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キーワード:MOSFET

2014.11.14

絶縁型フライバックコンバータ回路設計:主要部品の選定-MOSFET関連 その1

トランスの設計が終わり、次はスイッチング素子、ここではMOSFET Q1の選定と関連回路を構成していきます。 最初にスイッチ電圧や電流などからMOSFET Q1を選定します。これは、本稿「主要部...

キーワード:
MOSFET
MOSFETの選び方
スイッチングトランジスタ
スイッチングトランジスタ選定
パワートランジスタ

2014.11.28

絶縁型フライバックコンバータ回路設計:主要部品の選定-MOSFET関連 その2

「主要部品の選定-MOSFET関連 その1」で、MOSFET Q1の選定が終わったので、MOSFET周辺の回路を構成していきます。 最初に回路動作のおさらいです。ICのOUT(PWM出力)からの信号は...

キーワード:
MOSFET
MOSFETの選び方
MOSFETゲート調整回路
MOSFET電流制限抵抗
スイッチングトランジスタ

2016.02.17

まとめ

本編では、AC/DCコンバータの「評価編:絶縁型フライバックコンバータの性能評価とチェックポイント」と題して、絶縁型フライバック方式のAC/DCコンバータ回路の性能評価のための測定方法と実測データ、そ...

キーワード:
AC/DCコンバータ
MOSFET
トランスの飽和
ドレイン電圧
フライバック
出力ダイオード
過渡応答
電源損失
電源設計
電源評価ボード
電解コンデンサ

2016.04.07

はじめに

Tech Webの「基礎知識」に、新しく「パワーデバイス」に関する記事を追加していきます。近年、「パワーデバイス」もしくは「パワー半導体」といった表現で、大電力を低損失で扱うことを目的にしたダイオード...

キーワード:
MOSFET
ダイオード
トランジスタ
ハイパワーMOSFET
パワーデバイス
パワー半導体
高耐圧MOSFET
高電力MOSFET

2016.04.07

ダイオードの種類と特性-静特性・動特性・電流・電圧・逆回復時間

最初に、ここでシリコンパワーデバイスとして取り上げるダイオードの種類と、シリコン半導体の基本ともいえるダイオードについて基礎の基礎的な話をしておきます。 Siダイオードの分類 Siダイオードの分類を考...

キーワード:
FRD
MOSFET
SBD
ショットキーバリアダイオード
ダイオード
パワーデバイス
パワー半導体
ファストリカバリダイオード
整流ダイオード
高耐圧ダイオード
高速ダイオード

2016.04.07

はじめに

Tech Webの「基礎知識」に、新しく「パワーデバイス」に関する記事を追加していきます。近年、「パワーデバイス」もしくは「パワー半導体」といった表現で、大電力を低損失で扱うことを目的にしたダイオード...

キーワード:
MOSFET
SiC
シリコンカーバイド
ダイオード
トランジスタ
ハイパワーMOSFET
パワーデバイス
パワー半導体
高耐圧MOSFET
高電力MOSFET

2016.07.26

トランジスタとは-分類と特徴

今回から、「Siトランジスタ」について説明して行きます。Siトランジスタと一口に言いましたが、バイポーラやMOSFETといったように製造プロセスや構造による分類があります。また、ハンドルする電流や電圧...

キーワード:
IGBT
MOSFET
トランジスタ
バイポーラトランジスタ
パワートランジスタ

2016.08.30

MOSFETとは-寄生容量とその温度特性

前回のSiトランジスタの分類と特徴、基本特性に続いて、今日パワースイッチとして広く利用されているSi-MOSFETの特性について追加の説明をしたいと思います。 MOSFETの寄生容量 MOSFETには...

キーワード:
Ciss
Coss
Crss
MOSFET
トランジスタ
パワーMOSFET
入力容量
出力容量
寄生容量
帰還容量
逆伝達容量

2016.09.28

MOSFETとは-スイッチング特性とその温度特性

前回は、MOSFETの寄生容量について説明しました。今回は、スイッチング特性について説明したいと思います。 MOSFETのスイッチング特性 電力変換においては、MOSFETは基本的にスイッチとして使わ...

キーワード:
MOSFET
Td(off)
Td(on)
tf
tr
ターンオフディレイタイム
ターンオフ遅延時間
ターンオンディレイタイム
ターンオン遅延時間
トランジスタ
パワーMOSFET
フォールタイム
ライズタイム
上昇時間
下降時間
立ち上がり時間
立ち下がり時間

2016.11.29

MOSFETとは-ゲートしきい値電圧、ID-VGS特性と温度特性

前回のMOSFETのスイッチング特性に続いて、MOSFETの重要特性である、ゲートしきい値電圧、そしてID-VGS特性、そしてそれぞれの温度特性について説明します。 MOSFETのVGS(th):ゲー...

キーワード:
ID
ID-VGS特性
MOSFET
VGS
VGS(th)
ゲートしきい値

2016.12.20

MOSFETとは-スーパージャンクションMOSFET

ここからは、MOSFETの中でも、近年の高耐圧MOSFETの代表格である、スーパージャンクションMOSFETについて説明していきます。 パワートランジスタの特徴と位置付け 最初に、近年の主要パワートラ...

キーワード:
IGBT
irr
MOSFET
SiC-MOSFET
trr
オン抵抗
スーパージャンクションMOSFET
スーパージャンクションMOSFET構造
プレーナーMOSFET
耐圧

2017.05.30

実動作における適性確認と準備

ここから、新章となる「実動作における適性確認」に入ります。回路設計では通常、その回路の要求に基づき対応可能なトランジスタを、データシートの仕様を参照して選択します。しかしながら、実際に試作してみると、...

キーワード:
IGBT
MOSFET
R6020EN
SiC-MOSFET
SJ-MOSFET
SOA
Tj
スーパージャンクションMOSFET
チップ温度
ディレーティング
安全動作領域
接合温度
絶対最大定格

2017.02.10

MOSFETとは-高耐圧スーパージャンクションMOSFETの種類と特徴

前回、近年の主要パワートランジスタである、Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFETのポジショニングを確認し、近年の高耐圧Si-MOSFETの代表格であるスーパージャンクションMOSFET(以...

キーワード:
ANシリーズ
ENシリーズ
FNシリーズ
IGBT
MOSFET
SiC-MOSFET
SJ-MOSFET
スーパージャンクションMOSFET
プレーナーMOSFET

2017.10.03

同期整流降圧コンバータの損失

ここからは、同期整流降圧コンバータの損失について検討していきます。最初に同期整流降圧コンバータにおける損失発生箇所を確認します。その後、各ポイントの損失について考えていきます。 同期整流降圧コンバータ...

キーワード:
DC/DCコンバータ損失
DCR
MOSFET
インダクタ
ゲートチャージ
ゲートドライブ
ゲート容量
ゲート電荷
スイッチング損失
デッドタイム
伝導損失
同期整流降圧コンバータ損失
導通損失
損失低減
損失計算
電源損失

2017.10.03

同期整流降圧コンバータの導通損失

前回は、同期整流降圧コンバータにおける損失発生箇所確認し、コンバータ全体としての損失は各部の損失の合計であることを説明しました。今回から、各ポイントの損失算出方法を検討していきます。今回は、パワースイ...

キーワード:
DC/DCコンバータ損失
MOSFET
スイッチング損失
伝導損失
同期整流降圧コンバータ損失
導通損失
損失低減
損失計算
電源損失

2017.02.28

MOSFETとは-高速trr SJ-MOSFET : PrestoMOS ™

前回は、ロームのSJ-MOSFETのラインアップから、標準ANシリーズ、低ノイズENシリーズ、高速KNシリーズを例としてSJ-MOSFETの特徴について説明しました。今回は、SJ-MOSFETのtrr...

キーワード:
A・Ron
FNシリーズ
IGBT
MNシリーズ
MOSFET
Ron・Qg
SiC-MOSFET
SJ-MOSFET
trr
スーパージャンクションMOSFET
回生電流
転流損失
高効率インバータ

2017.07.26

絶対最大定格内であることの確認

この章では、実動作において選択したトランジスタが適切であるか否かの判断のための方法と手順を説明しています。 今回は、右のフローチャートの②絶対最大定格内であることの確認、について説明します。 ...

キーワード:
IGBT
MOSFET
R6020EN
SiC-MOSFET
SJ-MOSFET
SOA
Tj
スーパージャンクションMOSFET
チップ温度
ディレーティング
安全動作領域
接合温度
絶対最大定格

2017.08.30

SOA(安全動作領域)内であることの確認

この章では、実動作において選択したトランジスタが適切であるか否かの判断のための方法と手順を説明しています。 今回は、右のフローチャートの③SOA(安全動作領域)内であることの確認、について説明しま...

キーワード:
IGBT
MOSFET
R6020EN
SiC-MOSFET
SJ-MOSFET
SOA
SOA破壊
Tj
スーパージャンクションMOSFET
チップ温度
ディレーティング
安全動作領域
接合温度
絶対最大定格

2017.09.27

実使用温度でディレーティングしたSOA内であることの確認

この章では、実動作において選択したトランジスタが適切であるか否かの判断のための方法と手順を説明しています。 今回は、右のフローチャートの④使用雰囲気温度でディレーティングしたSOA内で...

キーワード:
IGBT
MOSFET
R6020EN
SiC-MOSFET
SJ-MOSFET
SOA
Ta
Tj
スーパージャンクションMOSFET
チップ温度
ディレーティング
安全動作領域
接合温度

2017.04.25

MOSFETとIGBT両方の利点を備えたHybrid MOS

今回は、ロームがHybrid MOSと命名した、MOSFETとIGBT両方の利点を備えたMOSFETについて説明します。下図の一番下の赤い枠のポジションになります。 MOSFETとIGBTの優れた特...

キーワード:
Annual Performance Factor
APF
Hybrid MOS
IGBT
MOSFET
SiC-MOSFET
SJ-MOSFET
Tail 電流
スーパージャンクション MOSFET
テイル電流
ハイブリッド MOS
省エネ法

2017.10.30

平均消費電力が定格電力内であることの確認

この章では、実動作において選択したトランジスタが適切であるか否かの判断のための方法と手順を説明しています。 今回は、右のフローチャートの「⑥平均消費電力が定格電力内であることの確認」、...

キーワード:
IGBT
MOSFET
R6020EN
SiC-MOSFET
SJ-MOSFET
SOA
Ta
Tj
スイッチング動作
スーパージャンクションMOSFET
チップ温度
ディレーティング
安全動作領域
平均消費電力
接合温度
連続パルス

2017.11.29

チップ温度の確認

この章では、実動作において選択したトランジスタが適切であるか否かの判断のための方法と手順を説明しています。 今回は、右のフローチャートにはないのですが、以下の箇条書きの⑦、「チップ温度...

キーワード:
IGBT
MOSFET
R6020EN
SiC-MOSFET
SJ-MOSFET
SOA
Ta
Tc
Tj
θca
θja
θjc
ケース温度
スーパージャンクションMOSFET
チップ温度
ディレーティング
パッケージ温度
ヒートシンク
安全動作領域
接合温度
放熱器
放熱板
消費電力
熱抵抗
熱計算

2018.01.16

PFC(力率改善)とは-原理と回路:シングル/インタリーブ、BCM/CCM

ここからは、実際のアプリケーション回路において、ダイオードやトランジスタの特性や性能によってどのような違いや使い分けがあるのかを説明していきます。最初はPFC(力率改善)での例から始めますが、電子機器...

キーワード:
BCM
CCM
FRD
IGBT
MOSFET
PFC
SiC-MOSFET
SiC-SBD
SJ-MOSFET
アクティブPFC
インターリーブPFC
ショットキーバリアダイオード
スーパージャンクションMOSFET
パワーファクターコレクション
ファストリカバリダイオード
力率改善
臨界モード
連続モード

2018.02.27

臨界モードPF : ダイオードによる効率向上の例

実際のアプリケーション回路では、ダイオードやトランジスタは特性や性能の違いによって使い分ける必要があります。パワー系アプリケーションでの主な使い分けの目的は、効率の向上にあります。今回はPFC(力率改...

キーワード:
BCM
CCM
FRD
IGBT
MOSFET
PFC
PFCシミュレーション
PFC効率
SiC-MOSFET
SiC-SBD
SJ-MOSFET
アクティブPFC
インターリーブPFC
ショットキーバリアダイオード
シングルPFC
スーパージャンクションMOSFET
パワーファクターコレクション
ファストリカバリダイオード
力率改善
臨界モード
連続モード

2017.12.26

まとめ

この章では、実動作において選択したトランジスタが適切であるか否かの判断のための方法と手順を説明してきました。今回は最後にまとめを行います。 右のフローチャートおよび下の箇条書きに従って、選択したト...

キーワード:
IGBT
MOSFET
R6020EN
SiC-MOSFET
SJ-MOSFET
SOA
Ta
Tc
Tj
θca
θja
θjc
ケース温度
スーパージャンクションMOSFET
チップ温度
ディレーティング
パッケージ温度
ヒートシンク
安全動作領域
接合温度
放熱器
放熱板
消費電力
熱抵抗
熱計算

2018.03.27

電流連続モードPFC : ダイオードによる効率向上の例

前回の臨界モードPFCの例に続いて、今回は電流連続モードPFCでの、ダイオードの特性の違いによる効率の違いを示します。 ダイオードによる電流連続モードPFC回路の効率改善の例 これは、以前にPFCの説...

キーワード:
BCM
CCM
FRD
IGBT
MOSFET
PFC
PFCシミュレーション
PFC効率
SiC-MOSFET
SiC-SBD
SJ-MOSFET
アクティブPFC
インターリーブPFC
ショットキーバリアダイオード
シングルPFC
スーパージャンクションMOSFET
パワーファクターコレクション
ファストリカバリダイオード
力率改善
臨海モード
電流連続モード

2018.04.24

LED照明回路 : MOSFETによる効率向上とノイズ低減の例

今回から、具体的なアプリケーションにおける効率などの改善例を示します。 LED照明回路(臨界モードPFC+DC/DC):MOSFETによる効率向上とノイズ低減の例 以下の回路は、実際のLED照明回路の...

キーワード:
BCM
CCM
DC/DCコンバータ 効率
IGBT
MOSFET
MOSFET 効率
PFC
PFC効率
PFC効率改善
SiC-MOSFET
SJ-MOSFET
アクティブPFC
スーパージャンクションMOSFET
パワーファクターコレクション
力率改善
臨界モード
連続モード

2018.07.17

エアコン用PFC回路 : MOSFETとダイオードによる効率向上の例

前回はLED照明回路の効率向上とノイズ低減の例を示しましたが、今回はエアコンの例です。近年は通年のエネルギー消費率を示すAPF(Annual Performance Factor)が問われるため、エア...

キーワード:
BCM
CCM
IGBT
MOSFET
PFC
PFC効率
PFC効率改善
SiC-MOSFET
SiC-SBD
SJ-MOSFET
アクティブPFC
スーパージャンクションMOSFET
パワーファクターコレクション
力率改善
臨界モード
連続モード

2018.08.07

まとめ

今回で、Siパワーデバイス基礎編は最後になります。Si系のパワー素子として、整流ダイオード、ショットキーバリアダイオード、ファストリカバリダイオード、MOSFET、スーパージャンクションMOSFET、...

キーワード:
BCM
CCM
FRD
HybridMOS
IGBT
MOSFET
PFC
PFC効率改善
PrestoMOS
SiC-MOSFET
SiC-SBD
SJ-MOSFET
SOA
アクティブPFC
ショットキーバリアダイオード
スーパージャンクションMOSFET
ディレーティング
パワーファクターコレクション
ファストリカバリダイオード
力率改善
臨界モード
連続モード

2020.06.30

ダブルパルス試験とは

Siパワーデバイスの新章として「評価編」を開設しました。「ダブルパルス試験によるMOSFETのリカバリ特性評価」では、ダブルパルス試験によってMOSFETのボディーダイオードのリカバリ特性を評価して損...

キーワード:
irr
MOSFET
MOSFETボディーダイオード
MOSFETボディーダイオードリカバリ特性
Qrr
ターンオン損失
ダイオードリカバリ特性
ダブルパルス試験
ブリッジ回路