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キーワード:CGS

2018.01.16

活用のポイント:ゲートドライブ その2

前回は、フルSiCモジュールのゲートドライブの検討事項として、「ゲート誤オン」について説明しました。今回はその2として、ゲート誤オンの対処方法を説明します。 「ゲート誤オン」の抑制方法 ゲートの誤オン...

キーワード:
CGS
dV/dt
IGBT
IGBTモジュール
SiC-MOSFET
SiC-SBD
ゲートドライブ
ゲートマイナスバイアス
ゲート容量
ゲート抵抗
ゲート誤オン
ゲート電圧持ち上がり
スイッチング速度
ハイサイド
フルSiCパワーモジュール
ミラークランプ
リンギング
ローサイド
上アーム
下アーム
発振
負電圧ゲートドライブ

2021.03.30

軽負荷時におけるスイッチング素子の動作に関する注意点

軽負荷時は流れている電流が小さく、LSに蓄積されているエネルギーが小さくなるため、遅れレグにおいてCOSSの充電、放電が完了しないままスイッチ動作に入る可能性が高くなります。そのためZVS動作ができず...

キーワード:
CGD
CGS
Dead Time
IGBT
MOSFET寄生容量
MOSFET貫通電流
Phase Shift Full Bridge
PSFB
SJ-MOSFET
Zero Voltage Switching
ZVS
スイッチング素子
スーパージャンクションMOSFET
ゼロ電圧スイッチング
デッドタイム
位相シフトフルブリッジ
進みレグ
遅れレグ

2021.04.27

効率の評価

本章の主題である変換効率関して、実際の電源回路を用いて評価した結果を示します。具体的には、Q1~Q4のMOSFETに、オン抵抗0.2Ω前後の5種類の高速リカバリー型SJ MOSFETを用いて比較しまし...

キーワード:
CGD
CGS
Dead Time
IGBT
MOSFETリカバリー電流
MOSFET寄生容量
MOSFET貫通電流
Phase Shift Full Bridge
PrestoMOS
PSFB
SJ-MOSFET
Zero Voltage Switching
ZVS
スイッチング素子
スーパージャンクションMOSFET
ゼロ電圧スイッチング
デッドタイム
ボディダイオード
位相シフトフルブリッジ
寄生ダイオード
寄生バイポーラトランジスタ
進みレグ
遅れレグ