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キーワード:ソースインダクタンスによるスイッチング損失

2021.12.07

ドライバソース端子の効果:ダブルパルス試験による比較

前回は、ドライバソース端子の有無による違いと効果を動作原理と数式によって確認しました。ドライバソース端子を備えたMOSFETは、ソース端子のインダクタンスによる影響を排除でき、結果としてスイッチング損...

キーワード:
4端子パッケージ
IGBT
MOSFETスイッチング損失
MOSFETソースインダクタンス
MOSFET寄生インダクタンス
MOSFET駆動
SCT3040KL
SCT3040KR
SCT3040KW7
SiC-MOSFET
TO-247-4L
TO-247N
TO-263-7L
スイッチング素子
ソースインダクタンスによるスイッチング損失
ドライバソース端子
パワーデバイス

2022.01.11

ブリッジ構成時のゲートーソース間電圧の振る舞い:ターンオン時

パワースイッチングデバイスの最も一般的なアプリケーションとして、前回示したダブルパルス試験回路と同様のブリッジ構成があります。ブリッジ構成時のゲート-ソース間電圧の挙動については、Tech Web 基...

キーワード:
4端子パッケージ
IGBT
MOSFETスイッチング損失
MOSFETソースインダクタンス
MOSFET寄生インダクタンス
MOSFET駆動
SCT3040KL
SCT3040KR
SiC-MOSFET
TO-247-4L
TO-247N
TO-263-7L
ゲート-ソース間電圧の挙動
スイッチング素子
ソースインダクタンスによるスイッチング損失
ドライバソース端子
パワーデバイス