SJ-MOSFET ｜電源設計の技術情報サイトのTechWeb

2017.05.30

実動作における適性確認と準備

ここから、新章となる「実動作における適性確認」に入ります。回路設計では通常、その回路の要求に基づき対応可能なトランジスタを、データシートの仕様を参照して選択します。しかしながら、実際に試作してみると、...

キーワード：: IGBT; MOSFET; R6020EN; SiC-MOSFET; SJ-MOSFET; SOA; Tj; スーパージャンクションMOSFET; チップ温度; ディレーティング; 安全動作領域; 接合温度; 絶対最大定格

2017.02.10

MOSFETとは－高耐圧スーパージャンクションMOSFETの種類と特徴

前回、近年の主要パワートランジスタである、Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFETのポジショニングを確認し、近年の高耐圧Si-MOSFETの代表格であるスーパージャンクションMOSFET（以...

キーワード：: ANシリーズ; ENシリーズ; FNシリーズ; IGBT; MOSFET; SiC-MOSFET; SJ-MOSFET; スーパージャンクションMOSFET; プレーナーMOSFET

2017.02.28

MOSFETとは－高速trr SJ-MOSFET : PrestoMOS ™

前回は、ロームのSJ-MOSFETのラインアップから、標準ANシリーズ、低ノイズENシリーズ、高速KNシリーズを例としてSJ-MOSFETの特徴について説明しました。今回は、SJ-MOSFETのtrr...

キーワード：: A・Ron; FNシリーズ; IGBT; MNシリーズ; MOSFET; Ron・Qg; SiC-MOSFET; SJ-MOSFET; trr; スーパージャンクションMOSFET; 回生電流; 転流損失; 高効率インバータ

2017.07.26

絶対最大定格内であることの確認

この章では、実動作において選択したトランジスタが適切であるか否かの判断のための方法と手順を説明しています。今回は、右のフローチャートの②絶対最大定格内であることの確認、について説明します。 ...

キーワード：: IGBT; MOSFET; R6020EN; SiC-MOSFET; SJ-MOSFET; SOA; Tj; スーパージャンクションMOSFET; チップ温度; ディレーティング; 安全動作領域; 接合温度; 絶対最大定格

2017.08.30

SOA（安全動作領域）内であることの確認

この章では、実動作において選択したトランジスタが適切であるか否かの判断のための方法と手順を説明しています。今回は、右のフローチャートの③SOA（安全動作領域）内であることの確認、について説明しま...

キーワード：: IGBT; MOSFET; R6020EN; SiC-MOSFET; SJ-MOSFET; SOA; SOA破壊; Tj; スーパージャンクションMOSFET; チップ温度; ディレーティング; 安全動作領域; 接合温度; 絶対最大定格

2017.09.27

実使用温度でディレーティングしたSOA内であることの確認

この章では、実動作において選択したトランジスタが適切であるか否かの判断のための方法と手順を説明しています。今回は、右のフローチャートの④使用雰囲気温度でディレーティングしたSOA内で...

キーワード：: IGBT; MOSFET; R6020EN; SiC-MOSFET; SJ-MOSFET; SOA; Ta; Tj; スーパージャンクションMOSFET; チップ温度; ディレーティング; 安全動作領域; 接合温度

2017.04.25

MOSFETとIGBT両方の利点を備えたHybrid MOS

今回は、ロームがHybrid MOSと命名した、MOSFETとIGBT両方の利点を備えたMOSFETについて説明します。下図の一番下の赤い枠のポジションになります。 MOSFETとIGBTの優れた特...

キーワード：: Annual Performance Factor; APF; Hybrid MOS; IGBT; MOSFET; SiC-MOSFET; SJ-MOSFET; Tail 電流; スーパージャンクション MOSFET; テイル電流; ハイブリッド MOS; 省エネ法

2017.10.30

平均消費電力が定格電力内であることの確認

この章では、実動作において選択したトランジスタが適切であるか否かの判断のための方法と手順を説明しています。今回は、右のフローチャートの「⑥平均消費電力が定格電力内であることの確認」、...

キーワード：: IGBT; MOSFET; R6020EN; SiC-MOSFET; SJ-MOSFET; SOA; Ta; Tj; スイッチング動作; スーパージャンクションMOSFET; チップ温度; ディレーティング; 安全動作領域; 平均消費電力; 接合温度; 連続パルス

2017.11.29

チップ温度の確認

この章では、実動作において選択したトランジスタが適切であるか否かの判断のための方法と手順を説明しています。今回は、右のフローチャートにはないのですが、以下の箇条書きの⑦、「チップ温度...

キーワード：: IGBT; MOSFET; R6020EN; SiC-MOSFET; SJ-MOSFET; SOA; Ta; Tc; Tj; θca; θja; θjc; ケース温度; スーパージャンクションMOSFET; チップ温度; ディレーティング; パッケージ温度; ヒートシンク; 安全動作領域; 接合温度; 放熱器; 放熱板; 消費電力; 熱抵抗; 熱計算

2018.01.16

PFC(力率改善)とは－原理と回路:シングル/インタリーブ、BCM/CCM

ここからは、実際のアプリケーション回路において、ダイオードやトランジスタの特性や性能によってどのような違いや使い分けがあるのかを説明していきます。最初はPFC（力率改善）での例から始めますが、電子機器...

キーワード：: BCM; CCM; FRD; IGBT; MOSFET; PFC; SiC-MOSFET; SiC-SBD; SJ-MOSFET; アクティブPFC; インターリーブPFC; ショットキーバリアダイオード; スーパージャンクションMOSFET; パワーファクターコレクション; ファストリカバリダイオード; 力率改善; 臨界モード; 連続モード

2018.02.27

臨界モードPF : ダイオードによる効率向上の例

実際のアプリケーション回路では、ダイオードやトランジスタは特性や性能の違いによって使い分ける必要があります。パワー系アプリケーションでの主な使い分けの目的は、効率の向上にあります。今回はPFC（力率改...

2017.12.26

まとめ

この章では、実動作において選択したトランジスタが適切であるか否かの判断のための方法と手順を説明してきました。今回は最後にまとめを行います。右のフローチャートおよび下の箇条書きに従って、選択したト...

キーワード：: IGBT; MOSFET; R6020EN; SiC-MOSFET; SJ-MOSFET; SOA; Ta; Tc; Tj; θca; θja; θjc; ケース温度; スーパージャンクションMOSFET; チップ温度; ディレーティング; パッケージ温度; ヒートシンク; 安全動作領域; 接合温度; 放熱器; 放熱板; 消費電力; 熱抵抗; 熱計算

2018.03.27

電流連続モードPFC : ダイオードによる効率向上の例

前回の臨界モードPFCの例に続いて、今回は電流連続モードPFCでの、ダイオードの特性の違いによる効率の違いを示します。ダイオードによる電流連続モードPFC回路の効率改善の例これは、以前にPFCの説...

2018.04.24

LED照明回路 : MOSFETによる効率向上とノイズ低減の例

今回から、具体的なアプリケーションにおける効率などの改善例を示します。 LED照明回路（臨界モードPFC＋DC/DC）：MOSFETによる効率向上とノイズ低減の例以下の回路は、実際のLED照明回路の...

キーワード：: BCM; CCM; DC/DCコンバータ効率; IGBT; MOSFET; MOSFET 効率; PFC; PFC効率; PFC効率改善; SiC-MOSFET; SJ-MOSFET; アクティブPFC; スーパージャンクションMOSFET; パワーファクターコレクション; 力率改善; 臨界モード; 連続モード

2018.07.17

エアコン用PFC回路 : MOSFETとダイオードによる効率向上の例

前回はLED照明回路の効率向上とノイズ低減の例を示しましたが、今回はエアコンの例です。近年は通年のエネルギー消費率を示すAPF（Annual Performance Factor）が問われるため、エア...

キーワード：: BCM; CCM; IGBT; MOSFET; PFC; PFC効率; PFC効率改善; SiC-MOSFET; SiC-SBD; SJ-MOSFET; アクティブPFC; スーパージャンクションMOSFET; パワーファクターコレクション; 力率改善; 臨界モード; 連続モード

2018.08.07

まとめ

今回で、Siパワーデバイス基礎編は最後になります。Si系のパワー素子として、整流ダイオード、ショットキーバリアダイオード、ファストリカバリダイオード、MOSFET、スーパージャンクションMOSFET、...

2020.07.28

ダブルパルス試験によるリカバリ特性評価

今回は、何種類かのMOSFETを用いたダブルパルス試験の結果を基に、リカバリ特性の考察をします。この評価における試験回路は、前回示した基本回路図を用いています。また、確認のための動作も同様に前回示した...

キーワード：: Eon; irr; MOSFET; MOSFETボディーダイオード; MOSFETボディーダイオードリカバリ特性; Qrr; SJ-MOSFET; Super Junction MOSFET; ターンオン損失; ダイオードリカバリ特性; ダブルパルス試験; ブリッジ回路

2021.02.09

PSFB回路の基本構成

はじめに Siパワーデバイスの評価編第2弾として、「位相シフトフルブリッジ回路の電力変換効率向上」に関する記事の連載を開始します。近年、サーバーやオンボードチャージャーなどの電源には、さらなる大電...

キーワード：: IGBT; Phase Shift Full Bridge; PSFB; SJ-MOSFET; Zero Voltage Switching; ZVS; スイッチング素子; スーパージャンクションMOSFET; ゼロ電圧スイッチング; 位相シフトフルブリッジ; 進みレグ; 遅れレグ

2021.03.16

PSFB回路の基本動作

PSFB回路におけるZVS動作は、スイッチを構成するMOSFETの出力容量COSSが放電し、Body Diodeに順方向電流が流れている時にそのMOSFETをターンONさせることで成立します。 PSF...

キーワード：: IGBT; Phase Shift Full Bridge; PSFB; SJ-MOSFET; Zero Voltage Switching; ZVS; スイッチング素子; スーパージャンクションMOSFET; ゼロ電圧スイッチング; 位相シフトフルブリッジ; 進みレグ; 遅れレグ

2021.03.30

軽負荷時におけるスイッチング素子の動作に関する注意点

軽負荷時は流れている電流が小さく、LSに蓄積されているエネルギーが小さくなるため、遅れレグにおいてCOSSの充電、放電が完了しないままスイッチ動作に入る可能性が高くなります。そのためZVS動作ができず...

キーワード：: CGD; CGS; Dead Time; IGBT; MOSFET寄生容量; MOSFET貫通電流; Phase Shift Full Bridge; PSFB; SJ-MOSFET; Zero Voltage Switching; ZVS; スイッチング素子; スーパージャンクションMOSFET; ゼロ電圧スイッチング; デッドタイム; 位相シフトフルブリッジ; 進みレグ; 遅れレグ

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