SiC ｜電源設計の技術情報サイトのTechWeb

2016.04.07

シリコンカーバイドとは

シリコンカーバイド、SiCは、比較的新しい半導体材料です。最初に少しその物性や特徴を確認したいと思います。 SiCの物性と特徴 SiCは、シリコン(Si)と炭素(C)で構成される化合物半導体材料です。...

キーワード：: SiC; SiC物性; シリコンカーバイド; パワーデバイス; パワー半導体

2016.04.07

SiCパワーデバイスの基礎－はじめに－

Tech Webの「基礎知識」に、新しく「パワーデバイス」に関する記事を追加していきます。近年、「パワーデバイス」もしくは「パワー半導体」といった表現で、大電力を低損失で扱うことを目的にしたダイオード...

キーワード：: MOSFET; SiC; シリコンカーバイド; ダイオード; トランジスタ; ハイパワーMOSFET; パワーデバイス; パワー半導体; 高耐圧MOSFET; 高電力MOSFET

2016.04.07

パワー系アプリケーションの損失低減と小型の鍵：パワー系ダイオードで損失が最も小さいSiC-SBD

ロームは、高耐圧と大電流を扱う回路に最適なSiC（シリコンカーバイド）材料を用いたSBD（ショットキーバリアダイオード）の開発を推進しています。2010年に国内初となるSiCによるSBDの量産を開始し...

キーワード：: FRD; PFC; SiC; SiC-SBD; trr; ショットキーバリアダイオード; シリコンカーバイド; スイッチング損失; ファストリカバリダイオード; 力率改善; 温度特性; 逆回復時間; 順方向電圧

2016.04.07

パワー系アプリケーションの損失低減と小型の鍵：SiC-SBDのラインアップは650V / 1200V、5A～40Aで車載対応

ロームは、高耐圧と大電流を扱う回路に最適なSiC（シリコンカーバイド）材料を用いたSBD（ショットキーバリアダイオード）の開発を推進しています。2010年に国内初となるSiCによるSBDの量産を開始し...

キーワード：: FRD; PFC; SiC; SiC-SBD; trr; ショットキーバリアダイオード; シリコンカーバイド; スイッチング損失; ファストリカバリダイオード; 力率改善; 温度特性; 逆回復時間; 順方向電圧

2016.04.26

SiCパワーデバイスの開発背景とメリット

前回、SiCの物性とSiCパワーデバイスの特徴を説明しました。SiCパワーデバイスは、Siパワーデバイスを超える高耐圧、低オン抵抗、高速動作を実現でき、より高温での動作も可能です。今回は、SiCの開発...

キーワード：: SiC; SiCメリット; SiC低抵抗; SiC小型化; SiC高速動作; シリコンカーバイド; パワーデバイス; パワー半導体

2016.05.31

SiC-SBDとは－特徴とSiダイオードとの比較

SiCパワーデバイスの概要に続いて、ここからは具体的なデバイスについて説明して行きます。まずはSiCショットキーバリアダイオードからです。 SiCショットキーバリアダイオードとSiショットキーバ...

キーワード：: FRD; PND; PN接合ダイオード; SiC; SiC-SBD; SiCショットキーバリアダイオード; ファストリカバリダイオード

2016.12.20

SiC-MOSFETとは－特徴

前回で終了したSiC-SBDに続いて、SiC-MOSFETに関する説明に入ります。電力変換回路におけるトランジスタの役割は重要で、低損失とアプリケーションサイズの小型化のために様々な改良が図られていま...

キーワード：: BV; BVDS; Eoff; Eon; Err; IGBT; RonA; SiC; SiC-MOSFET; SiC-SBD; オフ時の損失; スイッチング周波数; リカバリ損失; 単位面積当たりのオン抵抗; 規格化オン抵抗; 高周波化

2017.05.16

SiC-MOSFETを使った絶縁型擬似共振コンバータの設計事例　ーはじめにー

AC/DCコンバータ設計編の新章、「SiC-MOSFETを使った絶縁型擬似共振コンバータの設計事例」を開始します。この章では、今まで取り上げた「フライバック方式」と「フォワード方式」に次いで、「擬似共...

キーワード：: AC/DCコンバータ設計; SiC; SiC-MOSFET; シリコンカーバイド; フォワード; フライバック; 擬似共振コンバータ設計; 絶縁AC/DCコンバータ設計

2017.06.13

設計に使う電源IC：SiC-MOSFET用に最適化

設計にあたって、最初に設計に使う電源ICについて説明します。「はじめに」に記したように、この章では、「疑似共振コンバータ」の設計と、パワートランジスタに「SiC-MOSFET」を使うという新しい2つの...

キーワード：: AC/DCコンバータ設計; Rg; SiC; SiC-MOSFET; SiCオン抵抗; VGS; ゲートドライブ; シリコンカーバイド; フォワード; フライバック; 疑似共振コンバータ設計; 絶縁AC/DCコンバータ設計

2017.07.21

設計事例回路

前回は設計に使う電源ICについて説明しました。今回は、設計事例の回路について説明します。擬似共振方式前回説明したように、電源ICは、SiC-MOSFET駆動用AC/DCコンバータ制御ICであるBD...

キーワード：: AC/DCコンバータ設計; RCC; SiC; SiC-MOSFET; シリコンカーバイド; フライバック; 擬似共振コンバータ設計; 絶縁AC/DCコンバータ設計; 自励式

2017.08.17

トランスT1の設計　その1

今回からここの回路定数などを算出して具体的な設計に入ります。最初はトランスT1の設計です。算出手順は以下となります。これは、「絶縁型フライバックコンバータ回路設計：トランス設計（数値算出）」とほぼ同じ...

キーワード：: AC/DCコンバータ設計; AC/DCトランス; SiC; SiC-MOSFET; シリコンカーバイド; トランス設計; フライバック; フライバックトランス; 擬似共振コンバータ設計; 絶縁AC/DCコンバータ設計

2017.09.12

トランスT1の設計　その2

前回の「トランスT1の設計　その1」では、下記の算出手順の①から③までを説明しました。今回は「その2」として、残りの④から⑥を算出し、トランスT1の設計を終えます。 ①フライバック電圧VORの設...

キーワード：: AC/DCコンバータ設計; AC/DCトランス; SiC; SiC-MOSFET; シリコンカーバイド; トランス設計; フライバック; フライバックトランス; 擬似共振コンバータ設計; 絶縁AC/DCコンバータ設計

2017.10.17

主要部品選定：MOSFET Q1

トランス設計が終わったので、電源ICのBD7682FJ-LBの周辺部品を中心とした部品選定に入ります。説明する部品の周辺回路を抜粋して提示しますが、回路全体をみることも必要なので、その際にはこちらを利...

キーワード：: AC/DCコンバータ設計; SCT2H12NY; SiC; SiC-MOSFET; シリコンカーバイド; 擬似共振コンバータ設計; 絶縁AC/DCコンバータ設計

2017.11.14

主要部品選定：入力コンデンサおよびバランス抵抗

前回のMOSFETの選定に続き、今回は入力コンデンサとバランス抵抗の定数を決めていきます。主要部品選定：入力コンデンサC2、C3、C4 右の回路図は、全体から該当する入力部分を抜粋したものです。...

キーワード：: AC/DCコンバータ設計; SCT2H12NY; SiC; SiC-MOSFET; シリコンカーバイド; バランス抵抗; 入力コンデンサ; 擬似共振コンバータ設計; 絶縁AC/DCコンバータ設計

2017.12.12

主要部品選定：過負荷保護ポイントの切り替え設定抵抗

今回は、この設計に使用する電源IC固有の機能である、過負荷保護補正機能の設定に関する抵抗値を算出します。主要部品選定：　過負荷保護ポイントの切り替え設定抵抗R20 最初に、過負荷保護ポイント切り...

キーワード：: AC/DCコンバータ設計; BD7682FJ; SCT2H12NY; SiC; SiC-MOSFET; シリコンカーバイド; 擬似共振コンバータ設計; 絶縁AC/DCコンバータ設計; 過負荷保護ポイント

2018.01.16

主要部品選定：電源ICのVCC関連部品

今回は、この設計に使用する電源ICのVCCピンに関連する部品定数を決めて行きます。VCCピンは電源IC BD7682FJの電源ピンです。 BD7682FJの内部制御回路はVCCピンに印加される電圧...

キーワード：: 1SS355VM; AC/DCコンバータ設計; BD7682FJ; RF05VAM2S; SCT2H12NY; SiC; SiC-MOSFET; VCC巻線用サージ電圧制限; VCC起動用抵抗; VCC電圧生成; シリコンカーバイド; スイッチングダイオード; ファストリカバリダイオード; 擬似共振コンバータ設計; 絶縁AC/DCコンバータ設計

2018.02.13

主要部品選定：電源ICのBO（ブラウンアウト）ピン関連部品

前回のVCCピン関連部品に続いて今回もこの設計に使用する電源ICのBOピンに関連する部品定数を決めて行きます。BOピンは、電源IC BD7682FJのブラウンアウト機能の設定ピンです。ブラウンアウト...

キーワード：: AC/DCコンバータ設計; BD7682FJ; SCT2H12NY; SiC; SiC-MOSFET; VCC巻線用サージ電圧制限; VCC起動用抵抗; VCC電圧生成; シリコンカーバイド; ブラウンアウト; 擬似共振コンバータ設計; 絶縁AC/DCコンバータ設計

2018.03.13

主要部品選定：スナバ回路関連部品

今回は、電源IC BD7682FJの機能設定部品ではなく、電源回路にはよく利用するスナバ回路の構成部品と定数について説明します。スナバ回路は今回の擬似共振コンバータに限らず、別章で例示したフライバック...

キーワード：: AC/DCコンバータ設計; BD7682FJ; SCT2H12NY; SiC; SiC-MOSFET; TVSダイオード; クランプリップル電圧; クランプ電圧; サージサプレッサ; サージ抑制; シリコンカーバイド; スナバ; リーケージインダクタンス; 入力サージ電圧; 擬似共振コンバータ設計; 漏れインダクタンス; 絶縁AC/DCコンバータ設計

2018.04.10

主要部品選定：MOSFETゲートドライブ調整回路

今回は、電源IC BD7682FJの外付けMOSFETのスイッチングを調整する部品と調整方法についてです。 MOSFETゲートドライブ調整回路：R16、R17、R18、D17 外付けMOSFET Q1...

キーワード：: AC/DCコンバータ設計; BD7682FJ; MOSFET調整回路; SCT2H12NY; SiC; SiC-MOSFET; ゲートドライバ; ゲートドライブ; ゲートドライブ調整回路; ゲート調整回路; シリコンカーバイド; 擬似共振コンバータ設計; 絶縁AC/DCコンバータ設計

2018.05.15

主要部品選定：出力整流ダイオード

今回は二次側（出力）のスイッチング電圧をDCに整流するダイオードの定数計算です。出力整流ダイオード：ND1 最初に回路図について説明をします。出力整流ダイオードND1は、右の回路図の濃い青色のダ...

キーワード：: AC/DCコンバータ設計; BD7682FJ; SCT2H12NY; SCT2H12NZ; SiC; SiC-MOSFET; ショットキーバリアダイオード; シリコンカーバイド; ファストリカバリダイオード; 出力整流ダイオード; 擬似共振コンバータ設計; 絶縁AC/DCコンバータ設計; 電圧マージン

2018.07.31

主要部品選定：出力コンデンサ、出力設定および制御部品

前回に続き、今回も二次側（出力）関連の部品選定です。出力コンデンサ：Cout1、Cout2 出力コンデンサの働きをおさらいします。MOSFETがオンの時、出力ダイオードDN1はオフ状態です。この時、...

2018.08.28

主要部品選定：電流検出抵抗および各検出用端子関連部品

今回は、電源ICが降圧および安定化制御を行うための各検出用端子に必要な部品についてです。最初に電源IC、BD7682FJの検出用端子の機能について確認します。BD7682FJは、FB端子、ZT端...

キーワード：: AC/DCコンバータ設計; BD7682FJ; FBピン; FB端子; Rsense; SCT2H12NY; SCT2H12NZ; SiC; SiC-MOSFET; シリコンカーバイド; ゼロ電流検出; ノイズ用コンデンサ; 安定用コンデンサ; 擬似共振コンバータ設計; 絶縁AC/DCコンバータ設計; 電流検出抵抗; 電流検出抵抗計算

2018.09.11

主要部品選定：EMIおよび出力ノイズ対策部品

今回は、EMI対策と出力ノイズ対策用の部品選択です。今回で、例示した回路の部品選択は最後になります。 EMI対策 EMC対策は機器設計において非常に重要になっています。スイッチング電源は、スイッチング...

キーワード：: AC/DCコンバータ設計; BD7682FJ; DC/DCコンバータ EMI対策; DC/DCコンバータノイズ対策; EMC対策; EMI対策; FBピン; FB端子; Rsense; SCT2H12NY; SCT2H12NZ; SiC; SiC-MOSFET; Y-Cap; Yキャパシタ; Yコンデンサ; シリコンカーバイド; スイッチング電源ノイズ対策; スナバ; ゼロ電流検出; ノイズ用コンデンサ; 出力スナバ; 出力ノイズ対策; 安定用コンデンサ; 擬似共振コンバータ設計; 絶縁AC/DCコンバータ設計; 電流検出抵抗; 電流検出抵抗計算

2018.10.16

基板レイアウト例

前回までで、部品選択が終わりましたので、今回は今まで説明してきた回路の基板レイアウト例を見ていただこうと思います。 SiC-MOSFETを使った絶縁型擬似共振コンバータの基板レイアウト例以下に、スル...

キーワード：: AC/DCコンバータ基板レイアウト; AC/DCコンバータ基板設計; AC/DCコンバータ設計; BD7682FJ; SCT2H12NY; SCT2H12NZ; SiC; SiC-MOSFET; シリコンカーバイド; スイッチング電源基板レイアウト; 基板レイアウト; 擬似共振コンバータ設計; 絶縁AC/DCコンバータ設計

2018.11.13

事例回路と部品リスト

ここまで、例示した回路の各部品選択のポイント、定数の算出、基板レイアウト例を示してきましたが、最後に例示した回路で効率と波形を確認し評価を行います。今回は、回路全体と全部品リストを示します。部品...

キーワード：: AC/DCコンバータ基板レイアウト; AC/DCコンバータ基板設計; AC/DCコンバータ設計; BD7682FJ; SCT2H12NY; SCT2H12NZ; SiC; SiC-MOSFET; シリコンカーバイド; スイッチング電源基板レイアウト; 基板レイアウト; 擬似共振コンバータ設計; 絶縁AC/DCコンバータ設計

2018.12.11

評価結果：効率とスイッチング波形

ここまで例として説明してきた回路の評価として、効率とスイッチング波形を確認した結果を示します。回路全体は前回を参照願います。効率の評価効率の評価結果として、3種類の入力電圧における効率と出力電力、...

キーワード：: AC/DCコンバータ設計; BD7682FJ; SCT2H12NY; SCT2H12NZ; SiC; SiC-MOSFET; シリコンカーバイド; 擬似共振コンバータ効率; 擬似共振コンバータ波形; 擬似共振コンバータ設計; 絶縁AC/DCコンバータ設計

2019.04.16

SiC-MOSFETを使った絶縁型擬似共振コンバータの設計事例　ーまとめー

ここまで19回にわたり説明してきた「SiC-MOSFETを使った絶縁型擬似共振コンバータの設計事例」は、今回のまとめをもって最後になります。この設計事例には2つの大きなポイントがあります。1つは、パ...

キーワード：: AC/DCコンバータ設計; BD7682FJ; SCT2H12NY; SCT2H12NZ; SiC; SiC-MOSFET; シリコンカーバイド; 擬似共振コンバータ効率; 擬似共振コンバータ波形; 擬似共振コンバータ設計; 絶縁AC/DCコンバータ設計

キーワード：SiC