オン抵抗とQgを削減し、
さらなる低消費電力化が可能に

ロームは、業界最速のtrr（逆回復時間）を特長とするPrestoMOS^TMに、新ラインアップとなる「R60xxMNxシリーズ」を追加しました。PrestMOSは、標準のスーパージャンクションMOSFETに対しtrrを約60%削減したことで大幅にスイッチング損失を低減し、白物家電や産業機器などのモータドライバやインバータアプリケーションの低消費電力化を推進してきました。新しいR60xxMNxシリーズは、既存のR60xxFNxシリーズの高速trr性能をそのままに、オン抵抗とQg（ゲート総電荷量）をさらに低減し損失低減を図る目的で開発されました。一般に、オン抵抗とQgはトレードオフの関係にありますが、ロームの独自のプロセス技術と最適化技術により、高次元での両立を達成しました。

※PrestoMOSは、ロームの商標です。

スイッチング損失に加え導通損失も削減

R60xxMNxシリーズは、ローム独自のPrestoMOSの高速trr性能を維持したまま、オン抵抗とQgを大幅に低減しました。インバータ搭載エアコンなどモータ駆動のアプリケーションの例では、IGBTを使用した場合と比較して軽負荷時の電力損失を約56%低減することができました。これは近年のAPF（通年エネルギー消費効率）の改善に非常に効果的です。高速trrによるスイッチング損失低減に加え、オン抵抗低減による導通損失削減、そしてQg低減によるドライブ電流削減および高速性の向上によるものです。

インバータやモータドライバ回路のFRDが不要に

trrは前述のように、従来の標準タイプスーパージャンクションMOSFETに比べ60%削減されています。これは、内部ダイオードのtrr特性を大きく改善したことによります。特にインバータ回路やモータドライバ回路の回生電流による転流損失はtrrに依存します。通常のMOSFETやIGBTでは、内部ダイオードのtrrが遅く損失が大きくなるので、FRD（ファストリカバリダイオード）を2個外付けにします。PrestoMOSはtrrが速いので損失を低減するのはもちろん、外付け2個のFRDが不要になります。