メモリセル構成
- 6トランジスタセルで構成
- 4トランジスタセル（高抵抗負荷型セル）で構成
データの書き込み方
＜”1″ の場合＞
- 1. ワード線電位を high
- 2. Bit線の電位を与える（D=low, D=high） → フリップフロップの状態が決まる
- 3. ワード線電位を low
データの読み出し方
＜”1″ の場合＞
- 1. ワード線電位を off
- 2. Bit線をプリチャージ（D,Dに同じ電位)
- 3. ワード線電位を high
- 4. Bit線が low, high の状態になる
- 5. センスアンプで増幅する
フリップフロップ回路によって”1″、”0″を記憶します