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キーワード:スイッチング素子

2014.05.25

スイッチング方式AC/DC電源とは-動作原理、基本回路、部品と実装例

スイッチング素子を使うAC/DC変換方式を図5に示します。 スイッチング方式は、最初に100VACをダイオードブリッジで整流します。トランス方式では、まずトランスでAC/ACの降圧を行いましたが、スイ...

キーワード:
DC/DC変換
PWM
スイッチングAC/DC変換
スイッチングトランス
スイッチング素子

2020.01.28

SiC MOSFET : ブリッジ構成におけるゲート-ソース間電圧の挙動

SiCパワーデバイス基礎知識応用編の第一弾、「SiC MOSFET:ブリッジ構成におけるゲート-ソース間電圧の挙動」をスタートします。 MOSFETやIGBTなどのパワースイッチングデバイスは、様々な...

キーワード:
IGBT
SiC-MOSFET
スイッチング素子
パワーデバイス
ブリッジ接続
同期方式boost回路
同期方式ブースト回路

2020.03.31

SiC MOSFETのブリッジ構成

「SiC MOSFET:ブリッジ構成におけるゲート-ソース間電圧の挙動」を考察していくに当たって、今回はその前提となるブリッジ構成と動作に関する説明をします。 SiC MOSFETのブリッジ構成 以下...

キーワード:
IGBT
SiC-MOSFET
スイッチング素子
パワーデバイス
ブリッジ接続
同期方式boost回路
同期方式ブースト回路

2020.04.28

SiC MOSFETのゲート駆動回路とターンオン・ターンオフ動作

前回説明したSiC MOSFETのブリッジ構成におけるゲート駆動回路と、そのターンオン・ターンオフ動作に関して説明を進めます。 SiC MOSFETブリッジ構成のゲート駆動回路 LS(ローサイド)側S...

キーワード:
IGBT
SiCMOSFET
スイッチング素子
パワーデバイス
ブリッジ回路のオンオフ
ブリッジ接続
同期方式boost回路
同期方式ブースト回路

2020.05.26

ブリッジ回路のスイッチングにより発生する電流と電圧

前回、SiC MOSFETのブリッジ構成におけるゲート駆動回路のターンオン・ターンオフ動作について説明しました。今回は、それら一連のスイッチング動作におけるMOSFETのVDSおよびIDの変化によって...

キーワード:
IGBT
MOSFET dID/dt
MOSFET dVDS/dt
SiCMOSFET
ゲート駆動回路
ゲート駆動回路dID/dt
ゲート駆動回路dVDS/dt
スイッチング素子
パワーデバイス
ブリッジ接続
同期方式boost回路
同期方式ブースト回路

2020.07.28

ローサイドスイッチターンオン時のゲート-ソース間電圧の挙動

前回は、SiC MOSFETのブリッジ構成におけるゲート駆動回路のスイッチング動作によるVDSおよびIDの変化によって発生する電流と電圧の概略を説明しました。今回は、LSターンオン時の挙動の詳細を説明...

キーワード:
IGBT
MOSFET dID/dt
MOSFET dVDS/dt
SiCMOSFET
VGS持ち上がり
ゲート駆動回路
ゲート駆動回路dID/dt
ゲート駆動回路dVDS/dt
スイッチング素子
セルフターンオン
パワーデバイス
ブリッジ接続
同期方式boost回路
同期方式ブースト回路

2020.09.29

ローサイドスイッチターンオフ時のゲート-ソース間電圧の挙動

前回は、LSスイッチターンオン時のゲート-ソース間電圧の挙動について説明しました。今回は続いてLSターンオフ時の挙動の詳細を説明します。 ローサイドスイッチターンオフ時のゲート-ソース間電圧の挙動 以...

キーワード:
IGBT
MOSFET dID/dt
MOSFET dVDS/dt
SiCMOSFET
VGS持ち上がり
ゲート駆動回路
ゲート駆動回路dID/dt
ゲート駆動回路dVDS/dt
スイッチング素子
セルフターンオン
パワーデバイス
ブリッジ接続
同期方式boost回路
同期方式ブースト回路

2020.11.10

SiC MOSFET : ブリッジ構成におけるゲート-ソース間電圧の挙動 ーまとめー

ここまで、6回にわたり「SiC MOSFET:ブリッジ構成におけるゲート-ソース間電圧の挙動」と題し、大電流で高速なスイッチング行うブリッジ構成で起き得るゲート電圧の挙動に関して解説してきました。 ブ...

キーワード:
IGBT
MOSFET dID/dt
MOSFET dVDS/dt
SiCMOSFET
VGS持ち上がり
ゲート駆動回路
ゲート駆動回路dID/dt
ゲート駆動回路dVDS/dt
スイッチング素子
セルフターンオン
パワーデバイス
ブリッジ接続
同期方式boost回路
同期方式ブースト回路

2021.01.26

ゲート-ソース電圧に発生するサージとは

MOSFETやIGBTなどのパワー半導体は、様々な電源アプリケーションや電力ラインのスイッチング素子として使用されています。その中で、近年採用が加速しているSiC MOSFETは、スイッチング時の電圧...

キーワード:
IGBT
SiC MOSFETサージサージ対策
SiC-MOSFET
VSGサージ対策
VSG挙動
ゲート-ソース間電圧サージ対策
ゲート-ソース間電圧挙動
スイッチング素子
パワーデバイス
ブリッジ接続
同期方式boost回路
同期方式ブースト回路

2021.02.09

PSFB回路の基本構成

Siパワーデバイスの評価編 第2弾として、「位相シフトフルブリッジ回路の電力変換効率向上」に関する記事の連載を開始します。 近年、サーバーやオンボードチャージャーなどの電源には、さらなる大電力化が要求...

キーワード:
IGBT
Phase Shift Full Bridge
PSFB
SJ-MOSFET
Zero Voltage Switching
ZVS
スイッチング素子
スーパージャンクションMOSFET
ゼロ電圧スイッチング
位相シフトフルブリッジ
進みレグ
遅れレグ

2021.02.22

サージ抑制回路

前回は、ゲートーソース電圧に発生するサージの概略を説明しました。ここからは、発生するサージに対する対策を説明して行きます。今回はまず、サージ抑制回路を示します。 なお、ゲート-ソース間電圧に発生するサ...

キーワード:
IGBT
SiC MOSFETサージサージ対策
SiC MOSFETサージサージ抑制回路
SiC-MOSFET
VSGサージ対策
VSG挙動
ゲート-ソース間電圧サージ対策
ゲート-ソース間電圧挙動
スイッチング素子
パワーデバイス
ブリッジ接続
同期方式boost回路
同期方式ブースト回路

2021.03.16

PSFB回路の基本動作

PSFB回路におけるZVS動作は、スイッチを構成するMOSFETの出力容量COSSが放電し、Body Diodeに順方向電流が流れている時にそのMOSFETをターンONさせることで成立します。 PSF...

キーワード:
IGBT
Phase Shift Full Bridge
PSFB
SJ-MOSFET
Zero Voltage Switching
ZVS
スイッチング素子
スーパージャンクションMOSFET
ゼロ電圧スイッチング
位相シフトフルブリッジ
進みレグ
遅れレグ

2021.03.30

軽負荷時におけるスイッチング素子の動作に関する注意点

軽負荷時は流れている電流が小さく、LSに蓄積されているエネルギーが小さくなるため、遅れレグにおいてCOSSの充電、放電が完了しないままスイッチ動作に入る可能性が高くなります。そのためZVS動作ができず...

キーワード:
CGD
CGS
Dead Time
IGBT
MOSFET寄生容量
MOSFET貫通電流
Phase Shift Full Bridge
PSFB
SJ-MOSFET
Zero Voltage Switching
ZVS
スイッチング素子
スーパージャンクションMOSFET
ゼロ電圧スイッチング
デッドタイム
位相シフトフルブリッジ
進みレグ
遅れレグ

2021.03.30

正電圧サージ対策

前回は、ゲートーソース電圧に発生するサージの抑制回路例を示しました。今回は、正電圧サージの対策とその効果の例を示します。 なお、ゲート-ソース間電圧に発生するサージについては、先に掲載したTech W...

キーワード:
IGBT
SiC MOSFETサージサージ対策
SiC-MOSFET
SiC-MOSFETサージサージ制御回路
VSGサージ対策
VSG挙動
ゲート-ソース間正電圧サージ
ゲート-ソース間電圧サージ対策
ゲート-ソース間電圧挙動
スイッチング素子
パワーデバイス
ブリッジ接続
同期方式boost回路
同期方式ブースト回路
正電圧サージ

2021.04.27

効率の評価

本章の主題である変換効率関して、実際の電源回路を用いて評価した結果を示します。具体的には、Q1~Q4のMOSFETに、オン抵抗0.2Ω前後の5種類の高速リカバリー型SJ MOSFETを用いて比較しまし...

キーワード:
CGD
CGS
Dead Time
IGBT
MOSFETリカバリー電流
MOSFET寄生容量
MOSFET貫通電流
Phase Shift Full Bridge
PrestoMOS
PSFB
SJ-MOSFET
Zero Voltage Switching
ZVS
スイッチング素子
スーパージャンクションMOSFET
ゼロ電圧スイッチング
デッドタイム
ボディダイオード
位相シフトフルブリッジ
寄生ダイオード
寄生バイポーラトランジスタ
進みレグ
遅れレグ

2021.06.15

負電圧サージ対策

前回の「正電圧サージ対策」に続いて、今回は負電圧サージの対策とその効果の例を示します。 なお、ゲート-ソース間電圧に発生するサージについては、先に掲載したTech Web基礎知識 SiCパワーデバイス...

キーワード:
IGBT
SiC MOSFETサージサージ対策
SiC-MOSFET
SiC-MOSFETサージサージ制御回路
VSGサージ対策
VSG挙動
ゲート-ソース間正電圧サージ
ゲート-ソース間電圧サージ対策
ゲート-ソース間電圧挙動
スイッチング素子
パワーデバイス
ブリッジ接続
同期方式boost回路
同期方式ブースト回路
正電圧サージ
負電圧サージ

2021.06.29

サージ抑制回路の基板レイアウトに関する注意点

ここまで、正電圧サージ対策と負電圧サージ対策について説明してきました。今回は、対策としての抑制回路の実装に関して、基板上でのレイアウトに関する注意点について説明します。 なお、ゲート-ソース間電圧に発...

キーワード:
IGBT
SiC MOSFETサージ
SiC MOSFETサージ対策
SiC-MOSFET
VSGサージ対策
VSG挙動
ゲート-ソース間正電圧サージ
ゲート-ソース間電圧サージ対策
ゲート-ソース間電圧挙動
サージ制御回路
サージ抑制回路PCB
サージ抑制回路基板レイアウト
スイッチング素子
パワーデバイス
ブリッジ接続
同期方式boost回路
同期方式ブースト回路
正電圧サージ
負電圧サージ

2021.08.17

従来MOSFETの駆動方法

MOSFETやIGBTなどのパワースイッチングデバイスは、様々な電源アプリケーションや電力ラインのスイッチング素子として使用されています。そのスイッチング素子で発生するスイッチング損失や導通損失は、可...

キーワード:
IGBT
MOSFETスイッチング損失
MOSFETソースインダクタンス
MOSFET寄生インダクタンス
MOSFET駆動
SiC-MOSFET
スイッチング素子
ソースインダクタンスによるスイッチング損失。4端子パッケージ
ドライバソース端子
パワーデバイス

2021.09.28

ドライバソース端子を備えたパッケージ

前回は、本題となるドライバソース端子の効果を解説する前提として、従来のMOSFETの駆動方法を確認しました。今回は、ドライバソース端子を備えた実際のパッケージを確認します。 ドライバソース端子を備えた...

キーワード:
IGBT
MOSFETスイッチング損失
MOSFETソースインダクタンス
MOSFET寄生インダクタンス
MOSFET駆動
SiC-MOSFET
スイッチング素子
ソースインダクタンスによるスイッチング損失。4端子パッケージ
ドライバソース端子
パワーデバイス