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  • シミュレーション

    2021/04/13

    ROHM Solution Simulator

    PFC回路:ゲート抵抗の変更

    PFC回路:ゲート抵抗の変更 実際の回路設計においてノイズ低減は大きな課題であり、一般的にスイッチング素子のゲート抵抗を大きくするとノイズは...

  • シミュレーション

    2021/04/13

    ROHM Solution Simulator

    PFC回路:適切なゲート駆動電圧の検討

    PFC回路:適切なゲート駆動電圧の検討 ここでは、PFC回路のスイッチング素子として使用しているSiC MOSFETに対する、適切なゲート駆...

  • Siパワーデバイス

    2021/04/13

    評価編

    PMDEパッケージの放熱性能(シミュレーション)

    PMDEとPMDUの放熱性能について、シミュレーションを利用して比較します。 熱シミュレーション方法 下図が示すように、50×50×0.8t...

  • Siパワーデバイス

    2021/04/13

    評価編

    重負荷時におけるスイッチング素子の動作に関する注意点

    重負荷時においてMOSFETのBody Diodeのリカバリー時間trrが長く、電流が残っている場合、進みレグのMOSFETのターンOFF時...

  • シミュレーション

    2021/03/30

    ROHM Solution Simulator

    PFC回路:スイッチング周波数の調整

    PFC回路:スイッチング周波数の調整 先に、回路条件変更にともなうインダクタ電流のリップル率の適正化方法として、インダクタのインダクンスを調...

  • シミュレーション

    2021/03/30

    ROHM Solution Simulator

    PFC回路:インダクタンス調整

    PFC回路:インダクタンスの調整 PFC回路の諸条件を変更した場合に、インダクタ電流のリップル率の調整が必要になる場合があります。ここでは一...

  • SiCパワーデバイス

    2021/03/30

    応用編

    正電圧サージ対策

    前回は、ゲートーソース電圧に発生するサージの抑制回路例を示しました。今回は、正電圧サージの対策とその効果の例を示します。 なお、ゲート-ソー...

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