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アプリケーションに追従し進化を続けるシリコンダイオード:効率重視と耐圧/リーク重視

2016.04.07

ロームでは、様々なシリコンベースのダイオードを生産しています。その中でもパワー系アプリケーションに適した特性と仕様のダイオードを紹介します。パワー系アプリケーションにおけるダイオードの用途の多くは整流です。例えば電源回路では、出力の整流用にショットキーバリアダイオードやファストリカバリダイオードが使われます。どのようなダイオードを使うかは、定格電圧と電流、VFやIR、trrなどのパラメータから選択することになりますが、近年、Siベースのパワー系ダイオードはアプリケーションに要求に対応すべく改良が進んでおり、従来の弱点が改善され、トレードオフが軽減されたものの開発が進んでいます。

ショットキーバリアダイオード(SBD)は、一般的なダイオードがPN接合で構成されるのに対して、金属と半導体との接合によって生じるショットキー障壁を利用したダイオードです。一般的にPN接合ダイオードと比較して順方向電圧(VF)が低く、スイッチングが速いのが特徴です。しかし、逆方向リーク電流(IR)が大きいという欠点があり、耐圧に関しては200V以下で、他のSiダイオードに比べてあまり高くはありません。

ロームのSBDのラインアップには、効率向上のために超低VFを特徴としたシリーズや、耐圧を維持しながらIRをマイクロアンペアオーダーに抑えた超低IRシリーズが用意されています。以下は、アプリケーションの要求に対して、IRを縦軸、VFを横軸にとり、SBDのシリーズをマッピングした図です。

P16-1_sbdmap

各シリーズへのアクセスは以下をご利用ください。

パワー系Siショットキーバリアダイオード
超低VF RBxx1シリーズ
RBEシリーズ(新製品)
低VF RBxx5シリーズ
RBxx0シリーズ
RBRシリーズ(新製品)
低IR RBQシリーズ(新製品)
RBxx7シリーズ(新製品)
超低IR RBxx8シリーズ(新製品)

また、SBD全ラインアップの一覧はこちらをご利用ください。

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機器の省エネ、高効率化に対応して進化を続けるシリコン系パワーデバイス。ダイオード、MOSFETの基本から選択方法、最新鋭デバイスの特性、アプリケーション事例を解説しています。

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