キーワード：SiC MOSFET Ron

2021.04.13

PFC回路：適切なゲート駆動電圧の検討ここでは、PFC回路のスイッチング素子として使用しているSiC MOSFETに対する、適切なゲート駆動電圧VGSの値について検討します。回路例回路は、Pow...

2021.04.27

ここまでPFC回路における諸条件の変更への対処、そして重要なパラメータの検討など5つの例を使って、その調整ポイントや方法を説明してきました。回路設計や改版作業において、条件の変更やその評価は机上の計算...

キーワード：: ICs Solution Circuit; MyROHM; PFC; PFC 2-phase; PFC BCM; PFC CCM; PFC Synchronous; PFC ２相; PFCスイッチング周波数と効率; PFCスイッチング周波数調整; PFCリップル率; PFC同期回路; PFC同期整流; PFC電流臨界モード; PFC電流連続モード; Power Device Solution Circuit; PSpice; ROHM Solution Simulator; SCT2450KE; SiC MOSFET Ron; SiC MOSFET VGS; SiC MOSFETゲート抵抗; SiC MOSFETゲート駆動電圧; SiC-MOSFET; Spice; SPICEシミュレーション; SPICEモデル; Webシミュレータ; インダクタ電流リップル率; ゲート抵抗とノイズ; ゲート抵抗と効率; ゲート抵抗と損失; ゲート抵抗トレードオフ; デッドタイムとボディダイオード; デッドタイムと損失; デッドタイム最適化; 力率; 力率改善; 同期整流デッドタイム; 電子回路シミュレーション; 電子回路シミュレータ