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キーワード:SiC-SBD

2016.04.07

パワー系アプリケーションの損失低減と小型の鍵:パワー系ダイオードで損失が最も小さいSiC-SBD

ロームは、高耐圧と大電流を扱う回路に最適なSiC(シリコンカーバイド)材料を用いたSBD(ショットキーバリアダイオード)の開発を推進しています。2010年に国内初となるSiCによるSBDの量産を開始し...

キーワード:
FRD
PFC
SiC
SiC-SBD
trr
ショットキーバリアダイオード
シリコンカーバイド
スイッチング損失
ファストリカバリダイオード
力率改善
温度特性
逆回復時間
順方向電圧

2016.04.07

パワー系アプリケーションの損失低減と小型の鍵:SiC-SBDのラインアップは650V / 1200V、5A~40Aで車載対応

ロームは、高耐圧と大電流を扱う回路に最適なSiC(シリコンカーバイド)材料を用いたSBD(ショットキーバリアダイオード)の開発を推進しています。2010年に国内初となるSiCによるSBDの量産を開始し...

キーワード:
FRD
PFC
SiC
SiC-SBD
trr
ショットキーバリアダイオード
シリコンカーバイド
スイッチング損失
ファストリカバリダイオード
力率改善
温度特性
逆回復時間
順方向電圧

2016.05.31

SiC-SBDとは-特徴とSiダイオードとの比較

SiCパワーデバイスの概要に続いて、ここからは具体的なデバイスについて説明して行きます。まずはSiCショットキーバリアダイオードからです。 SiCショットキーバリアダイオードとSiショットキーバ...

キーワード:
FRD
PND
PN接合ダイオード
SiC
SiC-SBD
SiCショットキーバリアダイオード
ファストリカバリダイオード

2016.06.28

SiC-SBDとは-Si-PNDとの逆回復特性比較

前回はSiC-SBDとSi-PNDの特徴の比較を行いました。今回は、SiC-SBDとSi-PNDの逆回復特性の比較をしたいと思います。逆回復特性は、ダイオード、特に高速タイプのダイオードでは基本的かつ...

キーワード:
FRD
PN接合ダイオード
SiC-SBD
SiCショットキーバリアダイオード
trr
ファストリカバリダイオード
多数キャリア
少数キャリア
逆回復時間
逆回復電流

2016.08.30

SiC-SBDとは-Si-PNDとの順方向電圧比較

前回は、SiC-SBDとSi-PNDの逆回復特性の比較を行いました。続いて、ダイオードの最も基本となる特性である、順方向電圧VFの特性の違いについて説明します。 SiC-SBDとSi-PNDの順方向電...

キーワード:
FRD
PN接合ダイオード
SiC-SBD
SiCショットキーバリアダイオード
VF
ファストリカバリダイオード
順方向電圧

2016.08.30

SiC-SBDの進化

ここまでは、SiC-SBDを理解するために、Siダイオードを比較対象として特性の説明をしてきました。その中で、SiC-SBD自体も第2世代へと進化し、性能が向上しているという話をしてきましたが、第3世...

キーワード:
IFSM
IR
SiC-SBD
SiCショットキーバリアダイオード
VF
サージ電流耐量
リーク電流
逆方向電流
順方向電圧

2016.09.28

SiC-SBDを使うメリット

SiC-SBDについて、その特性とSiダイオードとの比較、現状入手可能な製品について説明してきました。今回は、今までのまとめをしながら、SiC-SBDのメリットを考察したいと思います。 SiC-SBD...

キーワード:
IFSM
IR
SiC-SBD
SiCショットキーバリアダイオード
VF
サージ電流耐量
リーク電流
逆方向電流
順方向電圧

2016.11.29

SiC-SBDとは-信頼性試験について

半導体デバイスの評価を行う際には、電気的および機械的仕様と性能はもちろん、信頼性も重要な要素になります。特に、パワーデバイスは大きな電力を扱うことが前提であり、十分な信頼性を備えている必要があります。...

キーワード:
ED-4701
JEITA
SiC-SBD
SiCショットキーバリアダイオード
SiC信頼性
SiC信頼性試験

2016.12.20

SiC-MOSFETとは-特徴

前回で終了したSiC-SBDに続いて、SiC-MOSFETに関する説明に入ります。電力変換回路におけるトランジスタの役割は重要で、低損失とアプリケーションサイズの小型化のために様々な改良が図られていま...

キーワード:
BV
BVDS
Eoff
Eon
Err
IGBT
RonA
SiC
SiC-MOSFET
SiC-SBD
オフ時の損失
スイッチング周波数
リカバリ損失
単位面積当たりのオン抵抗
規格化オン抵抗
高周波化

2017.02.10

SiC-MOSFETとは-パワートランジスタの構造と特徴の比較

前回に続いて、各パワートランジスタの比較を行います。今回は構造と特徴を比較します。 パワートランジスタの構造と特徴の比較 以下の図は、各パワートランジスタの構造と、耐圧、オン抵抗、スイッチングスピード...

キーワード:
DMOS
IGBT
SiC-DMOS
SiC-MOSFET
SiC-SBD
super junction
スーパージャンクションMOSFET
トレンチ構造

2017.02.28

SiC-MOSFETとは-Si-MOSFETとの違い

ここからは、SiC-MOSFETと他のパワートランジスタとの比較を個別にして行きます。 今回は、Si-MOSFETとの違いについて説明します。まだSiC-MOSFETを使ったことのない方は、個々のパラ...

キーワード:
IGBT
Rg
Ron
SiC-MOSFET
SiC-SBD
VGS
オン抵抗
ゲートサージ
ゲートドライバ
ゲート抵抗
ゲート電圧
サージ対策

2017.04.25

SiC-MOSFETとは-IGBTとの違い

前回は、Si-MOSFETとの違いということで、SiC-MOSFETの駆動方法に関する2つのポイントについて説明しました。今回は、IGBTとの違いについて説明をします。 IGBTとの違い:Vd-Id特...

キーワード:
IGBT
Rg
Ron
SiC-MOSFET
SiC-SBD
Vd-Id特性
VDS
オン抵抗
ゲート抵抗
スイッチング損失
ダイオードリカバリ損失
テイル電流
リカバリ電流

2017.10.31

フルSiCパワーモジュールとは

新章の開始になります。SiC概要、SiC-SBD(ショットキーバリアダイオード)、SiC-MOSFETに続き、すべてをSiCパワーデバイスで構成した、「フルSiCパワーモジュール」について解説して行き...

キーワード:
IGBT
IGBTモジュール
SiC-MOSFET
SiC-SBD
トレンチ構造
フルSiCパワーモジュール
第3世代SiC-MOSFET

2017.11.28

フルSiCパワーモジュールのスイッチング損失

フルSiCパワーモジュールは、既存のパワーモジュールとの比較においてSiC由来の優れた性能を持っています。今回は、従来のパワーモジュールの大きな課題とも言えるスイッチング損失について説明します。 フル...

キーワード:
IGBT
IGBTモジュール
SiC-MOSFET
SiC-SBD
スイッチング損失
トレンチ構造
フルSiCパワーモジュール
第3世代SiC-MOSFET

2017.05.30

SiC-MOSFETとは-ボディダイオード特性

前回は、IGBTとの違いについて説明しました。今回は、SiC-MOSFETのボディダイオードの順方向特性と逆回復特性について説明します。 SiC-MOSFETにかかわらずMOSFETには、図のよ...

キーワード:
Err
IGBT
irr
SiC-MOSFET
SiC-SBD
trr
Vd-Id特性
VF
スイッチング損失
ダイオードリカバリ損失
ボディダイオード
リカバリ電流
内部ダイオード
寄生ダイオード
順方向特性

2017.07.25

SiC-MOSFETとは-トレンチ構造SiC-MOSFETと実際の製品

今回は、最新の第三世代SiC-MOSFETの説明と、現在、入手可能なSiC-MOSFETに関する情報を提供します。 独自のダブルトレンチ構造SiC-MOSFET SiC-MOSFETの進化は続いており...

キーワード:
Err
IGBT
irr
MOSFET入力容量
SiC-MOSFET
SiC-SBD
trr
Vd-Id特性
スイッチング損失
ダイオードリカバリ損失
ダブルトレンチ構造
トレンチ構造SiC-MOSFET
ボディダイオード
リカバリ電流
内部ダイオード
寄生ダイオード

2017.12.26

活用のポイント:ゲートドライブ その1

ここからは、フルSiCパワーモジュールの優れた性能を十分に活用するための検討をして行きます。今回はゲートドライブに関してで、「その1」としてゲートドライブの検討事項を、次回「その2」では対処方法を説明...

キーワード:
dV/dt
IGBT
IGBTモジュール
SiC-MOSFET
SiC-SBD
ゲートドライブ
ゲート容量
ゲート抵抗
ゲート誤オン
ゲート電圧持ち上がり
スイッチング速度
テール電流
ハイサイド
フルSiCパワーモジュール
リンギング
ローサイド
上アーム
下アーム
寄生容量
発振

2018.01.16

活用のポイント:ゲートドライブ その2

前回は、フルSiCモジュールのゲートドライブの検討事項として、「ゲート誤オン」について説明しました。今回はその2として、ゲート誤オンの対処方法を説明します。 「ゲート誤オン」の抑制方法 ゲートの誤オン...

キーワード:
CGS
dV/dt
IGBT
IGBTモジュール
SiC-MOSFET
SiC-SBD
ゲートドライブ
ゲートマイナスバイアス
ゲート容量
ゲート抵抗
ゲート誤オン
ゲート電圧持ち上がり
スイッチング速度
ハイサイド
フルSiCパワーモジュール
ミラークランプ
リンギング
ローサイド
上アーム
下アーム
発振
負電圧ゲートドライブ

2018.01.16

PFC(力率改善)とは-原理と回路:シングル/インタリーブ、BCM/CCM

ここからは、実際のアプリケーション回路において、ダイオードやトランジスタの特性や性能によってどのような違いや使い分けがあるのかを説明していきます。最初はPFC(力率改善)での例から始めますが、電子機器...

キーワード:
BCM
CCM
FRD
IGBT
MOSFET
PFC
SiC-MOSFET
SiC-SBD
SJ-MOSFET
アクティブPFC
インターリーブPFC
ショットキーバリアダイオード
スーパージャンクションMOSFET
パワーファクターコレクション
ファストリカバリダイオード
力率改善
臨界モード
連続モード

2017.08.29

SiC-MOSFETとは-SiC-MOSFETの活用事例

今回は、SiC-MOSFETの活用事例をいくつか示したいと思います。少し前の情報やプロトタイプレベルのものもありますが、SiC-MOSFETを利用することの利点や新たに実現できることの参考になるかと思...

キーワード:
IGBT
SiC-MOSFET
SiC-SBD
クライストロン
サイラトロン
トレンチ構造SiC-MOSFET
パルスパワー
パワーアシストテクノロジー
フェーズシフトDC/DCコンバータ
フルブリッジインバータ
ランダムパルス発生器
京都ニュートロニクス
福島SiC応用技研
科学技術振興機構

2018.02.27

臨界モードPF : ダイオードによる効率向上の例

実際のアプリケーション回路では、ダイオードやトランジスタは特性や性能の違いによって使い分ける必要があります。パワー系アプリケーションでの主な使い分けの目的は、効率の向上にあります。今回はPFC(力率改...

キーワード:
BCM
CCM
FRD
IGBT
MOSFET
PFC
PFCシミュレーション
PFC効率
SiC-MOSFET
SiC-SBD
SJ-MOSFET
アクティブPFC
インターリーブPFC
ショットキーバリアダイオード
シングルPFC
スーパージャンクションMOSFET
パワーファクターコレクション
ファストリカバリダイオード
力率改善
臨界モード
連続モード

2018.02.27

活用のポイント:スナバコンデンサ

今回は、フルSiCモジュール活用のポイントとして、スナバコンデンサについて説明します。大電流を高速でスイッチングする回路では、スナバコンデンサの付加が必要になります。 スナバコンデンサとは スナバ...

キーワード:
IGBT
IGBTモジュール
SiC-MOSFET
SiC-SBD
フルSiCパワーモジュール

2017.09.26

SiC-MOSFETとは-SiC-MOSFETの信頼性

今回は、SiC-MOSFETの信頼性について説明します。ここでの情報やデータは、あくまでもロームのSiC-MOSFETに関するものです。また、SiCパワーデバイスはMOSFETにかかわらず、日進月歩で...

キーワード:
CSS TDDB
dV/dt破壊
ED-4701
EIAJ
ESD
High Temperature Gate Bias
HTGB
IGBT
JEITA
QBD
SiC-MOSFET
SiC-MOSFET信頼性
SiC-SBD
SiC信頼性
SiC信頼性試験
しきい値安定性
ゲート酸化膜
ボディダイオード通電劣化
宇宙線起因中性子耐量
短絡耐量
積層欠陥
経時絶縁破壊
静電気破壊耐量
高温ゲートバイアス

2018.03.27

電流連続モードPFC : ダイオードによる効率向上の例

前回の臨界モードPFCの例に続いて、今回は電流連続モードPFCでの、ダイオードの特性の違いによる効率の違いを示します。 ダイオードによる電流連続モードPFC回路の効率改善の例 これは、以前にPFCの説...

キーワード:
BCM
CCM
FRD
IGBT
MOSFET
PFC
PFCシミュレーション
PFC効率
SiC-MOSFET
SiC-SBD
SJ-MOSFET
アクティブPFC
インターリーブPFC
ショットキーバリアダイオード
シングルPFC
スーパージャンクションMOSFET
パワーファクターコレクション
ファストリカバリダイオード
力率改善
臨海モード
電流連続モード

2018.03.27

活用のポイント: 専用ゲートドライバとスナバモジュールの効果

今回は、フルSiCモジュール活用のポイントとして、前回取り上げたスナバコンデンサに加えて、専用ゲートドライバを利用した場合のスイッチング特性の改善について説明します。 フルSiCモジュールのドライブ仕...

キーワード:
IGBT
IGBTモジュール
SiC-MOSFET
SiC-SBD
SiCゲートドライバボード
SiC専用ゲートドライバ
スナバ
セラミックコンデンサスナバモジュール
フルSiCパワーモジュール

2018.04.24

サポートツール: フルSiCモジュール損失シミュレータ

今回は、フルSiCモジュールを使った設計や評価のサポートツールを紹介します。 フルSiCモジュール損失シミュレータ フルSiCモジュールの検討や選択に利用できる、損失シミュレータが無償提供されています...

キーワード:
IGBT
IGBTモジュール
SiC-MOSFET
SiC-SBD
SiCモジュール評価用スナバモジュール
フライバック電源内蔵 2chゲートドライバ リファレンスボード
フルSiCパワーモジュール
フルSiCモジュール シミュレーション
フルSiCモジュールサポートツール
フルSiCモジュール損失
フルSiCモジュール評価用ゲートドライブボード

2018.07.17

エアコン用PFC回路 : MOSFETとダイオードによる効率向上の例

前回はLED照明回路の効率向上とノイズ低減の例を示しましたが、今回はエアコンの例です。近年は通年のエネルギー消費率を示すAPF(Annual Performance Factor)が問われるため、エア...

キーワード:
BCM
CCM
IGBT
MOSFET
PFC
PFC効率
PFC効率改善
SiC-MOSFET
SiC-SBD
SJ-MOSFET
アクティブPFC
スーパージャンクションMOSFET
パワーファクターコレクション
力率改善
臨界モード
連続モード

2018.07.17

まとめ

今回は、最終回として、SiCの物性、SiC-SBD(ショットキーバリアダイオード)、SiC-MOSFET、フルSiCパワーモジュールのキーポイントをまとめました。 <はじめに> ▶はじ...

キーワード:
IGBT
IGBTモジュール
SiC-MOSFET
SiC-SBD
SiCショットキーバリアダイオード
フルSiCパワーモジュール

2018.08.07

まとめ

今回で、Siパワーデバイス基礎編は最後になります。Si系のパワー素子として、整流ダイオード、ショットキーバリアダイオード、ファストリカバリダイオード、MOSFET、スーパージャンクションMOSFET、...

キーワード:
BCM
CCM
FRD
HybridMOS
IGBT
MOSFET
PFC
PFC効率改善
PrestoMOS
SiC-MOSFET
SiC-SBD
SJ-MOSFET
SOA
アクティブPFC
ショットキーバリアダイオード
スーパージャンクションMOSFET
ディレーティング
パワーファクターコレクション
ファストリカバリダイオード
力率改善
臨界モード
連続モード