降圧型DC-DCコンバータにおける第４世代SiC MOSFETの使用効果

2022.07.26

・降圧型DC-DCコンバータにおける第４世代SiC MOSFETの使用効果の説明として、動作原理と損失解析を解説し、実機検証により効果を示す。

ここから、基本となる降圧型DC-DCコンバータにおいて、第４世代SiC MOSFETの使用効果について説明して行きます。

「回路動作原理と損失解析」では、スイッチング損失、導通損失、ボディダイオード損失、リカバリー損失などの発生メカニズムを解説します。続いて「DC-DCコンバータの実機検証」では、評価ボードを使用した実機検証により、第４世代SiC MOSFETを使用した場合の効率改善効果を示します。

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