2021.11.30
RGWxx65Cシリーズは、IGBTの還流ダイオードに低損失SiCショットキーバリアダイオード(SiC SBD)を搭載したHybrid型のIGBTで、ファストリカバリダイオード(FRD)搭載のIGBTに対して大幅な損失低減が可能です。電動化車両(xEV)に搭載される車載充電器(オンボードチャージャー)、DC/DCコンバータ、太陽光発電のパワーコンディショナー、産業用インバータなど、大電力を扱う車載電装機器・産業機器に向けて開発されました。650V耐圧で、現在RGW60TS65CHR(30A)、RGW80TS65CHR(40A)、RGW00TS65CHR(50A)のラインアップがリリースされています。
<SiCダイオード内蔵IGBT:RGWxx65Cシリーズのポイント>
SiC SBD搭載によりターンオン損失の低減を図り、アプリケーションの消費電力を大幅に低減可能
「RGWxx65Cシリーズ」は、IGBTの還流ダイオードに、ロームの低損失SiC SBDを採用したIGBTです。Siファストリカバリダイオード(Si FRD)を採用しているIGBTよりターンオン損失を大幅に削減しています。車載充電アプリケーションに使用した例では、スイッチング損失を67%低減でき、全体では56%の損失低減を実現しました。また、一般的にIGBTより損失の少ないと言われているSJ-MOSFETとの比較例では、スイッチング損失を24%低減できました。
また、幅広い動作周波数で97%以上の高効率を実現可能で、動作周波数100kHz時にはIGBT比で3%の効率向上を実現するなど、車載や産業機器アプリケーションの低消費電力化が可能です。
また、RGWxx65Cシリーズは、既存のIGBTとの置き換えにおいて基本的に基板や部品定数の変更などが必要ないので、簡単かつコストパフォーマンスの高い効率改善が可能です。
AEC-Q101に準拠、車載グレードの高信頼性IGBT
RGWxx65Cシリーズは、車載信頼性規格AEC-Q101に準拠しており、車載アプリケーションはもちろん、各種産業機器においても安心して使用することができます。
アプリケーション例
Hybrid IGBT:RGWxx65Cシリーズのラインアップ
現在TO-247Nパッケージの3機種がリリースされています。表面実装タイプTO-263Lは開発中です。
品名 | 耐圧 VCES(V) |
コレクタ電流 IC@100℃ (A) |
導通損失 VCE(sat) Typ(V) |
還流 ダイオード |
AEC-Q101 準拠 |
パッケージ |
---|---|---|---|---|---|---|
![]() RGW60TS65CHR |
650 | 30 | 1.5 | SiC SBD | YES | TO-247N
|
![]() RGW80TS65CHR |
40 | |||||
![]() RGW00TS65CHR |
50 | |||||
☆ RGW40NL65CHRB |
20 | TO-263L (LPDL) |
||||
☆ RGW50NL65CHRB |
25 | |||||
☆ RGW60NL65CHRB |
30 |
☆:開発中
※ パッケージはJEDEC表記。()内はROHMパッケージを示す。
関連情報
ローム主催セミナーの講義資料やDCDCコンバータのセレクションガイドなど、ダウンロード資料をご用意いたしました。
ローム主催セミナーの講義資料やDCDCコンバータのセレクションガイドなど、ダウンロード資料をご用意いたしました。