SiCパワーデバイス|応用編

SiC MOSFETゲート-ソース間電圧測定 -まとめ-

2022.06.28

SiC MOSFETゲート-ソース間電圧測定:まとめ

ここまで、SiC MOSFETを使ったブリッジ回路を例に、ゲート-ソース間電圧の測定に関する注意点を説明してきました。正確な測定をするための注意点を以下にまとめました。

  • プローブの取り付け方は、プローブのヘッド部が形成するループをできるだけ小さくする。
  • SiC MOSFETの測定箇所を選定する時は、SiC MOSFETの測定端子と形成されるループができるだけ小さくなる場所とする。
  • プローブヘッドの設置場所は、主回路の磁束変化の影響が極力小さい場所とする。

今回の検証では、「延長ケーブル+ダンピング抵抗」を使用し、デバイスの端子直下で測定することにより、もっとも本来の波形に近い観測ができました。しかしながら、回路構成や配線によって最善の方策は変わりますので、個々の状況に応じて、今回の傾向を踏まえた対応が必要となります。

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パワー製品の小型化、低消費電力化、高効率化に大きな可能性をもったシリコンカーバイド(SiC)の物性の基本、ダイオード、トランジスタとしての使い方と活用事例が示されています。

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