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アプリケーションに追従し進化を続けるシリコンダイオード低電力機器向けと高電力機器向け

2016.04.07

ロームでは、様々なシリコンベースのダイオードを生産しています。その中でもパワー系アプリケーションに適した特性と仕様のダイオードを紹介します。パワー系アプリケーションにおけるダイオードの用途の多くは整流です。例えば電源回路では、出力の整流用にショットキーバリアダイオードやファストリカバリダイオードが使われます。どのようなダイオードを使うかは、定格電圧と電流、VFやIR、trrなどのパラメータから選択することになりますが、近年、Siベースのパワー系ダイオードはアプリケーションに要求に対応すべく改良が進んでおり、従来の弱点が改善され、トレードオフが軽減されたものの開発が進んでいます。

ファストリカバリダイオード(FRD)は、逆回復時間trrを改善したシリコンダイオードです。一般的なダイオードのtrrはおおよそ数十?sec~100?secですが、FRDのtrrは100nsec以下と非常に高速です。しかしながら、順方向電圧VFは1V~2V前後とSBDはもちろん一般のダイオードよりも大きいという欠点があります。trrが高速なのでスイッチング損失は減少しますが、VFが高いことで導通損失は大きくなり、特に低電圧の整流では検討が必要になる場合があります。

ロームのFRDのラインアップには、200W~300W以下の低電力機器やPFC BCM(力率改善臨界モード)に重要な超低VFを実現したシリーズ、200W~300W以上の高電力機器やPFC CCM(力率改善連続モード)に適した高速trrシリーズが用意されています。以下は、アプリケーションの要求に対して、trrを縦軸、VFを横軸にとり、FRDのシリーズをマッピングしたアプリケーションイメージです。

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各シリーズへのアクセスは以下をご利用ください。

パワー系Siファストリカバリダイオード
超低VF RFNLシリーズ
標準 RFNシリーズ
高速trr RFUHシリーズ
RFVシリーズ

また、FRD全ラインアップの一覧はこちらをご利用ください。

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機器の省エネ、高効率化に対応して進化を続けるシリコン系パワーデバイス。ダイオード、MOSFETの基本から選択方法、最新鋭デバイスの特性、アプリケーション事例を解説しています。

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