SiCパワーデバイス|応用編

第4世代SiC MOSFETの特長

2022.07.26

この記事のポイント

・第4世代SiC MOSFETは以下の特長を持つ。
> 短絡耐量時間を改善し低オン抵抗を実現
> 寄生容量を大幅に削減しスイッチング損失を低減
> ゲート-ソース間電圧15V駆動により設計しやすさを向上

今回は第4世代SiC MOSFET使用の効果を説明する前提として、最初の項目である特長について説明します。

第4世代SiC MOSFETの特長

ロームのSiC MOSFETはすでに第4世代となり、第3世代で確立したトレンチゲート構造を進化させ、さらなる低オン抵抗と高速スイッチング特性を実現しています。第4世代SiC MOSFET使用の効果を説明する前提として、その特長を最初に確認しておきます。

短絡耐量時間を改善し低オン抵抗を実現

第4世代SiC MOSFETは、ローム独自のダブルトレンチ構造をさらに進化させることにより、EVのトラクションインバータなどで要求される短絡耐量時間を改善し、第3世代品に比べてオン抵抗が約40%低減されています。第4世代のオン抵抗は、業界トップクラス*の低さです。 * 2022年2月ローム調べ

第4世代SiC MOSFETの特長:短絡耐量時間を改善し低オン抵抗を実現

寄生容量を大幅に削減しスイッチング損失を低減

ゲート-ドレイン間容量(CGD)を大幅に削減したことで、第3世代品に比べてスイッチング損失を約50%低減することが可能です。

第4世代SiC MOSFETの特長:寄生容量を大幅に削減しスイッチング損失を低減

ゲート-ソース間電圧15V駆動により設計しやすさを向上

第4世代SiC MOSFETは、MOSFET駆動のためのゲート-ソース間電圧VGSが15Vに低減されています。第3世代までは18Vでしたが15V駆動にも対応したことで、アプリケーションの設計がしやすくなっています。

関連情報

SiC MOSFETのラインやサポート情報については、下記を参照願います。

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