SiCパワーデバイス|応用編

SiC MOSFET:ゲート-ソース電圧のサージ抑制方法

2022.04.15

本章では、SiC MOSFETを使用する際に検討および対策が必要となる、ゲート-ソース電圧のサージに関する抑制方法について説明します。

【資料ダウンロード】シリコンカーバイドパワーデバイスの理解と活用事例

パワー製品の小型化、低消費電力化、高効率化に大きな可能性をもったシリコンカーバイド(SiC)の物性の基本、ダイオード、トランジスタとしての使い方と活用事例が示されています。

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シリコンカーバイドパワーデバイスの理解と活用事例

パワー製品の小型化、低消費電力化、高効率化に大きな可能性をもったシリコンカーバイド(SiC)の物性の基本、ダイオード、トランジスタとしての使い方と活用事例が示されています。