電源設計の技術情報サイト

技術資料ダウンロード

キーワード:SOA

2017.05.30

実動作における適性確認と準備

ここから、新章となる「実動作における適性確認」に入ります。回路設計では通常、その回路の要求に基づき対応可能なトランジスタを、データシートの仕様を参照して選択します。しかしながら、実際に試作してみると、...

キーワード:
IGBT
MOSFET
R6020EN
SiC-MOSFET
SJ-MOSFET
SOA
Tj
スーパージャンクションMOSFET
チップ温度
ディレーティング
安全動作領域
接合温度
絶対最大定格

2017.07.26

絶対最大定格内であることの確認

この章では、実動作において選択したトランジスタが適切であるか否かの判断のための方法と手順を説明しています。 今回は、右のフローチャートの②絶対最大定格内であることの確認、について説明します。 ...

キーワード:
IGBT
MOSFET
R6020EN
SiC-MOSFET
SJ-MOSFET
SOA
Tj
スーパージャンクションMOSFET
チップ温度
ディレーティング
安全動作領域
接合温度
絶対最大定格

2017.08.30

SOA(安全動作領域)内であることの確認

この章では、実動作において選択したトランジスタが適切であるか否かの判断のための方法と手順を説明しています。 今回は、右のフローチャートの③SOA(安全動作領域)内であることの確認、について説明しま...

キーワード:
IGBT
MOSFET
R6020EN
SiC-MOSFET
SJ-MOSFET
SOA
SOA破壊
Tj
スーパージャンクションMOSFET
チップ温度
ディレーティング
安全動作領域
接合温度
絶対最大定格

2017.09.27

実使用温度でディレーティングしたSOA内であることの確認

この章では、実動作において選択したトランジスタが適切であるか否かの判断のための方法と手順を説明しています。 今回は、右のフローチャートの④使用雰囲気温度でディレーティングしたSOA内で...

キーワード:
IGBT
MOSFET
R6020EN
SiC-MOSFET
SJ-MOSFET
SOA
Ta
Tj
スーパージャンクションMOSFET
チップ温度
ディレーティング
安全動作領域
接合温度

2017.10.30

平均消費電力が定格電力内であることの確認

この章では、実動作において選択したトランジスタが適切であるか否かの判断のための方法と手順を説明しています。 今回は、右のフローチャートの「⑥平均消費電力が定格電力内であることの確認」、...

キーワード:
IGBT
MOSFET
R6020EN
SiC-MOSFET
SJ-MOSFET
SOA
Ta
Tj
スイッチング動作
スーパージャンクションMOSFET
チップ温度
ディレーティング
安全動作領域
平均消費電力
接合温度
連続パルス

2017.11.29

チップ温度の確認

この章では、実動作において選択したトランジスタが適切であるか否かの判断のための方法と手順を説明しています。 今回は、右のフローチャートにはないのですが、以下の箇条書きの⑦、「チップ温度...

キーワード:
IGBT
MOSFET
R6020EN
SiC-MOSFET
SJ-MOSFET
SOA
Ta
Tc
Tj
θca
θja
θjc
ケース温度
スーパージャンクションMOSFET
チップ温度
ディレーティング
パッケージ温度
ヒートシンク
安全動作領域
接合温度
放熱器
放熱板
消費電力
熱抵抗
熱計算

2017.12.26

実動作におけるトランジスタの適性確認 ーまとめー

この章では、実動作において選択したトランジスタが適切であるか否かの判断のための方法と手順を説明してきました。今回は最後にまとめを行います。 右のフローチャートおよび下の箇条書きに従って、選択したト...

キーワード:
IGBT
MOSFET
R6020EN
SiC-MOSFET
SJ-MOSFET
SOA
Ta
Tc
Tj
θca
θja
θjc
ケース温度
スーパージャンクションMOSFET
チップ温度
ディレーティング
パッケージ温度
ヒートシンク
安全動作領域
接合温度
放熱器
放熱板
消費電力
熱抵抗
熱計算

2018.08.07

Siパワーデバイスの基礎 -まとめ-

今回で、Siパワーデバイス基礎編は最後になります。Si系のパワー素子として、整流ダイオード、ショットキーバリアダイオード、ファストリカバリダイオード、MOSFET、スーパージャンクションMOSFET、...

キーワード:
BCM
CCM
FRD
HybridMOS
IGBT
MOSFET
PFC
PFC効率改善
PrestoMOS
SiC-MOSFET
SiC-SBD
SJ-MOSFET
SOA
アクティブPFC
ショットキーバリアダイオード
スーパージャンクションMOSFET
ディレーティング
パワーファクターコレクション
ファストリカバリダイオード
力率改善
臨界モード
連続モード

2021.09.14

MOSFETの破壊メカニズム -はじめに-

MOSFETの破壊メカニズム -はじめに- MOSFETなどのスイッチング素子は、様々な要因によって破壊が生じる可能性があります。したがって、製品の定格や動作条件を正しく理解するのはもちろん、回路動作...

キーワード:
dV/dt破壊
MOSFET破壊
MOSFET破壊メカニズム
Safety Operation Area
SOA
SOA破壊
アバランシェ破壊

2021.09.14

SOA(Safety Operation Area)破壊とは

SOA(Safety Operation Area)とは SOAとは、Safety Operation Areaの略で、安全動作領域を意味しています。MOSFETを安全に使用するには、SOA範囲内で使...

キーワード:
dV/dt破壊
MOSFET破壊
MOSFET破壊メカニズム
Safety Operation Area
SOA
SOA破壊
アバランシェ破壊
ドレイン‐ソース間電圧絶対最大定格VDSS
ドレイン電流絶対最大定格IDP
二次降伏
許容損失PD

2021.09.14

アバランシェ破壊とは

アバランシェ降伏とは MOSFETに絶対最大定格BVDSS以上の電圧が印加されると、ブレークダウンが起こります。BVDSS以上の高電界が印加されると自由電子が加速され、大きなエネルギーを持ちます。これ...

キーワード:
dV/dt破壊
MOSFETブレークダウン
MOSFET破壊
MOSFET破壊メカニズム
Safety Operation Area
SOA
SOA破壊
アバランシェ破壊
アバランシェ降伏
アバランシェ降伏ショート破壊
アバランシェ降伏熱破壊
絶対最大定格BVDSS

2021.10.26

dV/dt破壊とは

dV/dt破壊とは dV/dt破壊は下図(2)に示すように、MOSFETのターンOFF時に寄生容量Cdsに過渡的に流れる充電電流が、ベース抵抗RBを流れることにより、寄生バイポーラトランジスタのベース...

キーワード:
dV/dt破壊
MOSFET破壊
MOSFET破壊メカニズム
Safety Operation Area
SOA
SOA破壊
VDSの立ち上がりが急峻
アバランシェ破壊
寄生容量Cds
逆回復特性
逆回復電流