SiC パワーモジュール

基礎編

• SiCパワーデバイスの基礎
• シリコンカーバイドとは ＋
  • SiCパワーデバイスの開発背景とメリット
• SiCショットキーバリアダイオードとは ＋
  • SiC-SBDとは－特徴とSiダイオードとの比較
  • SiC-SBDとは－Si-PNDとの逆回復特性比較
  • SiC-SBDとは－Si-PNDとの順方向電圧比較
  • SiC-SBDの進化
  • SiC-SBDを使うメリット
  • SiC-SBDとは－信頼性試験について
• SiC-MOSFETとは－特徴 ＋
  • SiC-MOSFETとは－パワートランジスタの構造と特徴の比較
  • SiC-MOSFETとは－Si-MOSFETとの違い
  • SiC-MOSFETとは－IGBTとの違い
  • SiC-MOSFETとは－ボディダイオード特性
  • SiC-MOSFETとは－トレンチ構造SiC-MOSFETと実際の製品
  • SiC-MOSFETとは－SiC-MOSFETの活用事例
  • SiC-MOSFETとは－SiC-MOSFETの信頼性
• フルSiCパワーモジュールとは ＋
  • フルSiCパワーモジュールのスイッチング損失
  • 活用のポイント：ゲートドライブ　その1
  • 活用のポイント：ゲートドライブ　その2
  • 活用のポイント：スナバコンデンサ
  • 活用のポイント： 専用ゲートドライバーとスナバモジュールの効果
• SiCパワーデバイスの基礎　－まとめ－

応用編

• SiC MOSFET : ブリッジ構成におけるゲート－ソース間電圧の挙動 ＋
  • SiC MOSFETのブリッジ構成
  • SiC MOSFETのゲート駆動回路とターンオン・ターンオフ動作
  • ブリッジ回路のスイッチングにより発生する電流と電圧
  • ローサイドスイッチターンオン時のゲート－ソース間電圧の挙動
  • ローサイドスイッチターンオフ時のゲート－ソース間電圧の挙動
  • SiC MOSFET : ブリッジ構成におけるゲート－ソース間電圧の挙動　ーまとめー
• SiC MOSFET：スイッチング波形から損失を求める方法
• SiC MOSFET：スナバ回路の設計方法　ーはじめにー ＋
  • ドレイン-ソース間に発生するサージ
  • スナバ回路の種類と選定
  • Ｃスナバ回路の設計
  • RCスナバ回路の設計
  • 放電型RCDスナバ回路の設計
  • 非放電型RCDスナバ回路の設計
  • パッケージによるサージ発生の違い
  • SiC MOSFET：スナバ回路の設計方法　－まとめ－
• SiC MOSFET：ゲート－ソース電圧のサージ抑制方法 ＋
  • ゲート－ソース電圧に発生するサージとは
  • サージ抑制回路
  • 正電圧サージ対策
  • 負電圧サージ対策
  • サージ抑制回路の基板レイアウトに関する注意点
  • SiC MOSFET : ゲート－ソース電圧のサージ抑制方法　ーまとめー
• ドライバーソース端子によるスイッチング損失の改善 ＋
  • 従来MOSFETの駆動方法
  • ドライバーソース端子を備えたパッケージ
  • ドライバーソース端子の有無による違いと効果
  • ドライバーソース端子の効果：ダブルパルス試験による比較
  • ブリッジ構成時のゲートーソース間電圧の振る舞い：ターンオン時
  • ブリッジ構成時のゲートーソース間電圧の振る舞い：ターンオフ時
  • 基板配線レイアウトに関する注意事項
• SiC MOSFETゲート－ソース間電圧測定時の注意点：一般的な測定方法 ＋
  • プローブの取り付け方
  • 測定箇所の選定
  • プローブヘッド部の設置場所
  • ブリッジ構成における注意点－プローブのCMRR
  • SiC MOSFETゲート－ソース間電圧測定 －まとめ－
• 最新世代SiC MOSFETを使った損失低減の実証

製品紹介

• SiC ショットキーバリアダイオード
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• SiC ショットキーバリアダイオード Bare Die
• SiC MOSFET Bare Die

FAQ

• SiCパワーデバイスのよくあるご質問