R6020EN ｜電源設計の技術情報サイトのTechWeb

2017.05.30

ここから、新章となる「実動作における適性確認」に入ります。回路設計では通常、その回路の要求に基づき対応可能なトランジスタを、データシートの仕様を参照して選択します。しかしながら、実際に試作してみると、...

キーワード：: IGBT; MOSFET; R6020EN; SiC-MOSFET; SJ-MOSFET; SOA; Tj; スーパージャンクションMOSFET; チップ温度; ディレーティング; 安全動作領域; 接合温度; 絶対最大定格

2017.07.26

この章では、実動作において選択したトランジスタが適切であるか否かの判断のための方法と手順を説明しています。今回は、右のフローチャートの②絶対最大定格内であることの確認、について説明します。 ...

キーワード：: IGBT; MOSFET; R6020EN; SiC-MOSFET; SJ-MOSFET; SOA; Tj; スーパージャンクションMOSFET; チップ温度; ディレーティング; 安全動作領域; 接合温度; 絶対最大定格

2017.08.30

この章では、実動作において選択したトランジスタが適切であるか否かの判断のための方法と手順を説明しています。今回は、右のフローチャートの③SOA（安全動作領域）内であることの確認、について説明しま...

キーワード：: IGBT; MOSFET; R6020EN; SiC-MOSFET; SJ-MOSFET; SOA; SOA破壊; Tj; スーパージャンクションMOSFET; チップ温度; ディレーティング; 安全動作領域; 接合温度; 絶対最大定格

2017.09.27

この章では、実動作において選択したトランジスタが適切であるか否かの判断のための方法と手順を説明しています。今回は、右のフローチャートの④使用雰囲気温度でディレーティングしたSOA内で...

キーワード：: IGBT; MOSFET; R6020EN; SiC-MOSFET; SJ-MOSFET; SOA; Ta; Tj; スーパージャンクションMOSFET; チップ温度; ディレーティング; 安全動作領域; 接合温度

2017.10.30

この章では、実動作において選択したトランジスタが適切であるか否かの判断のための方法と手順を説明しています。今回は、右のフローチャートの「⑥平均消費電力が定格電力内であることの確認」、...

キーワード：: IGBT; MOSFET; R6020EN; SiC-MOSFET; SJ-MOSFET; SOA; Ta; Tj; スイッチング動作; スーパージャンクションMOSFET; チップ温度; ディレーティング; 安全動作領域; 平均消費電力; 接合温度; 連続パルス

2017.11.29

この章では、実動作において選択したトランジスタが適切であるか否かの判断のための方法と手順を説明しています。今回は、右のフローチャートにはないのですが、以下の箇条書きの⑦、「チップ温度...

キーワード：: IGBT; MOSFET; R6020EN; SiC-MOSFET; SJ-MOSFET; SOA; Ta; Tc; Tj; θca; θja; θjc; ケース温度; スーパージャンクションMOSFET; チップ温度; ディレーティング; パッケージ温度; ヒートシンク; 安全動作領域; 接合温度; 放熱器; 放熱板; 消費電力; 熱抵抗; 熱計算

2017.12.26

この章では、実動作において選択したトランジスタが適切であるか否かの判断のための方法と手順を説明してきました。今回は最後にまとめを行います。右のフローチャートおよび下の箇条書きに従って、選択したト...

キーワード：: IGBT; MOSFET; R6020EN; SiC-MOSFET; SJ-MOSFET; SOA; Ta; Tc; Tj; θca; θja; θjc; ケース温度; スーパージャンクションMOSFET; チップ温度; ディレーティング; パッケージ温度; ヒートシンク; 安全動作領域; 接合温度; 放熱器; 放熱板; 消費電力; 熱抵抗; 熱計算

キーワード：R6020EN