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600V耐圧 第二世代スーパージャンクションMOSFET:ENシリーズ : 低オン抵抗とスイッチングスピードを維持してノイズ性能を改善

2017.02.14

スーパージャンクションMOSFETは、プレーナーMOSFETより大幅にオン抵抗とゲート電荷(Qg)を低減したMOSFETです。ロームの600VスーパージャンクションMOSFETは、高速、低ノイズ、高効率といった特性によってシリーズ化が進み、現在、第二世代へと進化しています。電源をはじめPFCなど、様々な電力変換回路で効率の改善に寄与します。

低ノイズ ENシリーズ

従来のスーパージャンクションMOSFETは、オン抵抗が低くスイッチングスピードが速いことが特長ですが、その高速性のためにノイズが大きいという課題がありました。ENシリーズは、プレーナーMOSFETの低ノイズ特性と、SJ MOSの低オン抵抗特性を組み合わせたタイプです。ロームの第一世代標準特性のANシリーズ、および他社同等品とENシリーズのノイズ特性を比較したグラフを示します。

ENシリーズは、プレーナーMOSFETのノイズレベルをそのままに、オン抵抗がより低いことから、プレーナーMOSFETの導通損失を改善する代替品です。A・Ronの比較では、プレーナーMOSFETに対して従来品のANシリーズが65%低減、ENシリーズは80%低減されています。

以下にラインアップを示します。1つの機種に対して、複数のパッケージを用意しています。

■R60xxENxシリーズ:低ノイズ

機種名 BVDSS(V) ID (A) RDS(on) (Ω) Qg (nC) パッケージ
R6002ENx 600 1.7 2.8 6.5 CPT/TO252☆
R6004ENx 4 0.9 15 CPT/TO252☆/LPT/TO220FM
R6007ENx 7 0.57 20 TO252/LPT/TO220FM
R6009ENx 9 0.5 23 TO252/LPT/TO220FM
R6011ENx 11 0.34 32 TO252/LPT/TO220FM
R6015ENx 15 0.26 40 LPT/TO220FM
R6020ENx 20 0.17 60 LPT/TO220FM/TO247
R6024ENx 24 0.15 70 LPT/TO220FM/TO247
R6030ENx 30 0.115 85 LPT/TO220FM/TO247
R6035ENx 35 0.095 110 TO247
R6047ENx 47 0.07 145 TO247
R6076ENx 76 0.04 260 TO247

※機種名の最後のxはパッケージタイプにより該当のアルファベットが入ります。
   D : CPT3 (D-Pak), J : LPT (D2-Pak), X : TO220FM, Z1 : TO247, D3 : TO252
※ ☆ : 開発中

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