SiCパワーデバイス|製品紹介

SiC MOSFET

2022.01.01

スイッチングロスの低減や高温度環境下での動作特性に優れる次世代の低損失素子。SiC MOSFETは、スイッチング動作時のテイル電流が原理的にないため、高速で動作しスイッチング損失の低減が可能。小さなチップサイズで低オン抵抗を達成できので、低容量、低ゲートチャージを実現。

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【資料ダウンロード】シリコンカーバイドパワーデバイスの理解と活用事例

パワー製品の小型化、低消費電力化、高効率化に大きな可能性をもったシリコンカーバイド(SiC)の物性の基本、ダイオード、トランジスタとしての使い方と活用事例が示されています。

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シリコンカーバイドパワーデバイスの理解と活用事例

パワー製品の小型化、低消費電力化、高効率化に大きな可能性をもったシリコンカーバイド(SiC)の物性の基本、ダイオード、トランジスタとしての使い方と活用事例が示されています。

SiCパワーデバイス

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