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キーワード:ブリッジ接続

2020.01.28

はじめに

SiCパワーデバイス基礎知識応用編の第一弾、「SiC MOSFET:ブリッジ構成におけるゲート-ソース間電圧の挙動」をスタートします。 はじめに MOSFETやIGBTなどのパワースイッチングデバイス...

キーワード:
IGBT
SiC-MOSFET
スイッチング素子
パワーデバイス
ブリッジ接続
同期方式boost回路
同期方式ブースト回路

2020.03.31

SiC MOSFETのブリッジ構成

「SiC MOSFET:ブリッジ構成におけるゲート-ソース間電圧の挙動」を考察していくに当たって、今回はその前提となるブリッジ構成と動作に関する説明をします。 SiC MOSFETのブリッジ構成 以下...

キーワード:
IGBT
SiC-MOSFET
スイッチング素子
パワーデバイス
ブリッジ接続
同期方式boost回路
同期方式ブースト回路

2020.04.28

SiC MOSFETのゲート駆動回路とターンオン・ターンオフ動作

前回説明したSiC MOSFETのブリッジ構成におけるゲート駆動回路と、そのターンオン・ターンオフ動作に関して説明を進めます。 SiC MOSFETブリッジ構成のゲート駆動回路 LS(ローサイド)側S...

キーワード:
IGBT
SiCMOSFET
スイッチング素子
パワーデバイス
ブリッジ回路のオンオフ
ブリッジ接続
同期方式boost回路
同期方式ブースト回路

2020.05.26

ブリッジ回路のスイッチングにより発生する電流と電圧

前回、SiC MOSFETのブリッジ構成におけるゲート駆動回路のターンオン・ターンオフ動作について説明しました。今回は、それら一連のスイッチング動作におけるMOSFETのVDSおよびIDの変化によって...

キーワード:
IGBT
MOSFET dID/dt
MOSFET dVDS/dt
SiCMOSFET
ゲート駆動回路
ゲート駆動回路dID/dt
ゲート駆動回路dVDS/dt
スイッチング素子
パワーデバイス
ブリッジ接続
同期方式boost回路
同期方式ブースト回路

2020.07.28

ローサイドスイッチターンオン時のゲート-ソース間電圧の挙動

前回は、SiC MOSFETのブリッジ構成におけるゲート駆動回路のスイッチング動作によるVDSおよびIDの変化によって発生する電流と電圧の概略を説明しました。今回は、LSターンオン時の挙動の詳細を説明...

キーワード:
IGBT
MOSFET dID/dt
MOSFET dVDS/dt
SiCMOSFET
VGS持ち上がり
ゲート駆動回路
ゲート駆動回路dID/dt
ゲート駆動回路dVDS/dt
スイッチング素子
セルフターンオン
パワーデバイス
ブリッジ接続
同期方式boost回路
同期方式ブースト回路