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キーワード:Tj

2015.06.23

全91機種!LDOリニアレギュレータの新ラインアップ Gシリーズ/Hシリーズ/Iシリーズ:実際の出力電流を決めるファクタは?

新しいLDOリニアレギュレータのGシリーズ、Hシリーズ、Iシリーズは、全91機種というラインアップです。出力電圧は、可変タイプは0.8V~13V 、固定タイプは1Vから12Vまでの14種類の電圧が用意...

キーワード:
Tj
Tj max
出力電流
放熱プレート
熱抵抗
許容損失

2015.12.15

重要チェックポイント:温度測定と損失の測定

絶縁型フライバックコンバータの性能評価に関して、仕様以外に確認しておくべき「重要チェックポイント」として、「温度測定と損失の測定」に関する説明に入ります。 MOSFETのドレイン電圧と電流、および出...

キーワード:
Tj
θ
ジャンクション温度
スイッチング損失
接合温度
熱抵抗
許容損失

2017.05.30

実動作における適性確認と準備

ここから、新章となる「実動作における適性確認」に入ります。回路設計では通常、その回路の要求に基づき対応可能なトランジスタを、データシートの仕様を参照して選択します。しかしながら、実際に試作してみると、...

キーワード:
IGBT
MOSFET
R6020EN
SiC-MOSFET
SJ-MOSFET
SOA
Tj
スーパージャンクションMOSFET
チップ温度
ディレーティング
安全動作領域
接合温度
絶対最大定格

2017.07.26

絶対最大定格内であることの確認

この章では、実動作において選択したトランジスタが適切であるか否かの判断のための方法と手順を説明しています。 今回は、右のフローチャートの②絶対最大定格内であることの確認、について説明します。 ...

キーワード:
IGBT
MOSFET
R6020EN
SiC-MOSFET
SJ-MOSFET
SOA
Tj
スーパージャンクションMOSFET
チップ温度
ディレーティング
安全動作領域
接合温度
絶対最大定格

2017.08.30

SOA(安全動作領域)内であることの確認

この章では、実動作において選択したトランジスタが適切であるか否かの判断のための方法と手順を説明しています。 今回は、右のフローチャートの③SOA(安全動作領域)内であることの確認、について説明しま...

キーワード:
IGBT
MOSFET
R6020EN
SiC-MOSFET
SJ-MOSFET
SOA
SOA破壊
Tj
スーパージャンクションMOSFET
チップ温度
ディレーティング
安全動作領域
接合温度
絶対最大定格

2017.09.27

実使用温度でディレーティングしたSOA内であることの確認

この章では、実動作において選択したトランジスタが適切であるか否かの判断のための方法と手順を説明しています。 今回は、右のフローチャートの④使用雰囲気温度でディレーティングしたSOA内で...

キーワード:
IGBT
MOSFET
R6020EN
SiC-MOSFET
SJ-MOSFET
SOA
Ta
Tj
スーパージャンクションMOSFET
チップ温度
ディレーティング
安全動作領域
接合温度

2017.10.30

平均消費電力が定格電力内であることの確認

この章では、実動作において選択したトランジスタが適切であるか否かの判断のための方法と手順を説明しています。 今回は、右のフローチャートの「⑥平均消費電力が定格電力内であることの確認」、...

キーワード:
IGBT
MOSFET
R6020EN
SiC-MOSFET
SJ-MOSFET
SOA
Ta
Tj
スイッチング動作
スーパージャンクションMOSFET
チップ温度
ディレーティング
安全動作領域
平均消費電力
接合温度
連続パルス

2017.11.29

チップ温度の確認

この章では、実動作において選択したトランジスタが適切であるか否かの判断のための方法と手順を説明しています。 今回は、右のフローチャートにはないのですが、以下の箇条書きの⑦、「チップ温度...

キーワード:
IGBT
MOSFET
R6020EN
SiC-MOSFET
SJ-MOSFET
SOA
Ta
Tc
Tj
θca
θja
θjc
ケース温度
スーパージャンクションMOSFET
チップ温度
ディレーティング
パッケージ温度
ヒートシンク
安全動作領域
接合温度
放熱器
放熱板
消費電力
熱抵抗
熱計算

2017.12.26

まとめ

この章では、実動作において選択したトランジスタが適切であるか否かの判断のための方法と手順を説明してきました。今回は最後にまとめを行います。 右のフローチャートおよび下の箇条書きに従って、選択したト...

キーワード:
IGBT
MOSFET
R6020EN
SiC-MOSFET
SJ-MOSFET
SOA
Ta
Tc
Tj
θca
θja
θjc
ケース温度
スーパージャンクションMOSFET
チップ温度
ディレーティング
パッケージ温度
ヒートシンク
安全動作領域
接合温度
放熱器
放熱板
消費電力
熱抵抗
熱計算

2018.04.10

パッケージ選定時の熱計算例 1

前回までは損失箇所を理解し、その損失を計算で求める方法を説明してきました。今回から、求めた損失から熱計計算を行い、実使用条件で最大定格内にあるか否か、そして対処方法などを解説したいと思います。元々、損...

キーワード:
DC/DCコンバータ損失
Ta
Tj
ジャンクション温度
効率カーブ
効率グラフ
効率曲線
同期整流降圧コンバータ損失
周囲温度
接合部温度
損失低減
損失計算
熱抵抗
熱計算
熱設計
許容損失
雰囲気温度
電源損失

2018.05.15

パッケージ選定時の熱計算例 2

今回は、前回の「パッケージ選定時の熱計算例 1」に続く「熱計算例 2」として、使いたいパッケージを使うための対応策を検討します。 パッケージ選定時の熱計算例 2 最初に確認のため、前回の損失の計算およ...

キーワード:
DC/DCコンバータ損失
Ta
Tj
ジャンクション温度
効率カーブ
効率グラフ
効率曲線
同期整流降圧コンバータ損失
周囲温度
接合部温度
損失低減
損失計算
熱抵抗
熱計算
熱設計
許容損失
雰囲気温度
電源損失

2018.07.31

損失要因

今回は、動作条件と損失増加の関係について検討します。 損失要因 損失が電源回路の様々な場所で発生することを説明してきましたが、動作条件によって全体的な損失を構成する特定の部位での損失が大きくなります...

キーワード:
DC/DCコンバータ損失
Ta
Tj
ジャンクション温度
効率カーブ
効率グラフ
効率曲線
同期整流降圧コンバータ損失
周囲温度
周波数
接合部温度
損失低減
損失要因
損失計算
熱抵抗
熱計算
熱設計
許容損失
負荷電流
雰囲気温度
電源損失

2020.03.17

MOSFETの熱抵抗と許容損失:裏面放熱が可能なパッケージ

熱計算は回路設計時の必須事項ですが、特に大電力を扱うパワーデバイスに関しては、動作寿命はもちろん安全性の面からも非常に重要になります。今回から2回にわたり、MOSFETの許容損失と熱抵抗についての説明...

キーワード:
MOSFET熱抵抗
MOSFET熱計算
MOSFET許容損失
Ta
Tj
ジャンクション温度
パッケージ熱抵抗
周囲温度
接合温度
絶対最大定格