知って得するキーポイント

600V SJ-MOSFET:R60xxJNxシリーズ：業界最速の逆回復時間、設計の自由度を向上する「PrestoMOS™」

2019.06.11

ローム独自のライフタイム制御技術を用い、業界最速*の逆回復時間（trr）を実現したローム独自のスーパージャンクションMOSFETであるPrestoMOS^TMは、エアコンやインバータアプリケーションの定常運転時の低消費電力化に寄与することから、すでにIGBTの代替として高い評価を得ています。*2019年3月15日ローム調べ

今回、従来のラインアップに対して、新開発の｢R60xxJNxシリーズ」、30機種を追加しました。特長は、以下の通りです。

・業界最速の逆回復時間（trr）を実現。IGBTと比べ、軽負荷時の電力損失を約58%低減。
・損失増加の一因であるセルフターンオン現象が起きない設計。
・ボディダイオードの特性を最適化し、ソフトリカバリ指数を改善。誤動作につながるノイズを低減。

これらの特長により、アプリケーションでの損失を低減するとともに、回路の最適化が容易になり、設計の自由度が向上します。

業界最速の逆回復時間（trr）を実現。IGBTと比べ、軽負荷時の電力損失を約58%低減

エアコンや冷蔵庫をはじめ、白物家電のモータ駆動用にはインバータ回路が使用され、従来スイッチング素子にはIGBTが使用されています。しかしながら、近年の省エネ要求の一環で、定常運転時の低消費電力化が課題になっています。ロームでは、2012年に初めて業界最速の逆回復特性が特長のパワーMOSFETであるPrestoMOS^TMを市場に投入し、定常運転時の低消費電力化という課題に対して、非常に高い評価を得ています。

PrestoMOSTMはIGBTと比べ軽負荷時の電力損失を約58%低減

損失増加の一因であるセルフターンオン現象が起きない設計

MOSFETに構造上存在する寄生容量を最適化したことで、スイッチング時のゲート電圧の持ち上がりを20%削減しました。また、MOSFETオンのしきい値（Vth）を約1.5倍に高めており、セルフターンオン現象が起きにくい設計になっています。損失の一因であるゲート抵抗値を最適化して損失を低減可能です。

失増加の一因であるセルフターンオン現象が起きない設計

リカバリ特性を改善して誤動作につながるノイズを低減

一般的に、SJ-MOSFETのボディダイオードのリカバリ特性はハードリカバリになります。R60xxJNxシリーズは、構造を最適化することにより、従来品に比べソフトリカバリ指数を30％改善し、業界最速の逆回復時間（trr）を維持したまま、ノイズを低減させることに成功しました。これにより、設計時のゲート抵抗等によるノイズの最適化が容易になります。

リカバリ特性を改善して誤動作につながるノイズを低減

以下に、R60xxJNxシリーズのラインアップを示します。

Package
		TO-252 (DPAK) [SC-63]	TO-263 (LPT(S) D2PAK) [SC-83]	TO-220FM	TO-247

Ron typ (mΩ)	1100	R6004JND3	R6004JNJ	R6004JNX
	720	R6006JND3	R6006JNJ	☆R6006JNX
	600	R6007JND3	R6007JNJ	R6007JNX
	450	R6009JND3	R6009JNJ	R6009JNX
	350		R6012JNJ	☆R6012JNX
	220		R6018JNJ	R6018JNX
	180		R6020JNJ	R6020JNX	R6020JNZ4
	140			R6025JNX	R6025JNZ4
	110			☆R6030JNX	R6030JNZ4
	90				R6042JNZ4
	64				☆R6050JNZ4
	45				☆R6070JNZ4