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キーワード:パワーデバイス

2016.04.07

はじめに

Tech Webの「基礎知識」に、新しく「パワーデバイス」に関する記事を追加していきます。近年、「パワーデバイス」もしくは「パワー半導体」といった表現で、大電力を低損失で扱うことを目的にしたダイオード...

キーワード:
MOSFET
ダイオード
トランジスタ
ハイパワーMOSFET
パワーデバイス
パワー半導体
高耐圧MOSFET
高電力MOSFET

2016.04.07

ダイオードの種類と特性-静特性・動特性・電流・電圧・逆回復時間

最初に、ここでシリコンパワーデバイスとして取り上げるダイオードの種類と、シリコン半導体の基本ともいえるダイオードについて基礎の基礎的な話をしておきます。 Siダイオードの分類 Siダイオードの分類を考...

キーワード:
FRD
MOSFET
SBD
ショットキーバリアダイオード
ダイオード
パワーデバイス
パワー半導体
ファストリカバリダイオード
整流ダイオード
高耐圧ダイオード
高速ダイオード

2016.04.07

シリコンカーバイドとは

シリコンカーバイド、SiCは、比較的新しい半導体材料です。最初に少しその物性や特徴を確認したいと思います。 SiCの物性と特徴 SiCは、シリコン(Si)と炭素(C)で構成される化合物半導体材料です。...

キーワード:
SiC
SiC物性
シリコンカーバイド
パワーデバイス
パワー半導体

2016.04.07

はじめに

Tech Webの「基礎知識」に、新しく「パワーデバイス」に関する記事を追加していきます。近年、「パワーデバイス」もしくは「パワー半導体」といった表現で、大電力を低損失で扱うことを目的にしたダイオード...

キーワード:
MOSFET
SiC
シリコンカーバイド
ダイオード
トランジスタ
ハイパワーMOSFET
パワーデバイス
パワー半導体
高耐圧MOSFET
高電力MOSFET

2016.04.26

整流ダイオードの比較-整流・スイッチング・SBD・FRDの特性・用途・選び方

この章で取り上げるダイオードは高耐圧で高電流を扱えるタイプのものですが、特性、特徴、製造プロセスからいくつかに分類できます。また、ダイオードは基本的にアプリケーションに対して、特性や性能が最適化されて...

キーワード:
FRD
SBD
ショットキーバリアダイオード
ダイオード
パワーデバイス
パワー半導体
ファストリカバリダイオード
整流ダイオード
高耐圧ダイオード
高速ダイオード

2016.04.26

SiCパワーデバイスの開発背景とメリット

前回、SiCの物性とSiCパワーデバイスの特徴を説明しました。SiCパワーデバイスは、Siパワーデバイスを超える高耐圧、低オン抵抗、高速動作を実現でき、より高温での動作も可能です。今回は、SiCの開発...

キーワード:
SiC
SiCメリット
SiC低抵抗
SiC小型化
SiC高速動作
シリコンカーバイド
パワーデバイス
パワー半導体

2020.01.28

はじめに

SiCパワーデバイス基礎知識応用編の第一弾、「SiC MOSFET:ブリッジ構成におけるゲート-ソース間電圧の挙動」をスタートします。 はじめに MOSFETやIGBTなどのパワースイッチングデバイス...

キーワード:
IGBT
SiC-MOSFET
スイッチング素子
パワーデバイス
ブリッジ接続
同期方式boost回路
同期方式ブースト回路

2020.03.31

SiC MOSFETのブリッジ構成

「SiC MOSFET:ブリッジ構成におけるゲート-ソース間電圧の挙動」を考察していくに当たって、今回はその前提となるブリッジ構成と動作に関する説明をします。 SiC MOSFETのブリッジ構成 以下...

キーワード:
IGBT
SiC-MOSFET
スイッチング素子
パワーデバイス
ブリッジ接続
同期方式boost回路
同期方式ブースト回路

2020.04.28

SiC MOSFETのゲート駆動回路とターンオン・ターンオフ動作

前回説明したSiC MOSFETのブリッジ構成におけるゲート駆動回路と、そのターンオン・ターンオフ動作に関して説明を進めます。 SiC MOSFETブリッジ構成のゲート駆動回路 LS(ローサイド)側S...

キーワード:
IGBT
SiCMOSFET
スイッチング素子
パワーデバイス
ブリッジ回路のオンオフ
ブリッジ接続
同期方式boost回路
同期方式ブースト回路

2020.05.26

ブリッジ回路のスイッチングにより発生する電流と電圧

前回、SiC MOSFETのブリッジ構成におけるゲート駆動回路のターンオン・ターンオフ動作について説明しました。今回は、それら一連のスイッチング動作におけるMOSFETのVDSおよびIDの変化によって...

キーワード:
IGBT
MOSFET dID/dt
MOSFET dVDS/dt
SiCMOSFET
ゲート駆動回路
ゲート駆動回路dID/dt
ゲート駆動回路dVDS/dt
スイッチング素子
パワーデバイス
ブリッジ接続
同期方式boost回路
同期方式ブースト回路