SPICEデバイスモデル：ダイオードの例　その1

SPICEでシミュレーションに使うモデルには、デバイスモデルとサブサーキットモデルがあることを前回説明しました。今回から2回にわたり、ダイオードを例にしてデバイスモデルの詳細を説明します。

SPICEデバイスモデル：ダイオードの動作原理

これからSPICEのデバイスモデルがどのように構築されているか、ダイオードを例に説明していきます。そのために、最初にダイオードの動作原理をおさらいします。半導体の理論が出てきますが、ポイントはデバイスモデルがどんなパラメータによって構成されているかということなので、無理に理論自体を理解しなくても大丈夫です。

以下の図は、シリコンダイオードの基本動作原理を示しています。ダイオードにバイアスをかけると、空乏層内の電場が弱まり、キャリアの拡散が起こって電流が流れます。また、ダイオードの順方向電流Idと、空乏層容量Cjは以下の式で表すことができます。

ダイオードのパラメータ

モデル式は、基本的に半導体の理論式と同じになります。デバイスモデルにおいては、これらのパラメータ値を設定していきます。

SPICEデバイスモデル：ダイオードのデバイスモデル実例

実際のダイオードのデバイスモデルを示します。これはロームが提供しているものです。

記述ルールの箇条書きにもありますが、アスタリスク「*」から始まっているのはコメントアウトです。モデルの簡単な説明など任意です。この例では、「.MODEL」からが実際の内容になります。「＋」から始まる行は、パラメータの値を設定しています。デバイスモデルの記述とパラメータ表を比べてみてください。パラメータの設定がデフォルト値で良い場合は記述する必要はありません。

（その2に続く）