MOSFET ｜電源設計の技術情報サイトのTechWeb

2014.11.14

絶縁型フライバックコンバータ回路設計：主要部品の選定－MOSFET関連その1

トランスの設計が終わり、次はスイッチング素子、ここではMOSFET Q1の選定と関連回路を構成していきます。最初にスイッチ電圧や電流などからMOSFET Q1を選定します。これは、本稿「主要部...

キーワード：: MOSFET; MOSFETの選び方; スイッチングトランジスタ; スイッチングトランジスタ選定; パワートランジスタ

2014.11.28

絶縁型フライバックコンバータ回路設計：主要部品の選定－MOSFET関連その2

「主要部品の選定－MOSFET関連その1」で、MOSFET Q1の選定が終わったので、MOSFET周辺の回路を構成していきます。最初に回路動作のおさらいです。ICのOUT(PWM出力）からの信号は...

キーワード：: MOSFET; MOSFETの選び方; MOSFETゲート調整回路; MOSFET電流制限抵抗; スイッチングトランジスタ

2016.02.17

まとめ

本編では、AC/DCコンバータの「評価編：絶縁型フライバックコンバータの性能評価とチェックポイント」と題して、絶縁型フライバック方式のAC/DCコンバータ回路の性能評価のための測定方法と実測データ、そ...

キーワード：: AC/DCコンバータ; MOSFET; トランスの飽和; ドレイン電圧; フライバック; 出力ダイオード; 過渡応答; 電源損失; 電源設計; 電源評価ボード; 電解コンデンサ

2016.04.07

はじめに

Tech Webの「基礎知識」に、新しく「パワーデバイス」に関する記事を追加していきます。近年、「パワーデバイス」もしくは「パワー半導体」といった表現で、大電力を低損失で扱うことを目的にしたダイオード...

キーワード：: MOSFET; ダイオード; トランジスタ; ハイパワーMOSFET; パワーデバイス; パワー半導体; 高耐圧MOSFET; 高電力MOSFET

2016.04.07

ダイオードの種類と特性－静特性・動特性・電流・電圧・逆回復時間

最初に、ここでシリコンパワーデバイスとして取り上げるダイオードの種類と、シリコン半導体の基本ともいえるダイオードについて基礎の基礎的な話をしておきます。 Siダイオードの分類 Siダイオードの分類を考...

キーワード：: FRD; MOSFET; SBD; ショットキーバリアダイオード; ダイオード; パワーデバイス; パワー半導体; ファストリカバリダイオード; 整流ダイオード; 高耐圧ダイオード; 高速ダイオード

2016.04.07

はじめに

Tech Webの「基礎知識」に、新しく「パワーデバイス」に関する記事を追加していきます。近年、「パワーデバイス」もしくは「パワー半導体」といった表現で、大電力を低損失で扱うことを目的にしたダイオード...

キーワード：: MOSFET; SiC; シリコンカーバイド; ダイオード; トランジスタ; ハイパワーMOSFET; パワーデバイス; パワー半導体; 高耐圧MOSFET; 高電力MOSFET

2016.07.26

トランジスタとは－分類と特徴

今回から、「Siトランジスタ」について説明して行きます。Siトランジスタと一口に言いましたが、バイポーラやMOSFETといったように製造プロセスや構造による分類があります。また、ハンドルする電流や電圧...

キーワード：: IGBT; MOSFET; トランジスタ; バイポーラトランジスタ; パワートランジスタ

2016.08.30

MOSFETとは－寄生容量とその温度特性

前回のSiトランジスタの分類と特徴、基本特性に続いて、今日パワースイッチとして広く利用されているSi-MOSFETの特性について追加の説明をしたいと思います。 MOSFETの寄生容量 MOSFETには...

キーワード：: Ciss; Coss; Crss; MOSFET; トランジスタ; パワーMOSFET; 入力容量; 出力容量; 寄生容量; 帰還容量; 逆伝達容量

2016.09.28

MOSFETとは－スイッチング特性とその温度特性

前回は、MOSFETの寄生容量について説明しました。今回は、スイッチング特性について説明したいと思います。 MOSFETのスイッチング特性電力変換においては、MOSFETは基本的にスイッチとして使わ...

キーワード：: MOSFET; Td(off）; Td(on）; tf; tr; ターンオフディレイタイム; ターンオフ遅延時間; ターンオンディレイタイム; ターンオン遅延時間; トランジスタ; パワーMOSFET; フォールタイム; ライズタイム; 上昇時間; 下降時間; 立ち上がり時間; 立ち下がり時間

2016.11.29

MOSFETとは－ゲートしきい値電圧、ID-VGS特性と温度特性

前回のMOSFETのスイッチング特性に続いて、MOSFETの重要特性である、ゲートしきい値電圧、そしてID-VGS特性、そしてそれぞれの温度特性について説明します。 MOSFETのVGS(th)：ゲー...

キーワード：: ID; ID-VGS特性; MOSFET; VGS; VGS(th); ゲートしきい値

2016.12.20

MOSFETとは－スーパージャンクションMOSFET

ここからは、MOSFETの中でも、近年の高耐圧MOSFETの代表格である、スーパージャンクションMOSFETについて説明していきます。パワートランジスタの特徴と位置付け最初に、近年の主要パワートラ...

キーワード：: IGBT; irr; MOSFET; SiC-MOSFET; trr; オン抵抗; スーパージャンクションMOSFET; スーパージャンクションMOSFET構造; プレーナーMOSFET; 耐圧

2017.05.30

実動作における適性確認と準備

ここから、新章となる「実動作における適性確認」に入ります。回路設計では通常、その回路の要求に基づき対応可能なトランジスタを、データシートの仕様を参照して選択します。しかしながら、実際に試作してみると、...

キーワード：: IGBT; MOSFET; R6020EN; SiC-MOSFET; SJ-MOSFET; SOA; Tj; スーパージャンクションMOSFET; チップ温度; ディレーティング; 安全動作領域; 接合温度; 絶対最大定格

2017.02.10

MOSFETとは－高耐圧スーパージャンクションMOSFETの種類と特徴

前回、近年の主要パワートランジスタである、Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFETのポジショニングを確認し、近年の高耐圧Si-MOSFETの代表格であるスーパージャンクションMOSFET（以...

キーワード：: ANシリーズ; ENシリーズ; FNシリーズ; IGBT; MOSFET; SiC-MOSFET; SJ-MOSFET; スーパージャンクションMOSFET; プレーナーMOSFET

2017.10.03

同期整流降圧コンバータの損失

ここからは、同期整流降圧コンバータの損失について検討していきます。最初に同期整流降圧コンバータにおける損失発生箇所を確認します。その後、各ポイントの損失について考えていきます。同期整流降圧コンバータ...

キーワード：: DC/DCコンバータ損失; DCR; MOSFET; インダクタ; ゲートチャージ; ゲートドライブ; ゲート容量; ゲート電荷; スイッチング損失; デッドタイム; 伝導損失; 同期整流降圧コンバータ損失; 導通損失; 損失低減; 損失計算; 電源損失

2017.10.03

同期整流降圧コンバータの導通損失

前回は、同期整流降圧コンバータにおける損失発生箇所確認し、コンバータ全体としての損失は各部の損失の合計であることを説明しました。今回から、各ポイントの損失算出方法を検討していきます。今回は、パワースイ...

キーワード：: DC/DCコンバータ損失; MOSFET; スイッチング損失; 伝導損失; 同期整流降圧コンバータ損失; 導通損失; 損失低減; 損失計算; 電源損失

2017.02.28

MOSFETとは－高速trr SJ-MOSFET : PrestoMOS ™

前回は、ロームのSJ-MOSFETのラインアップから、標準ANシリーズ、低ノイズENシリーズ、高速KNシリーズを例としてSJ-MOSFETの特徴について説明しました。今回は、SJ-MOSFETのtrr...

キーワード：: A・Ron; FNシリーズ; IGBT; MNシリーズ; MOSFET; Ron・Qg; SiC-MOSFET; SJ-MOSFET; trr; スーパージャンクションMOSFET; 回生電流; 転流損失; 高効率インバータ

2017.07.26

絶対最大定格内であることの確認

この章では、実動作において選択したトランジスタが適切であるか否かの判断のための方法と手順を説明しています。今回は、右のフローチャートの②絶対最大定格内であることの確認、について説明します。 ...

キーワード：: IGBT; MOSFET; R6020EN; SiC-MOSFET; SJ-MOSFET; SOA; Tj; スーパージャンクションMOSFET; チップ温度; ディレーティング; 安全動作領域; 接合温度; 絶対最大定格

2017.08.30

SOA（安全動作領域）内であることの確認

この章では、実動作において選択したトランジスタが適切であるか否かの判断のための方法と手順を説明しています。今回は、右のフローチャートの③SOA（安全動作領域）内であることの確認、について説明しま...

キーワード：: IGBT; MOSFET; R6020EN; SiC-MOSFET; SJ-MOSFET; SOA; SOA破壊; Tj; スーパージャンクションMOSFET; チップ温度; ディレーティング; 安全動作領域; 接合温度; 絶対最大定格

2017.09.27

実使用温度でディレーティングしたSOA内であることの確認

この章では、実動作において選択したトランジスタが適切であるか否かの判断のための方法と手順を説明しています。今回は、右のフローチャートの④使用雰囲気温度でディレーティングしたSOA内で...

キーワード：: IGBT; MOSFET; R6020EN; SiC-MOSFET; SJ-MOSFET; SOA; Ta; Tj; スーパージャンクションMOSFET; チップ温度; ディレーティング; 安全動作領域; 接合温度

2017.04.25

MOSFETとIGBT両方の利点を備えたHybrid MOS

今回は、ロームがHybrid MOSと命名した、MOSFETとIGBT両方の利点を備えたMOSFETについて説明します。下図の一番下の赤い枠のポジションになります。 MOSFETとIGBTの優れた特...

キーワード：: Annual Performance Factor; APF; Hybrid MOS; IGBT; MOSFET; SiC-MOSFET; SJ-MOSFET; Tail 電流; スーパージャンクション MOSFET; テイル電流; ハイブリッド MOS; 省エネ法

2017.10.30

平均消費電力が定格電力内であることの確認

この章では、実動作において選択したトランジスタが適切であるか否かの判断のための方法と手順を説明しています。今回は、右のフローチャートの「⑥平均消費電力が定格電力内であることの確認」、...

キーワード：: IGBT; MOSFET; R6020EN; SiC-MOSFET; SJ-MOSFET; SOA; Ta; Tj; スイッチング動作; スーパージャンクションMOSFET; チップ温度; ディレーティング; 安全動作領域; 平均消費電力; 接合温度; 連続パルス

2017.11.29

チップ温度の確認

この章では、実動作において選択したトランジスタが適切であるか否かの判断のための方法と手順を説明しています。今回は、右のフローチャートにはないのですが、以下の箇条書きの⑦、「チップ温度...

キーワード：: IGBT; MOSFET; R6020EN; SiC-MOSFET; SJ-MOSFET; SOA; Ta; Tc; Tj; θca; θja; θjc; ケース温度; スーパージャンクションMOSFET; チップ温度; ディレーティング; パッケージ温度; ヒートシンク; 安全動作領域; 接合温度; 放熱器; 放熱板; 消費電力; 熱抵抗; 熱計算

2018.01.16

PFC(力率改善)とは－原理と回路:シングル/インタリーブ、BCM/CCM

ここからは、実際のアプリケーション回路において、ダイオードやトランジスタの特性や性能によってどのような違いや使い分けがあるのかを説明していきます。最初はPFC（力率改善）での例から始めますが、電子機器...

キーワード：: BCM; CCM; FRD; IGBT; MOSFET; PFC; SiC-MOSFET; SiC-SBD; SJ-MOSFET; アクティブPFC; インターリーブPFC; ショットキーバリアダイオード; スーパージャンクションMOSFET; パワーファクターコレクション; ファストリカバリダイオード; 力率改善; 臨界モード; 連続モード

2018.02.27

臨界モードPF : ダイオードによる効率向上の例

実際のアプリケーション回路では、ダイオードやトランジスタは特性や性能の違いによって使い分ける必要があります。パワー系アプリケーションでの主な使い分けの目的は、効率の向上にあります。今回はPFC（力率改...

2017.12.26

まとめ

この章では、実動作において選択したトランジスタが適切であるか否かの判断のための方法と手順を説明してきました。今回は最後にまとめを行います。右のフローチャートおよび下の箇条書きに従って、選択したト...

キーワード：: IGBT; MOSFET; R6020EN; SiC-MOSFET; SJ-MOSFET; SOA; Ta; Tc; Tj; θca; θja; θjc; ケース温度; スーパージャンクションMOSFET; チップ温度; ディレーティング; パッケージ温度; ヒートシンク; 安全動作領域; 接合温度; 放熱器; 放熱板; 消費電力; 熱抵抗; 熱計算

2018.03.27

電流連続モードPFC : ダイオードによる効率向上の例

前回の臨界モードPFCの例に続いて、今回は電流連続モードPFCでの、ダイオードの特性の違いによる効率の違いを示します。ダイオードによる電流連続モードPFC回路の効率改善の例これは、以前にPFCの説...

2018.04.24

LED照明回路 : MOSFETによる効率向上とノイズ低減の例

今回から、具体的なアプリケーションにおける効率などの改善例を示します。 LED照明回路（臨界モードPFC＋DC/DC）：MOSFETによる効率向上とノイズ低減の例以下の回路は、実際のLED照明回路の...

キーワード：: BCM; CCM; DC/DCコンバータ効率; IGBT; MOSFET; MOSFET 効率; PFC; PFC効率; PFC効率改善; SiC-MOSFET; SJ-MOSFET; アクティブPFC; スーパージャンクションMOSFET; パワーファクターコレクション; 力率改善; 臨界モード; 連続モード

2018.07.17

エアコン用PFC回路 : MOSFETとダイオードによる効率向上の例

前回はLED照明回路の効率向上とノイズ低減の例を示しましたが、今回はエアコンの例です。近年は通年のエネルギー消費率を示すAPF（Annual Performance Factor）が問われるため、エア...

キーワード：: BCM; CCM; IGBT; MOSFET; PFC; PFC効率; PFC効率改善; SiC-MOSFET; SiC-SBD; SJ-MOSFET; アクティブPFC; スーパージャンクションMOSFET; パワーファクターコレクション; 力率改善; 臨界モード; 連続モード

2018.08.07

まとめ

今回で、Siパワーデバイス基礎編は最後になります。Si系のパワー素子として、整流ダイオード、ショットキーバリアダイオード、ファストリカバリダイオード、MOSFET、スーパージャンクションMOSFET、...

2020.06.30

ダブルパルス試験とは

Siパワーデバイスの新章として「評価編」を開設しました。「ダブルパルス試験によるMOSFETのリカバリ特性評価」では、ダブルパルス試験によってMOSFETのボディーダイオードのリカバリ特性を評価して損...

キーワード：: irr; MOSFET; MOSFETボディーダイオード; MOSFETボディーダイオードリカバリ特性; Qrr; ターンオン損失; ダイオードリカバリ特性; ダブルパルス試験; ブリッジ回路

2020.07.28

ダブルパルス試験によるリカバリ特性評価

今回は、何種類かのMOSFETを用いたダブルパルス試験の結果を基に、リカバリ特性の考察をします。この評価における試験回路は、前回示した基本回路図を用いています。また、確認のための動作も同様に前回示した...

キーワード：: Eon; irr; MOSFET; MOSFETボディーダイオード; MOSFETボディーダイオードリカバリ特性; Qrr; SJ-MOSFET; Super Junction MOSFET; ターンオン損失; ダイオードリカバリ特性; ダブルパルス試験; ブリッジ回路

2020.08.25

セルフターンオン発生のメカニズム

前回、標準タイプと高速リカバリ特性を有したSJ MOSFETのダブルパルス試験を通じて、「ブリッジ構成の回路においては、リカバリ特性が高速なMOSFETを使用することで損失を低減できることと、一方でリ...

キーワード：: irr; MOSFET; MOSFETセルフターンオン; MOSFETボディーダイオード; MOSFETボディーダイオードリカバリ特性; Qrr; ターンオン損失; ダイオードリカバリ特性; ダブルパルス試験; ブリッジ回路

2020.09.29

まとめ

今回は全体を通してのまとめを行います。「ダブルパルス試験によるMOSFETのリカバリ特性評価」では、インバータ回路やTotem Pole型力率改善（PFC）回路等は、2つのMOSFETが直列接続され...

キーワード：: irr; MOSFET; MOSFETセルフターンオン; MOSFETボディダイオード; MOSFETボディダイオードリカバリ特性; Qrr; ターンオン損失; ダイオードリカバリ特性; ダブルパルス試験; ブリッジ回路

キーワード：MOSFET