電源設計の技術情報サイト
2014.11.14
トランスの設計が終わり、次はスイッチング素子、ここではMOSFET Q1の選定と関連回路を構成していきます。 最初にスイッチ電圧や電流などからMOSFET Q1を選定します。これは、本稿「主要部...
2014.11.28
「主要部品の選定-MOSFET関連 その1」で、MOSFET Q1の選定が終わったので、MOSFET周辺の回路を構成していきます。 最初に回路動作のおさらいです。ICのOUT(PWM出力)からの信号は...
2016.02.17
2016.04.07
2016.04.07
2016.04.07
2016.07.26
今回から、「Siトランジスタ」について説明して行きます。Siトランジスタと一口に言いましたが、バイポーラやMOSFETといったように製造プロセスや構造による分類があります。また、ハンドルする電流や電圧...
2016.08.30
2016.09.28
2016.11.29
2016.12.20
ここからは、MOSFETの中でも、近年の高耐圧MOSFETの代表格である、スーパージャンクションMOSFETについて説明していきます。 パワートランジスタの特徴と位置付け 最初に、近年の主要パワートラ...
2017.05.30
2017.02.10
前回、近年の主要パワートランジスタである、Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFETのポジショニングを確認し、近年の高耐圧Si-MOSFETの代表格であるスーパージャンクションMOSFET(以...
2017.10.03
2017.10.03
前回は、同期整流降圧コンバータにおける損失発生箇所確認し、コンバータ全体としての損失は各部の損失の合計であることを説明しました。今回から、各ポイントの損失算出方法を検討していきます。今回は、パワースイ...
2017.02.28
2017.07.26
2017.08.30
2017.09.27
2017.04.25
今回は、ロームがHybrid MOSと命名した、MOSFETとIGBT両方の利点を備えたMOSFETについて説明します。下図の一番下の赤い枠のポジションになります。 MOSFETとIGBTの優れた特...
2017.10.30
2017.11.29
2018.01.16
ここからは、実際のアプリケーション回路において、ダイオードやトランジスタの特性や性能によってどのような違いや使い分けがあるのかを説明していきます。最初はPFC(力率改善)での例から始めますが、電子機器...
2018.02.27
実際のアプリケーション回路では、ダイオードやトランジスタは特性や性能の違いによって使い分ける必要があります。パワー系アプリケーションでの主な使い分けの目的は、効率の向上にあります。今回はPFC(力率改...
2017.12.26
2018.03.27
前回の臨界モードPFCの例に続いて、今回は電流連続モードPFCでの、ダイオードの特性の違いによる効率の違いを示します。 ダイオードによる電流連続モードPFC回路の効率改善の例 これは、以前にPFCの説...
2018.04.24
今回から、具体的なアプリケーションにおける効率などの改善例を示します。 LED照明回路(臨界モードPFC+DC/DC):MOSFETによる効率向上とノイズ低減の例 以下の回路は、実際のLED照明回路の...
2018.07.17
2018.08.07
今回で、Siパワーデバイス基礎編は最後になります。Si系のパワー素子として、整流ダイオード、ショットキーバリアダイオード、ファストリカバリダイオード、MOSFET、スーパージャンクションMOSFET、...
2020.06.30
Siパワーデバイスの新章として「評価編」を開設しました。「ダブルパルス試験によるMOSFETのリカバリ特性評価」では、ダブルパルス試験によってMOSFETのボディーダイオードのリカバリ特性を評価して損...
2020.07.28
今回は、何種類かのMOSFETを用いたダブルパルス試験の結果を基に、リカバリ特性の考察をします。この評価における試験回路は、前回示した基本回路図を用いています。また、確認のための動作も同様に前回示した...
2020.08.25
前回、標準タイプと高速リカバリ特性を有したSJ MOSFETのダブルパルス試験を通じて、「ブリッジ構成の回路においては、リカバリ特性が高速なMOSFETを使用することで損失を低減できることと、一方でリ...
2020.09.29
今回は全体を通してのまとめを行います。 「ダブルパルス試験によるMOSFETのリカバリ特性評価」では、インバータ回路やTotem Pole型力率改善(PFC)回路等は、2つのMOSFETが直列接続され...