SiCパワーデバイス｜応用編
SiC MOSFETゲート－ソース間電圧測定 －まとめ－
2022.06.28
SiC MOSFETゲート－ソース間電圧測定：まとめ
ここまで、SiC MOSFETを使ったブリッジ回路を例に、ゲート－ソース間電圧の測定に関する注意点を説明してきました。正確な測定をするための注意点を以下にまとめました。
- プローブの取り付け方は、プローブのヘッド部が形成するループをできるだけ小さくする。
- SiC MOSFETの測定箇所を選定する時は、SiC MOSFETの測定端子と形成されるループができるだけ小さくなる場所とする。
- プローブヘッドの設置場所は、主回路の磁束変化の影響が極力小さい場所とする。
今回の検証では、「延長ケーブル＋ダンピング抵抗」を使用し、デバイスの端子直下で測定することにより、もっとも本来の波形に近い観測ができました。しかしながら、回路構成や配線によって最善の方策は変わりますので、個々の状況に応じて、今回の傾向を踏まえた対応が必要となります。
SiCパワーデバイス
基礎編
応用編
- SiC MOSFET : ブリッジ構成におけるゲート－ソース間電圧の挙動
- SiC MOSFET：スイッチング波形から損失を求める方法
- SiC MOSFET：スナバ回路の設計方法 ーはじめにー
- SiC MOSFET：ゲート－ソース電圧のサージ抑制方法
- ドライバーソース端子によるスイッチング損失の改善
- SiC MOSFETゲート－ソース間電圧測定時の注意点：一般的な測定方法
- 最新世代SiC MOSFETを使った損失低減の実証
製品紹介
FAQ