知って得するキーポイント
業界最速trr「PrestoMOS™」の新ラインアップ「R60xxMNxシリーズ」
オン抵抗とQgを削減し、
さらなる低消費電力化が可能に
注目ワード |
|
---|
2017/11/28
ロームは、業界最速のtrr(逆回復時間)を特長とするPrestoMOSTMに、新ラインアップとなる「R60xxMNxシリーズ」を追加しました。PrestMOSは、標準のスーパージャンクションMOSFETに対しtrrを約60%削減したことで大幅にスイッチング損失を低減し、白物家電や産業機器などのモータドライバやインバータアプリケーションの低消費電力化を推進してきました。新しいR60xxMNxシリーズは、既存のR60xxFNxシリーズの高速trr性能をそのままに、オン抵抗とQg(ゲート総電荷量)をさらに低減し損失低減を図る目的で開発されました。一般に、オン抵抗とQgはトレードオフの関係にありますが、ロームの独自のプロセス技術と最適化技術により、高次元での両立を達成しました。
※PrestoMOSは、ロームの商標です。

スイッチング損失に加え導通損失も削減
R60xxMNxシリーズは、ローム独自のPrestoMOSの高速trr性能を維持したまま、オン抵抗とQgを大幅に低減しました。インバータ搭載エアコンなどモータ駆動のアプリケーションの例では、IGBTを使用した場合と比較して軽負荷時の電力損失を約56%低減することができました。これは近年のAPF(通年エネルギー消費効率)の改善に非常に効果的です。高速trrによるスイッチング損失低減に加え、オン抵抗低減による導通損失削減、そしてQg低減によるドライブ電流削減および高速性の向上によるものです。
インバータやモータドライバ回路のFRDが不要に
trrは前述のように、従来の標準タイプスーパージャンクションMOSFETに比べ60%削減されています。これは、内部ダイオードのtrr特性を大きく改善したことによります。特にインバータ回路やモータドライバ回路の回生電流による転流損失はtrrに依存します。通常のMOSFETやIGBTでは、内部ダイオードのtrrが遅く損失が大きくなるので、FRD(ファストリカバリダイオード)を2個外付けにします。PrestoMOSはtrrが速いので損失を低減するのはもちろん、外付け2個のFRDが不要になります。
R60xxMNxシリーズ
パッケージ | 用途 | 品名 | 極性 (ch) |
VDSS (V) |
ID (A) |
PD(W) (Tc=25°C) |
RDS(on)(Ω) | Qg Typ. (nC) |
trr (Typ.) (ns) |
駆動 電圧 (V) |
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
VGS=10V | |||||||||||
Typ. | Max | VGS=10V | |||||||||
TO-252 | スイッチング | R6010MND3 | N | 600 | 10 | 143 | 0.28 | 0.38 | 20 | 80 | 10 |
☆R6008MND3 | 600 | 8 | 115 | 0.45 | 0.61 | 13.5 | 65 | ||||
R6007MND3 | 600 | 7 | 95 | 0.54 | 0.73 | 10 | 60 | ||||
TO-220FM | R6030MNX | 600 | 30 | 90 | 0.11 | 0.15 | 45 | 90 | |||
☆R6020MNX | 600 | 20 | 72 | 0.19 | 0.25 | 30 | 85 | ||||
TO-247 | R6076MNZ1 | 600 | 76 | 740 | 0.04 | 0.055 | 115 | 135 | |||
R6047MNZ1 | 600 | 47 | 440 | 0.06 | 0.081 | 70 | 105 |
☆:開発中