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キーワード:SiC-MOSFET

2016.12.20

SiC-MOSFETとは-特徴

前回で終了したSiC-SBDに続いて、SiC-MOSFETに関する説明に入ります。電力変換回路におけるトランジスタの役割は重要で、低損失とアプリケーションサイズの小型化のために様々な改良が図られていま...

キーワード:
BV
BVDS
Eoff
Eon
Err
IGBT
RonA
SiC
SiC-MOSFET
SiC-SBD
オフ時の損失
スイッチング周波数
リカバリ損失
単位面積当たりのオン抵抗
規格化オン抵抗
高周波化

2016.12.20

MOSFETとは-スーパージャンクションMOSFET

ここからは、MOSFETの中でも、近年の高耐圧MOSFETの代表格である、スーパージャンクションMOSFETについて説明していきます。 パワートランジスタの特徴と位置付け 最初に、近年の主要パワートラ...

キーワード:
IGBT
irr
MOSFET
SiC-MOSFET
trr
オン抵抗
スーパージャンクションMOSFET
スーパージャンクションMOSFET構造
プレーナーMOSFET
耐圧

2017.05.30

実動作における適性確認と準備

ここから、新章となる「実動作における適性確認」に入ります。回路設計では通常、その回路の要求に基づき対応可能なトランジスタを、データシートの仕様を参照して選択します。しかしながら、実際に試作してみると、...

キーワード:
IGBT
MOSFET
R6020EN
SiC-MOSFET
SJ-MOSFET
SOA
Tj
スーパージャンクションMOSFET
チップ温度
ディレーティング
安全動作領域
接合温度
絶対最大定格

2017.02.10

SiC-MOSFETとは-パワートランジスタの構造と特徴の比較

前回に続いて、各パワートランジスタの比較を行います。今回は構造と特徴を比較します。 パワートランジスタの構造と特徴の比較 以下の図は、各パワートランジスタの構造と、耐圧、オン抵抗、スイッチングスピード...

キーワード:
DMOS
IGBT
SiC-DMOS
SiC-MOSFET
SiC-SBD
super junction
スーパージャンクションMOSFET
トレンチ構造

2017.02.10

MOSFETとは-高耐圧スーパージャンクションMOSFETの種類と特徴

前回、近年の主要パワートランジスタである、Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFETのポジショニングを確認し、近年の高耐圧Si-MOSFETの代表格であるスーパージャンクションMOSFET(以...

キーワード:
ANシリーズ
ENシリーズ
FNシリーズ
IGBT
MOSFET
SiC-MOSFET
SJ-MOSFET
スーパージャンクションMOSFET
プレーナーMOSFET

2017.02.28

SiC-MOSFETとは-Si-MOSFETとの違い

ここからは、SiC-MOSFETと他のパワートランジスタとの比較を個別にして行きます。 今回は、Si-MOSFETとの違いについて説明します。まだSiC-MOSFETを使ったことのない方は、個々のパラ...

キーワード:
IGBT
Rg
Ron
SiC-MOSFET
SiC-SBD
VGS
オン抵抗
ゲートサージ
ゲートドライバ
ゲート抵抗
ゲート電圧
サージ対策

2017.05.16

はじめに

AC/DCコンバータ設計編の新章、「SiC-MOSFETを使った絶縁型擬似共振コンバータの設計事例」を開始します。この章では、今まで取り上げた「フライバック方式」と「フォワード方式」に次いで、「擬似共...

キーワード:
AC/DCコンバータ設計
SiC
SiC-MOSFET
シリコンカーバイド
フォワード
フライバック
擬似共振コンバータ設計
絶縁AC/DCコンバータ設計

2017.02.28

MOSFETとは-高速trr SJ-MOSFET : PrestoMOS ™

前回は、ロームのSJ-MOSFETのラインアップから、標準ANシリーズ、低ノイズENシリーズ、高速KNシリーズを例としてSJ-MOSFETの特徴について説明しました。今回は、SJ-MOSFETのtrr...

キーワード:
A・Ron
FNシリーズ
IGBT
MNシリーズ
MOSFET
Ron・Qg
SiC-MOSFET
SJ-MOSFET
trr
スーパージャンクションMOSFET
回生電流
転流損失
高効率インバータ

2017.04.25

SiC-MOSFETとは-IGBTとの違い

前回は、Si-MOSFETとの違いということで、SiC-MOSFETの駆動方法に関する2つのポイントについて説明しました。今回は、IGBTとの違いについて説明をします。 IGBTとの違い:Vd-Id特...

キーワード:
IGBT
Rg
Ron
SiC-MOSFET
SiC-SBD
Vd-Id特性
VDS
オン抵抗
ゲート抵抗
スイッチング損失
ダイオードリカバリ損失
テイル電流
リカバリ電流

2017.07.26

絶対最大定格内であることの確認

この章では、実動作において選択したトランジスタが適切であるか否かの判断のための方法と手順を説明しています。 今回は、右のフローチャートの②絶対最大定格内であることの確認、について説明します。 ...

キーワード:
IGBT
MOSFET
R6020EN
SiC-MOSFET
SJ-MOSFET
SOA
Tj
スーパージャンクションMOSFET
チップ温度
ディレーティング
安全動作領域
接合温度
絶対最大定格

2017.10.31

フルSiCパワーモジュールとは

新章の開始になります。SiC概要、SiC-SBD(ショットキーバリアダイオード)、SiC-MOSFETに続き、すべてをSiCパワーデバイスで構成した、「フルSiCパワーモジュール」について解説して行き...

キーワード:
IGBT
IGBTモジュール
SiC-MOSFET
SiC-SBD
トレンチ構造
フルSiCパワーモジュール
第3世代SiC-MOSFET

2017.06.13

設計に使う電源IC:SiC-MOSFET用に最適化

設計にあたって、最初に設計に使う電源ICについて説明します。「はじめに」に記したように、この章では、「疑似共振コンバータ」の設計と、パワートランジスタに「SiC-MOSFET」を使うという新しい2つの...

キーワード:
AC/DCコンバータ設計
Rg
SiC
SiC-MOSFET
SiCオン抵抗
VGS
ゲートドライブ
シリコンカーバイド
フォワード
フライバック
疑似共振コンバータ設計
絶縁AC/DCコンバータ設計

2017.08.30

SOA(安全動作領域)内であることの確認

この章では、実動作において選択したトランジスタが適切であるか否かの判断のための方法と手順を説明しています。 今回は、右のフローチャートの③SOA(安全動作領域)内であることの確認、について説明しま...

キーワード:
IGBT
MOSFET
R6020EN
SiC-MOSFET
SJ-MOSFET
SOA
SOA破壊
Tj
スーパージャンクションMOSFET
チップ温度
ディレーティング
安全動作領域
接合温度
絶対最大定格

2017.09.27

実使用温度でディレーティングしたSOA内であることの確認

この章では、実動作において選択したトランジスタが適切であるか否かの判断のための方法と手順を説明しています。 今回は、右のフローチャートの④使用雰囲気温度でディレーティングしたSOA内で...

キーワード:
IGBT
MOSFET
R6020EN
SiC-MOSFET
SJ-MOSFET
SOA
Ta
Tj
スーパージャンクションMOSFET
チップ温度
ディレーティング
安全動作領域
接合温度

2017.11.28

フルSiCパワーモジュールのスイッチング損失

フルSiCパワーモジュールは、既存のパワーモジュールとの比較においてSiC由来の優れた性能を持っています。今回は、従来のパワーモジュールの大きな課題とも言えるスイッチング損失について説明します。 フル...

キーワード:
IGBT
IGBTモジュール
SiC-MOSFET
SiC-SBD
スイッチング損失
トレンチ構造
フルSiCパワーモジュール
第3世代SiC-MOSFET

2017.04.25

MOSFETとIGBT両方の利点を備えたHybrid MOS

今回は、ロームがHybrid MOSと命名した、MOSFETとIGBT両方の利点を備えたMOSFETについて説明します。下図の一番下の赤い枠のポジションになります。 MOSFETとIGBTの優れた特...

キーワード:
Annual Performance Factor
APF
Hybrid MOS
IGBT
MOSFET
SiC-MOSFET
SJ-MOSFET
Tail 電流
スーパージャンクション MOSFET
テイル電流
ハイブリッド MOS
省エネ法

2017.05.30

SiC-MOSFETとは-ボディダイオード特性

前回は、IGBTとの違いについて説明しました。今回は、SiC-MOSFETのボディダイオードの順方向特性と逆回復特性について説明します。 SiC-MOSFETにかかわらずMOSFETには、図のよ...

キーワード:
Err
IGBT
irr
SiC-MOSFET
SiC-SBD
trr
Vd-Id特性
VF
スイッチング損失
ダイオードリカバリ損失
ボディダイオード
リカバリ電流
内部ダイオード
寄生ダイオード
順方向特性

2017.07.21

設計事例回路

前回は設計に使う電源ICについて説明しました。今回は、設計事例の回路について説明します。 擬似共振方式 前回説明したように、電源ICは、SiC-MOSFET駆動用AC/DCコンバータ制御ICであるBD...

キーワード:
AC/DCコンバータ設計
RCC
SiC
SiC-MOSFET
シリコンカーバイド
フライバック
擬似共振コンバータ設計
絶縁AC/DCコンバータ設計
自励式

2017.08.17

トランスT1の設計 その1

今回からここの回路定数などを算出して具体的な設計に入ります。最初はトランスT1の設計です。算出手順は以下となります。これは、「絶縁型フライバックコンバータ回路設計:トランス設計(数値算出)」とほぼ同じ...

キーワード:
AC/DCコンバータ設計
AC/DCトランス
SiC
SiC-MOSFET
シリコンカーバイド
トランス設計
フライバック
フライバックトランス
擬似共振コンバータ設計
絶縁AC/DCコンバータ設計

2017.10.30

平均消費電力が定格電力内であることの確認

この章では、実動作において選択したトランジスタが適切であるか否かの判断のための方法と手順を説明しています。 今回は、右のフローチャートの「⑥平均消費電力が定格電力内であることの確認」、...

キーワード:
IGBT
MOSFET
R6020EN
SiC-MOSFET
SJ-MOSFET
SOA
Ta
Tj
スイッチング動作
スーパージャンクションMOSFET
チップ温度
ディレーティング
安全動作領域
平均消費電力
接合温度
連続パルス

2017.07.25

SiC-MOSFETとは-トレンチ構造SiC-MOSFETと実際の製品

今回は、最新の第三世代SiC-MOSFETの説明と、現在、入手可能なSiC-MOSFETに関する情報を提供します。 独自のダブルトレンチ構造SiC-MOSFET SiC-MOSFETの進化は続いており...

キーワード:
Err
IGBT
irr
MOSFET入力容量
SiC-MOSFET
SiC-SBD
trr
Vd-Id特性
スイッチング損失
ダイオードリカバリ損失
ダブルトレンチ構造
トレンチ構造SiC-MOSFET
ボディダイオード
リカバリ電流
内部ダイオード
寄生ダイオード

2017.11.29

チップ温度の確認

この章では、実動作において選択したトランジスタが適切であるか否かの判断のための方法と手順を説明しています。 今回は、右のフローチャートにはないのですが、以下の箇条書きの⑦、「チップ温度...

キーワード:
IGBT
MOSFET
R6020EN
SiC-MOSFET
SJ-MOSFET
SOA
Ta
Tc
Tj
θca
θja
θjc
ケース温度
スーパージャンクションMOSFET
チップ温度
ディレーティング
パッケージ温度
ヒートシンク
安全動作領域
接合温度
放熱器
放熱板
消費電力
熱抵抗
熱計算

2017.09.12

トランスT1の設計 その2

前回の「トランスT1の設計 その1」では、下記の算出手順の①から③までを説明しました。今回は「その2」として、残りの④から⑥を算出し、トランスT1の設計を終えます。 ①フライバック電圧VORの設...

キーワード:
AC/DCコンバータ設計
AC/DCトランス
SiC
SiC-MOSFET
シリコンカーバイド
トランス設計
フライバック
フライバックトランス
擬似共振コンバータ設計
絶縁AC/DCコンバータ設計

2017.12.26

活用のポイント:ゲートドライブ その1

ここからは、フルSiCパワーモジュールの優れた性能を十分に活用するための検討をして行きます。今回はゲートドライブに関してで、「その1」としてゲートドライブの検討事項を、次回「その2」では対処方法を説明...

キーワード:
dV/dt
IGBT
IGBTモジュール
SiC-MOSFET
SiC-SBD
ゲートドライブ
ゲート容量
ゲート抵抗
ゲート誤オン
ゲート電圧持ち上がり
スイッチング速度
テール電流
ハイサイド
フルSiCパワーモジュール
リンギング
ローサイド
上アーム
下アーム
寄生容量
発振

2017.10.17

主要部品選定:MOSFET Q1

トランス設計が終わったので、電源ICのBD7682FJ-LBの周辺部品を中心とした部品選定に入ります。説明する部品の周辺回路を抜粋して提示しますが、回路全体をみることも必要なので、その際にはこちらを利...

キーワード:
AC/DCコンバータ設計
SCT2H12NY
SiC
SiC-MOSFET
シリコンカーバイド
擬似共振コンバータ設計
絶縁AC/DCコンバータ設計

2017.11.14

主要部品選定:入力コンデンサおよびバランス抵抗

前回のMOSFETの選定に続き、今回は入力コンデンサとバランス抵抗の定数を決めていきます。 主要部品選定:入力コンデンサC2、C3、C4 右の回路図は、全体から該当する入力部分を抜粋したものです。...

キーワード:
AC/DCコンバータ設計
SCT2H12NY
SiC
SiC-MOSFET
シリコンカーバイド
バランス抵抗
入力コンデンサ
擬似共振コンバータ設計
絶縁AC/DCコンバータ設計

2018.01.16

活用のポイント:ゲートドライブ その2

前回は、フルSiCモジュールのゲートドライブの検討事項として、「ゲート誤オン」について説明しました。今回はその2として、ゲート誤オンの対処方法を説明します。 「ゲート誤オン」の抑制方法 ゲートの誤オン...

キーワード:
CGS
dV/dt
IGBT
IGBTモジュール
SiC-MOSFET
SiC-SBD
ゲートドライブ
ゲートマイナスバイアス
ゲート容量
ゲート抵抗
ゲート誤オン
ゲート電圧持ち上がり
スイッチング速度
ハイサイド
フルSiCパワーモジュール
ミラークランプ
リンギング
ローサイド
上アーム
下アーム
発振
負電圧ゲートドライブ

2018.01.16

PFC(力率改善)とは-原理と回路:シングル/インタリーブ、BCM/CCM

ここからは、実際のアプリケーション回路において、ダイオードやトランジスタの特性や性能によってどのような違いや使い分けがあるのかを説明していきます。最初はPFC(力率改善)での例から始めますが、電子機器...

キーワード:
BCM
CCM
FRD
IGBT
MOSFET
PFC
SiC-MOSFET
SiC-SBD
SJ-MOSFET
アクティブPFC
インターリーブPFC
ショットキーバリアダイオード
スーパージャンクションMOSFET
パワーファクターコレクション
ファストリカバリダイオード
力率改善
臨界モード
連続モード

2017.08.29

SiC-MOSFETとは-SiC-MOSFETの活用事例

今回は、SiC-MOSFETの活用事例をいくつか示したいと思います。少し前の情報やプロトタイプレベルのものもありますが、SiC-MOSFETを利用することの利点や新たに実現できることの参考になるかと思...

キーワード:
IGBT
SiC-MOSFET
SiC-SBD
クライストロン
サイラトロン
トレンチ構造SiC-MOSFET
パルスパワー
パワーアシストテクノロジー
フェーズシフトDC/DCコンバータ
フルブリッジインバータ
ランダムパルス発生器
京都ニュートロニクス
福島SiC応用技研
科学技術振興機構

2017.12.12

主要部品選定:過負荷保護ポイントの切り替え設定抵抗

今回は、この設計に使用する電源IC固有の機能である、過負荷保護補正機能の設定に関する抵抗値を算出します。 主要部品選定: 過負荷保護ポイントの切り替え設定抵抗R20 最初に、過負荷保護ポイント切り...

キーワード:
AC/DCコンバータ設計
BD7682FJ
SCT2H12NY
SiC
SiC-MOSFET
シリコンカーバイド
擬似共振コンバータ設計
絶縁AC/DCコンバータ設計
過負荷保護ポイント

2018.01.16

主要部品選定:電源ICのVCC関連部品

今回は、この設計に使用する電源ICのVCCピンに関連する部品定数を決めて行きます。VCCピンは電源IC BD7682FJの電源ピンです。 BD7682FJの内部制御回路はVCCピンに印加される電圧...

キーワード:
1SS355VM
AC/DCコンバータ設計
BD7682FJ
RF05VAM2S
SCT2H12NY
SiC
SiC-MOSFET
VCC巻線用サージ電圧制限
VCC起動用抵抗
VCC電圧生成
シリコンカーバイド
スイッチングダイオード
ファストリカバリダイオード
擬似共振コンバータ設計
絶縁AC/DCコンバータ設計

2018.02.27

臨界モードPF : ダイオードによる効率向上の例

実際のアプリケーション回路では、ダイオードやトランジスタは特性や性能の違いによって使い分ける必要があります。パワー系アプリケーションでの主な使い分けの目的は、効率の向上にあります。今回はPFC(力率改...

キーワード:
BCM
CCM
FRD
IGBT
MOSFET
PFC
PFCシミュレーション
PFC効率
SiC-MOSFET
SiC-SBD
SJ-MOSFET
アクティブPFC
インターリーブPFC
ショットキーバリアダイオード
シングルPFC
スーパージャンクションMOSFET
パワーファクターコレクション
ファストリカバリダイオード
力率改善
臨界モード
連続モード

2018.02.27

活用のポイント:スナバコンデンサ

今回は、フルSiCモジュール活用のポイントとして、スナバコンデンサについて説明します。大電流を高速でスイッチングする回路では、スナバコンデンサの付加が必要になります。 スナバコンデンサとは スナバ...

キーワード:
IGBT
IGBTモジュール
SiC-MOSFET
SiC-SBD
フルSiCパワーモジュール

2017.12.26

まとめ

この章では、実動作において選択したトランジスタが適切であるか否かの判断のための方法と手順を説明してきました。今回は最後にまとめを行います。 右のフローチャートおよび下の箇条書きに従って、選択したト...

キーワード:
IGBT
MOSFET
R6020EN
SiC-MOSFET
SJ-MOSFET
SOA
Ta
Tc
Tj
θca
θja
θjc
ケース温度
スーパージャンクションMOSFET
チップ温度
ディレーティング
パッケージ温度
ヒートシンク
安全動作領域
接合温度
放熱器
放熱板
消費電力
熱抵抗
熱計算

2018.02.13

主要部品選定:電源ICのBO(ブラウンアウト)ピン関連部品

前回のVCCピン関連部品に続いて今回もこの設計に使用する電源ICのBOピンに関連する部品定数を決めて行きます。BOピンは、電源IC BD7682FJのブラウンアウト機能の設定ピンです。 ブラウンアウト...

キーワード:
AC/DCコンバータ設計
BD7682FJ
SCT2H12NY
SiC
SiC-MOSFET
VCC巻線用サージ電圧制限
VCC起動用抵抗
VCC電圧生成
シリコンカーバイド
ブラウンアウト
擬似共振コンバータ設計
絶縁AC/DCコンバータ設計

2017.09.26

SiC-MOSFETとは-SiC-MOSFETの信頼性

今回は、SiC-MOSFETの信頼性について説明します。ここでの情報やデータは、あくまでもロームのSiC-MOSFETに関するものです。また、SiCパワーデバイスはMOSFETにかかわらず、日進月歩で...

キーワード:
CSS TDDB
dV/dt破壊
ED-4701
EIAJ
ESD
High Temperature Gate Bias
HTGB
IGBT
JEITA
QBD
SiC-MOSFET
SiC-MOSFET信頼性
SiC-SBD
SiC信頼性
SiC信頼性試験
しきい値安定性
ゲート酸化膜
ボディダイオード通電劣化
宇宙線起因中性子耐量
短絡耐量
積層欠陥
経時絶縁破壊
静電気破壊耐量
高温ゲートバイアス

2018.03.13

主要部品選定:スナバ回路関連部品

今回は、電源IC BD7682FJの機能設定部品ではなく、電源回路にはよく利用するスナバ回路の構成部品と定数について説明します。スナバ回路は今回の擬似共振コンバータに限らず、別章で例示したフライバック...

キーワード:
AC/DCコンバータ設計
BD7682FJ
SCT2H12NY
SiC
SiC-MOSFET
TVSダイオード
クランプリップル電圧
クランプ電圧
サージサプレッサ
サージ抑制
シリコンカーバイド
スナバ
リーケージインダクタンス
入力サージ電圧
擬似共振コンバータ設計
漏れインダクタンス
絶縁AC/DCコンバータ設計

2018.03.27

電流連続モードPFC : ダイオードによる効率向上の例

前回の臨界モードPFCの例に続いて、今回は電流連続モードPFCでの、ダイオードの特性の違いによる効率の違いを示します。 ダイオードによる電流連続モードPFC回路の効率改善の例 これは、以前にPFCの説...

キーワード:
BCM
CCM
FRD
IGBT
MOSFET
PFC
PFCシミュレーション
PFC効率
SiC-MOSFET
SiC-SBD
SJ-MOSFET
アクティブPFC
インターリーブPFC
ショットキーバリアダイオード
シングルPFC
スーパージャンクションMOSFET
パワーファクターコレクション
ファストリカバリダイオード
力率改善
臨海モード
電流連続モード

2018.03.27

活用のポイント: 専用ゲートドライバとスナバモジュールの効果

今回は、フルSiCモジュール活用のポイントとして、前回取り上げたスナバコンデンサに加えて、専用ゲートドライバを利用した場合のスイッチング特性の改善について説明します。 フルSiCモジュールのドライブ仕...

キーワード:
IGBT
IGBTモジュール
SiC-MOSFET
SiC-SBD
SiCゲートドライバボード
SiC専用ゲートドライバ
スナバ
セラミックコンデンサスナバモジュール
フルSiCパワーモジュール

2018.04.10

主要部品選定:MOSFETゲートドライブ調整回路

今回は、電源IC BD7682FJの外付けMOSFETのスイッチングを調整する部品と調整方法についてです。 MOSFETゲートドライブ調整回路:R16、R17、R18、D17 外付けMOSFET Q1...

キーワード:
AC/DCコンバータ設計
BD7682FJ
MOSFET調整回路
SCT2H12NY
SiC
SiC-MOSFET
ゲートドライバ
ゲートドライブ
ゲートドライブ調整回路
ゲート調整回路
シリコンカーバイド
擬似共振コンバータ設計
絶縁AC/DCコンバータ設計

2018.04.24

LED照明回路 : MOSFETによる効率向上とノイズ低減の例

今回から、具体的なアプリケーションにおける効率などの改善例を示します。 LED照明回路(臨界モードPFC+DC/DC):MOSFETによる効率向上とノイズ低減の例 以下の回路は、実際のLED照明回路の...

キーワード:
BCM
CCM
DC/DCコンバータ 効率
IGBT
MOSFET
MOSFET 効率
PFC
PFC効率
PFC効率改善
SiC-MOSFET
SJ-MOSFET
アクティブPFC
スーパージャンクションMOSFET
パワーファクターコレクション
力率改善
臨界モード
連続モード

2018.05.15

主要部品選定:出力整流ダイオード

今回は二次側(出力)のスイッチング電圧をDCに整流するダイオードの定数計算です。 出力整流ダイオード:ND1 最初に回路図について説明をします。出力整流ダイオードND1は、右の回路図の濃い青色のダ...

キーワード:
AC/DCコンバータ設計
BD7682FJ
SCT2H12NY
SCT2H12NZ
SiC
SiC-MOSFET
ショットキーバリアダイオード
シリコンカーバイド
ファストリカバリダイオード
出力整流ダイオード
擬似共振コンバータ設計
絶縁AC/DCコンバータ設計
電圧マージン

2018.04.24

サポートツール: フルSiCモジュール損失シミュレータ

今回は、フルSiCモジュールを使った設計や評価のサポートツールを紹介します。 フルSiCモジュール損失シミュレータ フルSiCモジュールの検討や選択に利用できる、損失シミュレータが無償提供されています...

キーワード:
IGBT
IGBTモジュール
SiC-MOSFET
SiC-SBD
SiCモジュール評価用スナバモジュール
フライバック電源内蔵 2chゲートドライバ リファレンスボード
フルSiCパワーモジュール
フルSiCモジュール シミュレーション
フルSiCモジュールサポートツール
フルSiCモジュール損失
フルSiCモジュール評価用ゲートドライブボード

2018.07.17

エアコン用PFC回路 : MOSFETとダイオードによる効率向上の例

前回はLED照明回路の効率向上とノイズ低減の例を示しましたが、今回はエアコンの例です。近年は通年のエネルギー消費率を示すAPF(Annual Performance Factor)が問われるため、エア...

キーワード:
BCM
CCM
IGBT
MOSFET
PFC
PFC効率
PFC効率改善
SiC-MOSFET
SiC-SBD
SJ-MOSFET
アクティブPFC
スーパージャンクションMOSFET
パワーファクターコレクション
力率改善
臨界モード
連続モード

2018.07.17

まとめ

今回は、最終回として、SiCの物性、SiC-SBD(ショットキーバリアダイオード)、SiC-MOSFET、フルSiCパワーモジュールのキーポイントをまとめました。 <はじめに> ▶はじ...

キーワード:
IGBT
IGBTモジュール
SiC-MOSFET
SiC-SBD
SiCショットキーバリアダイオード
フルSiCパワーモジュール

2018.08.07

まとめ

今回で、Siパワーデバイス基礎編は最後になります。Si系のパワー素子として、整流ダイオード、ショットキーバリアダイオード、ファストリカバリダイオード、MOSFET、スーパージャンクションMOSFET、...

キーワード:
BCM
CCM
FRD
HybridMOS
IGBT
MOSFET
PFC
PFC効率改善
PrestoMOS
SiC-MOSFET
SiC-SBD
SJ-MOSFET
SOA
アクティブPFC
ショットキーバリアダイオード
スーパージャンクションMOSFET
ディレーティング
パワーファクターコレクション
ファストリカバリダイオード
力率改善
臨界モード
連続モード

2018.08.28

主要部品選定:電流検出抵抗および各検出用端子関連部品

今回は、電源ICが降圧および安定化制御を行うための各検出用端子に必要な部品についてです。 最初に電源IC、BD7682FJの検出用端子の機能について確認します。BD7682FJは、FB端子、ZT端...

キーワード:
AC/DCコンバータ設計
BD7682FJ
FBピン
FB端子
Rsense
SCT2H12NY
SCT2H12NZ
SiC
SiC-MOSFET
シリコンカーバイド
ゼロ電流検出
ノイズ用コンデンサ
安定用コンデンサ
擬似共振コンバータ設計
絶縁AC/DCコンバータ設計
電流検出抵抗
電流検出抵抗計算

2018.10.16

基板レイアウト例

前回までで、部品選択が終わりましたので、今回は今まで説明してきた回路の基板レイアウト例を見ていただこうと思います。 SiC-MOSFETを使った絶縁型擬似共振コンバータの基板レイアウト例 以下に、スル...

キーワード:
AC/DCコンバータ基板レイアウト
AC/DCコンバータ基板設計
AC/DCコンバータ設計
BD7682FJ
SCT2H12NY
SCT2H12NZ
SiC
SiC-MOSFET
シリコンカーバイド
スイッチング電源基板レイアウト
基板レイアウト
擬似共振コンバータ設計
絶縁AC/DCコンバータ設計

2018.11.13

事例回路と部品リスト

ここまで、例示した回路の各部品選択のポイント、定数の算出、基板レイアウト例を示してきましたが、最後に例示した回路で効率と波形を確認し評価を行います。今回は、回路全体と全部品リストを示します。 部品...

キーワード:
AC/DCコンバータ基板レイアウト
AC/DCコンバータ基板設計
AC/DCコンバータ設計
BD7682FJ
SCT2H12NY
SCT2H12NZ
SiC
SiC-MOSFET
シリコンカーバイド
スイッチング電源基板レイアウト
基板レイアウト
擬似共振コンバータ設計
絶縁AC/DCコンバータ設計

2018.12.11

評価結果:効率とスイッチング波形

ここまで例として説明してきた回路の評価として、効率とスイッチング波形を確認した結果を示します。回路全体は前回を参照願います。 効率の評価 効率の評価結果として、3種類の入力電圧における効率と出力電力、...

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AC/DCコンバータ設計
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擬似共振コンバータ効率
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擬似共振コンバータ設計
絶縁AC/DCコンバータ設計

2019.04.16

まとめ

ここまで19回にわたり説明してきた「SiC-MOSFETを使った絶縁型擬似共振コンバータの設計事例」は、今回のまとめをもって最後になります。 この設計事例には2つの大きなポイントがあります。1つは、パ...

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AC/DCコンバータ設計
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擬似共振コンバータ設計
絶縁AC/DCコンバータ設計

2020.01.28

はじめに

SiCパワーデバイス基礎知識応用編の第一弾、「SiC MOSFET:ブリッジ構成におけるゲート-ソース間電圧の挙動」をスタートします。 はじめに MOSFETやIGBTなどのパワースイッチングデバイス...

キーワード:
IGBT
SiC-MOSFET
スイッチング素子
パワーデバイス
ブリッジ接続
同期方式boost回路
同期方式ブースト回路

2020.03.31

SiC MOSFETのブリッジ構成

「SiC MOSFET:ブリッジ構成におけるゲート-ソース間電圧の挙動」を考察していくに当たって、今回はその前提となるブリッジ構成と動作に関する説明をします。 SiC MOSFETのブリッジ構成 以下...

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