知って得するキーポイント

600V耐圧 第二世代スーパージャンクションMOSFETKNシリーズ : 低ノイズ性能を維持して高速スイッチングを可能に

2017.02.14

スーパージャンクションMOSFETは、プレーナーMOSFETより大幅にオン抵抗とゲート電荷(Qg)を低減したMOSFETです。ロームの600VスーパージャンクションMOSFETは、高速性、低ノイズといった特徴をもってシリーズ化が進み、現在、第二世代へと進化しています。電源をはじめPFCなど、様々な電力変換回路で効率の改善に寄与します。

高速、低ノイズ KNシリーズ

KNシリーズは、ENシリーズの低ノイズ性能を維持し、高速性能を向上させたシリーズです。もちろん、オン抵抗は低いままです。スイッチングスピードの向上のため、RgQgdを低減しました。これにより、スイッチング損失が低減され、高効が改善されます。インバータ回路での比較においては、ENシリーズに対してスイッチング損失を40%低減することができました。

以下にラインアップを示します。ENシリーズ同様に、1つの機種に対して複数のパッケージを用意しています。

■60xxKNxシリーズ:低ノイズ、高速、低スイッチング損失

機種名 BVDSS(V) ID (A) RDS(on) (Ω) Qg (nC) パッケージ
☆ R6002KNx 600 1.7 2.8 4.5 TO252☆
R6004KNx 4 0.9 10 TO252☆/LPT/TO220FM
R6007KNx 7 0.57 14 TO252/LPT/TO220FM
R6009KNx 9 0.5 16 TO252☆/LPT/TO220FM
R6011KNx 11 0.34 22 TO252/LPT/TO220FM
R6015KNx 15 0.26 27 LPT/TO220FM
R6020KNx 20 0.17 39 LPT/TO220FM/TO247
R6024KNx 24 0.15 47 LPT/TO220FM/TO247
R6030KNx 30 0.115 57 LPT/TO220FM/TO247
R6035KNx 35 0.095 74 TO247
☆ R6047KNx 47 0.07 97 TO247
R6076KNx 76 0.04 174 TO247

※機種名の最後のxはパッケージタイプにより該当のアルファベットが入ります。
   D : CPT3 (D-Pak), J : LPT (D2-Pak), X : TO220FM, Z1 : TO247, D3 : TO252
※ ☆ : 開発中

【資料ダウンロード】シリコンパワーデバイスの特徴を生かしたアプリケーション事例

機器の省エネ、高効率化に対応して進化を続けるシリコン系パワーデバイス。ダイオード、MOSFETの基本から選択方法、最新鋭デバイスの特性、アプリケーション事例を解説しています。

「KNシリーズ : 低ノイズ性能を維持して高速スイッチングを可能に」の関連記事一覧

技術資料ダウンロード

シリコンパワーデバイスの特徴を生かしたアプリケーション事例

機器の省エネ、高効率化に対応して進化を続けるシリコン系パワーデバイス。ダイオード、MOSFETの基本から選択方法、最新鋭デバイスの特性、アプリケーション事例を解説しています。

知って得するキーポイント

ロームでは、技術者向けのセミナーを定期的に開催しています。ご興味をお持ちの方はぜひご参加ください。