電源設計の技術情報サイト
メルマガ登録
English
简体中文
繁體中文
한국어
基礎知識
電源、パワーデバイスの
基礎を学ぶ
アプリケーションノート
設計マニュアルと
資料をダウンロード
TECH INFO
ホットでリアルな
エンジニアリングアーカイブ
製品情報
ロームの電源関連製品の
一覧とリンク
電源セミナー
電源関連のセミナーを
定期的に開催しています
技術資料ダウンロード
ホーム
基礎知識
SiCパワーデバイス
基礎知識
SiCパワーデバイス
基礎編
はじめに
はじめに
SiC（シリコンカーバイド）とは？
シリコンカーバイドとは
SiCパワーデバイスの開発背景とメリット
SiCショットキーバリアダイオードとは
SiC-SBDとは－特徴とSiダイオードとの比較
SiC-SBDとは－Si-PNDとの逆回復特性比較
SiC-SBDとは－Si-PNDとの順方向電圧比較
SiC-SBDの進化
SiC-SBDを使うメリット
SiC-SBDとは－信頼性試験について
SiC-MOSFETとは
SiC-MOSFETとは－特徴
SiC-MOSFETとは－パワートランジスタの構造と特徴の比較
SiC-MOSFETとは－Si-MOSFETとの違い
SiC-MOSFETとは－IGBTとの違い
SiC-MOSFETとは－ボディダイオード特性
SiC-MOSFETとは－トレンチ構造SiC-MOSFETと実際の製品
SiC-MOSFETとは－SiC-MOSFETの活用事例
SiC-MOSFETとは－SiC-MOSFETの信頼性
フルSiCパワーモジュール
フルSiCパワーモジュールとは
フルSiCパワーモジュールのスイッチング損失
活用のポイント
ゲートドライブ その1
ゲートドライブ その2
スナバコンデンサ
専用ゲートドライバとスナバモジュールの効果
サポートツール
フルSiCモジュール損失シミュレータ
まとめ
まとめ
応用編
SiC MOSFET：ブリッジ構成におけるゲート－ソース間電圧の挙動
はじめに
SiC MOSFETのブリッジ構成
SiC MOSFETのゲート駆動回路とターンオン・ターンオフ動作
ブリッジ回路のスイッチングにより発生する電流と電圧
ローサイドスイッチターンオン時のゲート－ソース間電圧の挙動
ローサイドスイッチターンオフ時のゲート－ソース間電圧の挙動
まとめ
基礎知識
アプリケーションノート
TECH INFO
製品情報
セミナー情報
技術資料ダウンロード
FAQ
電源サポートツール
電源に関する相談窓口
メルマガ登録
English
繁體中文
简体中文
