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2022.01.01
SiC MOSFETは、スイッチング動作時のテイル電流が原理的にないため、高速で動作しスイッチング損失の低減が可能。小さなチップサイズで低オン抵抗を達成できので、低容量、低ゲートチャージを実現。
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パワー製品の小型化、低消費電力化、高効率化に大きな可能性をもったシリコンカーバイド(SiC)の物性の基本、ダイオード、トランジスタとしての使い方と活用事例が示されています。
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