電源設計の技術情報サイト
2017.05.30
2017.02.10
前回、近年の主要パワートランジスタである、Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFETのポジショニングを確認し、近年の高耐圧Si-MOSFETの代表格であるスーパージャンクションMOSFET(以...
2017.02.28
2017.07.26
2017.08.30
2017.09.27
2017.04.25
今回は、ロームがHybrid MOSと命名した、MOSFETとIGBT両方の利点を備えたMOSFETについて説明します。下図の一番下の赤い枠のポジションになります。 MOSFETとIGBTの優れた特...
2017.10.30
2017.11.29
2018.01.16
ここからは、実際のアプリケーション回路において、ダイオードやトランジスタの特性や性能によってどのような違いや使い分けがあるのかを説明していきます。最初はPFC(力率改善)での例から始めますが、電子機器...
2018.02.27
実際のアプリケーション回路では、ダイオードやトランジスタは特性や性能の違いによって使い分ける必要があります。パワー系アプリケーションでの主な使い分けの目的は、効率の向上にあります。今回はPFC(力率改...
2017.12.26
2018.03.27
前回の臨界モードPFCの例に続いて、今回は電流連続モードPFCでの、ダイオードの特性の違いによる効率の違いを示します。 ダイオードによる電流連続モードPFC回路の効率改善の例 これは、以前にPFCの説...
2018.04.24
今回から、具体的なアプリケーションにおける効率などの改善例を示します。 LED照明回路(臨界モードPFC+DC/DC):MOSFETによる効率向上とノイズ低減の例 以下の回路は、実際のLED照明回路の...
2018.07.17
2018.08.07
今回で、Siパワーデバイス基礎編は最後になります。Si系のパワー素子として、整流ダイオード、ショットキーバリアダイオード、ファストリカバリダイオード、MOSFET、スーパージャンクションMOSFET、...
2020.07.28
今回は、何種類かのMOSFETを用いたダブルパルス試験の結果を基に、リカバリ特性の考察をします。この評価における試験回路は、前回示した基本回路図を用いています。また、確認のための動作も同様に前回示した...