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SiCパワーデバイス
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基礎編
はじめに
はじめに
SiC（シリコンカーバイド）とは？
シリコンカーバイドとは
SiCパワーデバイスの開発背景とメリット
SiCショットキーバリアダイオードとは
SiC-SBDとは－特徴とSiダイオードとの比較
SiC-SBDとは－Si-PNDとの逆回復特性比較
SiC-SBDとは－Si-PNDとの順方向電圧比較
SiC-SBDの進化
SiC-SBDを使うメリット
SiC-SBDとは－信頼性試験について
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SiC-MOSFETとは－パワートランジスタの構造と特徴の比較
SiC-MOSFETとは－Si-MOSFETとの違い
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SiC-MOSFETとは－トレンチ構造SiC-MOSFETと実際の製品
SiC-MOSFETとは－SiC-MOSFETの活用事例
SiC-MOSFETとは－SiC-MOSFETの信頼性
フルSiCパワーモジュール
フルSiCパワーモジュールとは
フルSiCパワーモジュールのスイッチング損失
活用のポイント
ゲートドライブ その1
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フルSiCモジュール損失シミュレータ
まとめ
まとめ
応用編
SiC MOSFET：ブリッジ構成におけるゲート－ソース間電圧の挙動
はじめに
SiC MOSFETのブリッジ構成
SiC MOSFETのゲート駆動回路とターンオン・ターンオフ動作
ブリッジ回路のスイッチングにより発生する電流と電圧
ローサイドスイッチターンオン時のゲート－ソース間電圧の挙動
ローサイドスイッチターンオフ時のゲート－ソース間電圧の挙動
まとめ
SiC MOSFET：ゲート－ソース電圧のサージ抑制方法
ゲート－ソース電圧に発生するサージとは
サージ抑制回路
正電圧サージ対策
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