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キーワード:trr

2016.04.07

アプリケーションに追従し進化を続けるシリコンダイオード:低電力機器向けと高電力機器向け

ロームでは、様々なシリコンベースのダイオードを生産しています。その中でもパワー系アプリケーションに適した特性と仕様のダイオードを紹介します。パワー系アプリケーションにおけるダイオードの用途の多くは整流...

キーワード:
BCM
CCM
FRD
PFC
trr
ファストリカバリダイオード
力率改善
超低VF
逆回復時間
高速trr

2016.04.07

パワー系アプリケーションの損失低減と小型の鍵:パワー系ダイオードで損失が最も小さいSiC-SBD

ロームは、高耐圧と大電流を扱う回路に最適なSiC(シリコンカーバイド)材料を用いたSBD(ショットキーバリアダイオード)の開発を推進しています。2010年に国内初となるSiCによるSBDの量産を開始し...

キーワード:
FRD
PFC
SiC
SiC-SBD
trr
ショットキーバリアダイオード
シリコンカーバイド
スイッチング損失
ファストリカバリダイオード
力率改善
温度特性
逆回復時間
順方向電圧

2016.04.07

パワー系アプリケーションの損失低減と小型の鍵:SiC-SBDのラインアップは650V / 1200V、5A~40Aで車載対応

ロームは、高耐圧と大電流を扱う回路に最適なSiC(シリコンカーバイド)材料を用いたSBD(ショットキーバリアダイオード)の開発を推進しています。2010年に国内初となるSiCによるSBDの量産を開始し...

キーワード:
FRD
PFC
SiC
SiC-SBD
trr
ショットキーバリアダイオード
シリコンカーバイド
スイッチング損失
ファストリカバリダイオード
力率改善
温度特性
逆回復時間
順方向電圧

2016.04.12

バックコンバータとは-基本動作および不連続モードと連続モード

非絶縁型AC/DCコンバータ設計に関連して、最初に回路動作を説明します。例とするAC/DCコンバータは、一般にバック(buck)コンバータと呼ばれるものです。本来バックコンバータは降圧コンバータの意味...

キーワード:
AC/DCコンバータ
trr
ダイオード逆電流
バックコンバータ基本動作
不連続モード
逆回復時間
連続モード

2016.06.28

SiC-SBDとは-Si-PNDとの逆回復特性比較

前回はSiC-SBDとSi-PNDの特徴の比較を行いました。今回は、SiC-SBDとSi-PNDの逆回復特性の比較をしたいと思います。逆回復特性は、ダイオード、特に高速タイプのダイオードでは基本的かつ...

キーワード:
FRD
PN接合ダイオード
SiC-SBD
SiCショットキーバリアダイオード
trr
ファストリカバリダイオード
多数キャリア
少数キャリア
逆回復時間
逆回復電流

2016.06.28

FRD(ファストリカバリダイオード)の特徴|ダイオードとは

Siダイオードの3回目になります。今回はファストリカバリダイオード(以下FRD)の特徴と特性改善、そしてアプリケーションに関する説明をします。 Si-FRDの特徴 Si-FRDはPN接合によるダイオー...

キーワード:
FRD
trr
ダイオード
ファストリカバリダイオード
逆回復時ノイズ
逆回復時リンギング
逆回復時電流
逆電流
高耐圧ダイオード

2016.12.20

MOSFETとは-スーパージャンクションMOSFET

ここからは、MOSFETの中でも、近年の高耐圧MOSFETの代表格である、スーパージャンクションMOSFETについて説明していきます。 パワートランジスタの特徴と位置付け 最初に、近年の主要パワートラ...

キーワード:
IGBT
irr
MOSFET
SiC-MOSFET
trr
オン抵抗
スーパージャンクションMOSFET
スーパージャンクションMOSFET構造
プレーナーMOSFET
耐圧

2017.02.28

MOSFETとは-高速trr SJ-MOSFET : PrestoMOS ™

前回は、ロームのSJ-MOSFETのラインアップから、標準ANシリーズ、低ノイズENシリーズ、高速KNシリーズを例としてSJ-MOSFETの特徴について説明しました。今回は、SJ-MOSFETのtrr...

キーワード:
A・Ron
FNシリーズ
IGBT
MNシリーズ
MOSFET
Ron・Qg
SiC-MOSFET
SJ-MOSFET
trr
スーパージャンクションMOSFET
回生電流
転流損失
高効率インバータ

2017.05.30

SiC-MOSFETとは-ボディダイオード特性

前回は、IGBTとの違いについて説明しました。今回は、SiC-MOSFETのボディダイオードの順方向特性と逆回復特性について説明します。 SiC-MOSFETにかかわらずMOSFETには、図のよ...

キーワード:
Err
IGBT
irr
SiC-MOSFET
SiC-SBD
trr
Vd-Id特性
VF
スイッチング損失
ダイオードリカバリ損失
ボディダイオード
リカバリ電流
内部ダイオード
寄生ダイオード
順方向特性

2017.07.25

SiC-MOSFETとは-トレンチ構造SiC-MOSFETと実際の製品

今回は、最新の第三世代SiC-MOSFETの説明と、現在、入手可能なSiC-MOSFETに関する情報を提供します。 独自のダブルトレンチ構造SiC-MOSFET SiC-MOSFETの進化は続いており...

キーワード:
Err
IGBT
irr
MOSFET入力容量
SiC-MOSFET
SiC-SBD
trr
Vd-Id特性
スイッチング損失
ダイオードリカバリ損失
ダブルトレンチ構造
トレンチ構造SiC-MOSFET
ボディダイオード
リカバリ電流
内部ダイオード
寄生ダイオード