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キーワード:スイッチング損失

2015.12.15

重要チェックポイント:温度測定と損失の測定

絶縁型フライバックコンバータの性能評価に関して、仕様以外に確認しておくべき「重要チェックポイント」として、「温度測定と損失の測定」に関する説明に入ります。 MOSFETのドレイン電圧と電流、および出...

キーワード:
Tj
θ
ジャンクション温度
スイッチング損失
接合温度
熱抵抗
許容損失

2016.04.07

パワー系アプリケーションの損失低減と小型の鍵:パワー系ダイオードで損失が最も小さいSiC-SBD

ロームは、高耐圧と大電流を扱う回路に最適なSiC(シリコンカーバイド)材料を用いたSBD(ショットキーバリアダイオード)の開発を推進しています。2010年に国内初となるSiCによるSBDの量産を開始し...

キーワード:
FRD
PFC
SiC
SiC-SBD
trr
ショットキーバリアダイオード
シリコンカーバイド
スイッチング損失
ファストリカバリダイオード
力率改善
温度特性
逆回復時間
順方向電圧

2016.04.07

パワー系アプリケーションの損失低減と小型の鍵:SiC-SBDのラインアップは650V / 1200V、5A~40Aで車載対応

ロームは、高耐圧と大電流を扱う回路に最適なSiC(シリコンカーバイド)材料を用いたSBD(ショットキーバリアダイオード)の開発を推進しています。2010年に国内初となるSiCによるSBDの量産を開始し...

キーワード:
FRD
PFC
SiC
SiC-SBD
trr
ショットキーバリアダイオード
シリコンカーバイド
スイッチング損失
ファストリカバリダイオード
力率改善
温度特性
逆回復時間
順方向電圧

2017.10.03

同期整流降圧コンバータの損失

ここからは、同期整流降圧コンバータの損失について検討していきます。最初に同期整流降圧コンバータにおける損失発生箇所を確認します。その後、各ポイントの損失について考えていきます。 同期整流降圧コンバータ...

キーワード:
DC/DCコンバータ損失
DCR
MOSFET
インダクタ
ゲートチャージ
ゲートドライブ
ゲート容量
ゲート電荷
スイッチング損失
デッドタイム
伝導損失
同期整流降圧コンバータ損失
導通損失
損失低減
損失計算
電源損失

2017.10.03

同期整流降圧コンバータの導通損失

前回は、同期整流降圧コンバータにおける損失発生箇所確認し、コンバータ全体としての損失は各部の損失の合計であることを説明しました。今回から、各ポイントの損失算出方法を検討していきます。今回は、パワースイ...

キーワード:
DC/DCコンバータ損失
MOSFET
スイッチング損失
伝導損失
同期整流降圧コンバータ損失
導通損失
損失低減
損失計算
電源損失

2017.04.25

SiC-MOSFETとは-IGBTとの違い

前回は、Si-MOSFETとの違いということで、SiC-MOSFETの駆動方法に関する2つのポイントについて説明しました。今回は、IGBTとの違いについて説明をします。 IGBTとの違い:Vd-Id特...

キーワード:
IGBT
Rg
Ron
SiC-MOSFET
SiC-SBD
Vd-Id特性
VDS
オン抵抗
ゲート抵抗
スイッチング損失
ダイオードリカバリ損失
テイル電流
リカバリ電流

2017.03.14

ノイズ対策:スナバ回路、ブートストラップ抵抗、ゲート抵抗

今回は、ノイズ対策の2回目です。今回の対策は、ノイズを低減する回路の追加や部品の追加でノイズを減らすアプローチを3つ説明します。 降圧コンバータ動作時の電流経路 ...

キーワード:
BOOTピン
DC/DCコンバータノイズ
PCBノイズ対策
ゲートドライブ
ゲート抵抗
スイッチングレギュレータノイズ
スイッチング損失
スナバ
ブートストラップ
リンギング
立ち上がり
立ち下がり

2017.10.03

同期整流降圧コンバータのスイッチング損失

前回は、同期整流降圧コンバータのパワースイッチである出力段MOSFETの導通損失を考察しました。今回は、スイッチノードに発生するスイッチング損失を考えてみます。 スイッチング損失 スイッチング損失は...

キーワード:
DC/DCコンバータ損失
スイッチング損失
伝導損失
同期整流降圧コンバータ損失
導通損失
損失低減
損失計算
立ち上がり時間
立ち下がり時間
遷移時間
電源損失

2017.11.28

フルSiCパワーモジュールのスイッチング損失

フルSiCパワーモジュールは、既存のパワーモジュールとの比較においてSiC由来の優れた性能を持っています。今回は、従来のパワーモジュールの大きな課題とも言えるスイッチング損失について説明します。 フル...

キーワード:
IGBT
IGBTモジュール
SiC-MOSFET
SiC-SBD
スイッチング損失
トレンチ構造
フルSiCパワーモジュール
第3世代SiC-MOSFET

2017.05.30

SiC-MOSFETとは-ボディダイオード特性

前回は、IGBTとの違いについて説明しました。今回は、SiC-MOSFETのボディダイオードの順方向特性と逆回復特性について説明します。 SiC-MOSFETにかかわらずMOSFETには、図のよ...

キーワード:
Err
IGBT
irr
SiC-MOSFET
SiC-SBD
trr
Vd-Id特性
VF
スイッチング損失
ダイオードリカバリ損失
ボディダイオード
リカバリ電流
内部ダイオード
寄生ダイオード
順方向特性

2017.07.25

SiC-MOSFETとは-トレンチ構造SiC-MOSFETと実際の製品

今回は、最新の第三世代SiC-MOSFETの説明と、現在、入手可能なSiC-MOSFETに関する情報を提供します。 独自のダブルトレンチ構造SiC-MOSFET SiC-MOSFETの進化は続いており...

キーワード:
Err
IGBT
irr
MOSFET入力容量
SiC-MOSFET
SiC-SBD
trr
Vd-Id特性
スイッチング損失
ダイオードリカバリ損失
ダブルトレンチ構造
トレンチ構造SiC-MOSFET
ボディダイオード
リカバリ電流
内部ダイオード
寄生ダイオード

2018.10.16

出力電流が大きいアプリケーションを検討するときの注意 その1

前回は、入力電圧が高くなる場合に損失が増加する部分と、注意点および対応策を説明しました。今回は、出力電流が大きいアプリケーションを検討する場合の2つの注意点の1つ目を説明します。 出力電流が大きいアプ...

キーワード:
DC/DCコンバータ損失
MOSFETオン抵抗
インダクタDCR
スイッチング損失
デッドタイム損失
効率カーブ
効率グラフ
効率曲線
同期整流降圧コンバータ損失
損失低減
損失要因
損失計算
電源損失

2018.11.13

出力電流が大きいアプリケーションを検討するときの注意 その2

前回は、出力電流が大きいアプリケーションを検討する場合の2つの注意点のうち1つ目を説明しました。出力電流を大きくするためには、オン抵抗が低いMOSFETを使い、スイッチングを高速にして、DCRが低いイ...

キーワード:
DC/DCコンバータ損失
DCR損失
MOSFET Qg
MOSFETオン抵抗
インダクタDCR
ゲートチャージ
ゲートチャージ損失
ゲート容量
スイッチングノイズ
スイッチング損失
スイッチング速度
デッドタイム損失
効率カーブ
効率グラフ
効率曲線
同期整流降圧コンバータ損失
損失低減
損失要因
損失計算
電源損失

2018.12.11

まとめ

10回にわたったDC/DCコンバータ評価編「損失の検討」は、今回で最後になります。同期整流式降圧コンバータについて損失場所を切り分け、各損失を計算し、それらの合算から全損失を導き出す方法を示しました。...

キーワード:
DC/DCコンバータ損失
DCR損失
MOSFETオン抵抗
インダクタDCR
ゲートチャージ損失
スイッチング損失
デッドタイム損失
効率カーブ
効率グラフ
効率曲線
同期整流降圧コンバータ損失
損失低減
損失要因
損失計算
電源損失