SiCパワーデバイス|応用編

ドライバソース端子によるスイッチング損失の改善

2022.04.15

MOSFETやIGBTなどのパワースイッチングデバイスは、様々な電源変換アプリケーションのスイッチング素子として使用されています。そのスイッチング素子で発生するスイッチング損失や導通損失は、可能な限り小さくする必要がありますが、アプリケーションによって損失低減のアプローチは様々です。

近年、その1つの手法としてドライバソース端子(いわゆるケルビンソース端子)を備えた新しいパッケージの採用があります。本章「ドライバソース端子によるスイッチング損失の改善」では、パワースイッチングデバイスのパッケージがドライバソース端子を持つことの効果と、使用上の注意事項について説明します。

【資料ダウンロード】シリコンカーバイドパワーデバイスの理解と活用事例

パワー製品の小型化、低消費電力化、高効率化に大きな可能性をもったシリコンカーバイド(SiC)の物性の基本、ダイオード、トランジスタとしての使い方と活用事例が示されています。

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シリコンカーバイドパワーデバイスの理解と活用事例

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