TS65CHR(50A)をネット商社で販売しています。上記ラインアップ表の品名のリンク先にある「在庫確認」ボタンをクリックすると、販売しているネット商社と在庫確認、ネット商社へのリンクがありますのでご利用ください。

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