SiCパワーデバイス｜応用編
ドライバーソース端子によるスイッチング損失の改善
2022.04.15
MOSFETやIGBTなどのパワースイッチングデバイスは、様々な電源変換アプリケーションのスイッチング素子として使用されています。そのスイッチング素子で発生するスイッチング損失や導通損失は、可能な限り小さくする必要がありますが、アプリケーションによって損失低減のアプローチは様々です。
近年、その1つの手法としてドライバーソース端子（いわゆるケルビンソース端子）を備えた新しいパッケージの採用があります。本章「ドライバーソース端子によるスイッチング損失の改善」では、パワースイッチングデバイスのパッケージがドライバーソース端子を持つことの効果と、使用上の注意事項について説明します。
【資料ダウンロード】 SiCパワーデバイスの基礎
SiCの物性やメリット、SiCショットキーバリアダイオードとSiC MOSFETのSiデバイスとの比較を交え特徴や使い方の違いなどを解説しており、さまざまなメリットを持つフルSiCモジュールの解説も含まれています。
SiCパワーデバイス
基礎編
応用編
- SiC MOSFET : ブリッジ構成におけるゲート－ソース間電圧の挙動
- SiC MOSFET：スイッチング波形から損失を求める方法
- SiC MOSFET：スナバ回路の設計方法 ーはじめにー
- SiC MOSFET：ゲート－ソース電圧のサージ抑制方法
- ドライバーソース端子によるスイッチング損失の改善
- SiC MOSFETゲート－ソース間電圧測定時の注意点：一般的な測定方法
- 最新世代SiC MOSFETを使った損失低減の実証
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