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キーワード:ショットキーバリアダイオード

2016.04.07

ダイオードの種類と特性-静特性・動特性・電流・電圧・逆回復時間

最初に、ここでシリコンパワーデバイスとして取り上げるダイオードの種類と、シリコン半導体の基本ともいえるダイオードについて基礎の基礎的な話をしておきます。 Siダイオードの分類 Siダイオードの分類を考...

キーワード:
FRD
MOSFET
SBD
ショットキーバリアダイオード
ダイオード
パワーデバイス
パワー半導体
ファストリカバリダイオード
整流ダイオード
高耐圧ダイオード
高速ダイオード

2016.04.07

アプリケーションに追従し進化を続けるシリコンダイオード:効率重視と耐圧/リーク重視

ロームでは、様々なシリコンベースのダイオードを生産しています。その中でもパワー系アプリケーションに適した特性と仕様のダイオードを紹介します。パワー系アプリケーションにおけるダイオードの用途の多くは整流...

キーワード:
SBD
ショットキーバリアダイオード
超低IR
超低VF

2016.04.07

パワー系アプリケーションの損失低減と小型の鍵:パワー系ダイオードで損失が最も小さいSiC-SBD

ロームは、高耐圧と大電流を扱う回路に最適なSiC(シリコンカーバイド)材料を用いたSBD(ショットキーバリアダイオード)の開発を推進しています。2010年に国内初となるSiCによるSBDの量産を開始し...

キーワード:
FRD
PFC
SiC
SiC-SBD
trr
ショットキーバリアダイオード
シリコンカーバイド
スイッチング損失
ファストリカバリダイオード
力率改善
温度特性
逆回復時間
順方向電圧

2016.04.07

パワー系アプリケーションの損失低減と小型の鍵:SiC-SBDのラインアップは650V / 1200V、5A~40Aで車載対応

ロームは、高耐圧と大電流を扱う回路に最適なSiC(シリコンカーバイド)材料を用いたSBD(ショットキーバリアダイオード)の開発を推進しています。2010年に国内初となるSiCによるSBDの量産を開始し...

キーワード:
FRD
PFC
SiC
SiC-SBD
trr
ショットキーバリアダイオード
シリコンカーバイド
スイッチング損失
ファストリカバリダイオード
力率改善
温度特性
逆回復時間
順方向電圧

2016.04.20

BD9G341AEFJ:業界トップクラスの 80V高耐圧と高効率を実現した DC/DCコンバータ:高耐圧で低オン抵抗のMOSFETを内蔵した降圧1ch DC/DCコンバータ

ロームは、80Vという高耐圧のMOSFETを内蔵したDC/DCコンバータ用ICの「BD9G341AEFJ」を発表しました。80Vという耐圧は、パワートランジスタ内蔵の非絶縁型DC/DCコンバータICと...

キーワード:
80V
MOSFET内蔵
オン抵抗
ショットキーバリアダイオード
保護機能

2016.04.26

整流ダイオードの比較-整流・スイッチング・SBD・FRDの特性・用途・選び方

この章で取り上げるダイオードは高耐圧で高電流を扱えるタイプのものですが、特性、特徴、製造プロセスからいくつかに分類できます。また、ダイオードは基本的にアプリケーションに対して、特性や性能が最適化されて...

キーワード:
FRD
SBD
ショットキーバリアダイオード
ダイオード
パワーデバイス
パワー半導体
ファストリカバリダイオード
整流ダイオード
高耐圧ダイオード
高速ダイオード

2016.05.31

ダイオードとは-ショットキーバリアダイオードの特徴

Siダイオードの2回目として、ショットキーバリアダイオード(以下SBD)の特徴とアプリケーションに関する説明をします。 Si-SBDの特徴 Si-SBDは、PN接合ではなく、シリコンとバリアメタルと呼...

キーワード:
IR損失
SBD
ショットキーバリアダイオード
ダイオード
バリアメタル
熱暴走
逆電力損失
高耐圧ダイオード

2018.01.16

PFC(力率改善)とは-原理と回路:シングル/インタリーブ、BCM/CCM

ここからは、実際のアプリケーション回路において、ダイオードやトランジスタの特性や性能によってどのような違いや使い分けがあるのかを説明していきます。最初はPFC(力率改善)での例から始めますが、電子機器...

キーワード:
BCM
CCM
FRD
IGBT
MOSFET
PFC
SiC-MOSFET
SiC-SBD
SJ-MOSFET
アクティブPFC
インターリーブPFC
ショットキーバリアダイオード
スーパージャンクションMOSFET
パワーファクターコレクション
ファストリカバリダイオード
力率改善
臨界モード
連続モード

2018.02.27

臨界モードPF : ダイオードによる効率向上の例

実際のアプリケーション回路では、ダイオードやトランジスタは特性や性能の違いによって使い分ける必要があります。パワー系アプリケーションでの主な使い分けの目的は、効率の向上にあります。今回はPFC(力率改...

キーワード:
BCM
CCM
FRD
IGBT
MOSFET
PFC
PFCシミュレーション
PFC効率
SiC-MOSFET
SiC-SBD
SJ-MOSFET
アクティブPFC
インターリーブPFC
ショットキーバリアダイオード
シングルPFC
スーパージャンクションMOSFET
パワーファクターコレクション
ファストリカバリダイオード
力率改善
臨界モード
連続モード

2018.03.27

電流連続モードPFC : ダイオードによる効率向上の例

前回の臨界モードPFCの例に続いて、今回は電流連続モードPFCでの、ダイオードの特性の違いによる効率の違いを示します。 ダイオードによる電流連続モードPFC回路の効率改善の例 これは、以前にPFCの説...

キーワード:
BCM
CCM
FRD
IGBT
MOSFET
PFC
PFCシミュレーション
PFC効率
SiC-MOSFET
SiC-SBD
SJ-MOSFET
アクティブPFC
インターリーブPFC
ショットキーバリアダイオード
シングルPFC
スーパージャンクションMOSFET
パワーファクターコレクション
ファストリカバリダイオード
力率改善
臨海モード
電流連続モード

2018.05.15

主要部品選定:出力整流ダイオード

今回は二次側(出力)のスイッチング電圧をDCに整流するダイオードの定数計算です。 出力整流ダイオード:ND1 最初に回路図について説明をします。出力整流ダイオードND1は、右の回路図の濃い青色のダ...

キーワード:
AC/DCコンバータ設計
BD7682FJ
SCT2H12NY
SCT2H12NZ
SiC
SiC-MOSFET
ショットキーバリアダイオード
シリコンカーバイド
ファストリカバリダイオード
出力整流ダイオード
擬似共振コンバータ設計
絶縁AC/DCコンバータ設計
電圧マージン

2018.08.07

Siパワーデバイスの基礎 -まとめ-

今回で、Siパワーデバイス基礎編は最後になります。Si系のパワー素子として、整流ダイオード、ショットキーバリアダイオード、ファストリカバリダイオード、MOSFET、スーパージャンクションMOSFET、...

キーワード:
BCM
CCM
FRD
HybridMOS
IGBT
MOSFET
PFC
PFC効率改善
PrestoMOS
SiC-MOSFET
SiC-SBD
SJ-MOSFET
SOA
アクティブPFC
ショットキーバリアダイオード
スーパージャンクションMOSFET
ディレーティング
パワーファクターコレクション
ファストリカバリダイオード
力率改善
臨界モード
連続モード

2021.03.16

Si-ダイオード向け小型・高放熱パッケージ「PMDE」の評価 ーはじめにー

近年、様々な電子機器において実装デバイスに対する小型化要求が強まっています。しかし、一般的にパッケージの許容損失はパッケージの小型化にともない低下するため、特にショットキーバリアダイオード(以下SBD...

キーワード:
PMDE
PMDU
SBD
ショットキーバリアダイオード
ダイオードパッケージ
パッケージPD
パッケージ許容損失

2021.03.30

PMDEパッケージの外形および内部構造

PMDEとPMDUパッケージ:外形比較 以下に、PMDEとPMDUの外形比較を示します。新パッケージのPMDEは従来のPMDUと比べて、実装面積を約40%削減しているにも関わらず、裏面電極面積を約1....

キーワード:
IFSM
PMDE
PMDU
SBD
サージ電流耐量
ショットキーバリアダイオード
ダイオードパッケージ
パッケージPD
パッケージ実装強度
パッケージ許容損失
ワイヤレス構造パッケージ

2021.04.13

PMDEパッケージの放熱性能(シミュレーション)

PMDEとPMDUの放熱性能について、シミュレーションを利用して比較します。 熱シミュレーション方法 下図が示すように、50×50×0.8t(mm)のPCB(プリント基板)おいて、デバイスを実装する銅...

キーワード:
PCB銅箔面積
PMDE
PMDU
Rth(j-a)
SBD
ショットキーバリアダイオード
ダイオードパッケージ
パッケージPD
パッケージ実装強度
パッケージ許容損失
ワイヤレス構造パッケージ
放熱性能
熱抵抗

2021.04.27

PMDEパッケージの実機評価

車載用LEDドライバBD81A44EFV-Mとその評価ボードを用いて、PMDUとPMDEの発熱と効率の比較評価の結果を示します。 回路図およびPCBレイアウト BD81A44EFV-Mの評価ボードに...

キーワード:
PCB銅箔面積
PMDE
PMDU
Rth(j-a)
SBD
ショットキーバリアダイオード
ダイオードパッケージ
パッケージPD
パッケージ実装強度
パッケージ許容損失
ワイヤレス構造パッケージ
放熱性能
熱抵抗

2021.05.11

PMDEパッケージSBD製品ラインアップ

PMDEパッケージを採用したSBDの一例を示します。今回の実機評価に使用したのは、低VFが特長のRBRシリーズになりまます。他に、超低リークのRBxx8シリーズがあります。また、SBD以外にも、ファス...

キーワード:
FRD
PCB銅箔面積
PMDE
PMDU
Rth(j-a)
SBD
TVS
ZD
サージ吸収ダイオード
ショットキーバリアダイオード
ダイオードパッケージ
ツェナーダイオード
パッケージPD
パッケージ実装強度
パッケージ許容損失
ファストリカバリダイオード
ワイヤレス構造パッケージ
放熱性能
熱抵抗

2021.05.25

Si-ダイオード向け小型・高放熱パッケージ「PMDE」の評価 ーまとめー

PMDEパッケージは従来のPMDUパッケージに比べ、実装面積を約40%削減しながら、裏面電極を大きくすることで放熱性を向上させており、基板設計が適切ならばPMDUと同等以上の放熱性能を実現できます。ま...

キーワード:
FRD
PCB銅箔面積
PMDE
PMDU
Rth(j-a)
SBD
TVS
ZD
サージ吸収ダイオード
ショットキーバリアダイオード
ダイオードパッケージ
ツェナーダイオード
パッケージPD
パッケージ実装強度
パッケージ許容損失
ファストリカバリダイオード
ワイヤレス構造パッケージ
放熱性能
熱抵抗