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キーワード:MOSFETソースインダクタンス

2021.08.17

従来MOSFETの駆動方法

MOSFETやIGBTなどのパワースイッチングデバイスは、様々な電源アプリケーションや電力ラインのスイッチング素子として使用されています。そのスイッチング素子で発生するスイッチング損失や導通損失は、可...

キーワード:
IGBT
MOSFETスイッチング損失
MOSFETソースインダクタンス
MOSFET寄生インダクタンス
MOSFET駆動
SiC-MOSFET
スイッチング素子
ソースインダクタンスによるスイッチング損失。4端子パッケージ
ドライバソース端子
パワーデバイス

2021.09.28

ドライバソース端子を備えたパッケージ

前回は、本題となるドライバソース端子の効果を解説する前提として、従来のMOSFETの駆動方法を確認しました。今回は、ドライバソース端子を備えた実際のパッケージを確認します。 ドライバソース端子を備えた...

キーワード:
IGBT
MOSFETスイッチング損失
MOSFETソースインダクタンス
MOSFET寄生インダクタンス
MOSFET駆動
SiC-MOSFET
スイッチング素子
ソースインダクタンスによるスイッチング損失。4端子パッケージ
ドライバソース端子
パワーデバイス

2021.10.26

ドライバソース端子の有無による違いと効果

前前回、ドライバソース端子の効果を解説する前提として、ドライバソース端子を持たない従来パッケージMOSFET(以下、従来MOSFET)における、スイッチング動作中の電圧を確認しました。今回は、ドライバ...

キーワード:
IGBT
MOSFETスイッチング損失
MOSFETソースインダクタンス
MOSFET寄生インダクタンス
MOSFET駆動
SiC-MOSFET
スイッチング素子
ソースインダクタンスによるスイッチング損失。4端子パッケージ
ドライバソース端子
パワーデバイス