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PTCヒータの熱シミュレーション

2025.04.09

PTCヒータの熱シミュレーション

MyROHMに登録するだけで利用できるWebシミュレーションツールROHM Solution Simulatorには、多数のSolution Circuitが提供されています。熱シミュレーション向けに、PTC(Positive Temperature Coefficient)ヒータ、リニアレギュレータなど、さまざまな熱シミュレーション用回路が用意されています。

「PTCヒータの熱シミュレーション」では、PTCヒータの熱シミュレーションにおいて、シミュレーション回路図の説明とシミュレーションを実行する方法を紹介します。

ここでは、PTCヒータの熱シミュレーションにおいて、シミュレーション回路図の説明とシミュレーションを実行する方法を紹介します。なお、この記事のもとになっている「User’s Guide PTCヒータ 熱シミュレーション」は下記からダウンロードできます。

https://fscdn.rohm.com/jp/products/databook/applinote/common/ptc_%20heater_thermal_simulation_ug-j.pdf

PTCヒータの熱シミュレーションの回路と方法

本章では、PTCヒータの熱シミュレーションにおいて、シミュレーション回路図の説明とシミュレーションを実行する方法を紹介します。

PTC(Positive Temperature Coefficient)ヒータは、温度が上昇すると抵抗も上昇する正温度係数(PTC特性)を利用した自己制御型のヒータで、時間の経過とともに温度が安定するため低消費電力型といえます。このPTCヒータの電気シミュレーションと、内蔵デバイスの温度シミュレーションを同時に実行することが可能なシミュレーション回路や環境の紹介と、その使用方法について説明します。コンポーネントのパラメータを変更することで、さまざまな条件でシミュレーションが可能です。

PTCヒータの熱シミュレーション回路図の例

以下にPTCヒータの熱シミュレーション回路図を示します。黒色と青色の配線は電気シミュレーション回路を、赤色の配線は熱シミュレーション回路を表しています。この電気回路は、スイッチとなるIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)が3並列の回路形式です。各IGBTに負荷抵抗(ヒータ)が接続され、独立して駆動します。負荷電流は3個のIGBTでON/OFFによる3段階のみの調整で、スイッチングによる細かい調整は想定していません。また、3個の負荷のトータル電流をシャント抵抗で検出し、過電流を保護する回路を備えています。熱シミュレーション回路は、電気シミュレーションで算出したデバイスの損失と、一般的なPTCヒータ(水冷環境を含む)を熱シミュレーションモデル(ROM*1)化し、IGBTとシャント抵抗の温度を算出します。

*1 ROM(Reduced Order Model):3D-CAEで作成したモデルを1Dに低次元化する手法を用いたモデル

ROHM Solution Simulator(RSS)を使ったシミュレーション。PTCヒータの熱シミュレーション:シミュレーション回路シミュレーション回路

図中右の4段グラフが、3個のIGBTとシャント抵抗の接合温度(ジャンクション温度、Tj)となります。起動後、3個のIGBTは時間と共に接合温度が上昇し、おおよそ4,334秒以降は接合温度が約125℃で安定しています。中央のグラフは、シャント抵抗RSHUNTを流れる電流値(3個の負荷のトータル電流)、左のグラフは、過電流を保護する回路の出力電圧となります。中央と左のグラフは、おおよそ2,000秒以降で安定しています。

PTCヒータの熱シミュレーションの方法

ROHM Solution Simulator(RSS)を使ったシミュレーション。PTCヒータの熱シミュレーション:Simulation Settingsと実行Simulation Settingsと実行

熱シミュレーションの実行は、上図の緑のRunボタンをクリックすることで実行できます。シミュレーション条件は、歯車印をクリックすることで設定できます。初期状態では、すでに条件設定されてシミュレーション結果も表示されています。シミュレーション条件を変更後に熱シミュレーションを実行すると、温度グラフなどが更新されます。

シミュレーションとパラメータ設定、過電流保護、熱シミュレーションモデル

本章では、PTCヒータの熱シミュレーションにおいて、シミュレーションの設定、パラメータの設定、過電流保護や、熱シミュレーションモデルを紹介します。

PTCヒータの熱シミュレーション:シミュレーション設定

ROHM Solution Simulator(RSS)を使ったシミュレーション。PTCヒータの熱シミュレーション:コンポーネントのパラメータ定義コンポーネントのパラメータ定義

シミュレーション時間や収束オプションなどのシミュレーション設定は、上記の“Simulation Settings”から設定可能で、下表はシミュレーションの初期設定を示しています。シミュレーションの収束に問題がある場合は、詳細オプションを変更して解決することができます。電気回路のシミュレーション温度と各種パラメータは“Manual Options”で定義されています。

Simulation settingsの初期値

パラメータ 初期値 備考
Simulation Type Time-Domain シミュレーションタイプは変更しないでください
End time 5000 secs
Advanced Options More Speed
Manual Options .TEMP 100 電気回路のシミュレーション温度 IGBTの収束温度程度に設定してください
.PARAM ・・・ 詳細は下表を参照

PTCヒータの熱シミュレーション:パラメータの設定

上図の青色で示したコンポーネントは、シミュレーション条件を設定する必要があるため、マニュアルオプションでパラメータを定義します。下表に、パラメータの初期値を示します。これらの値は、下図に示すようにシミュレーション設定の“Manual Options”にてテキストボックスに書き込みます。

パラメータの初期値

パラメータ 変数名 初期値 単位 説明
VIN V_VIN 400 V
ILOAD1 I_LOAD1 10 A
ILOAD2 I_LOAD2 10 A
ILOAD3 I_LOAD3 10 A
VGdelay1 VG_delay1 0 sec IGBT1がONするタイミング
VGdelay2 VG_delay2 1000 sec IGBT2がONするタイミング
VGdelay3 VG_delay3 2000 sec IGBT3がONするタイミング

ROHM Solution Simulator(RSS)を使ったシミュレーション。PTCヒータの熱シミュレーション:シミュレーション条件のパラメータ定義シミュレーション条件のパラメータ定義

PTCヒータの熱シミュレーション:過電流保護

下図に過電流保護回路を示します。負荷電流は、シャント抵抗とオペアンプを使ったローサイドセンシング回路で検出します。負荷に流れるトータル電流は、シャント抵抗によってΔVSHUNTの電圧が発生します。この電圧をオペアンプで差動増幅し、”Voltage to Digital”段のしきい値を超えると次段のスイッチがONし保護を開始します。オペアンプの入力オフセット電圧を無視した場合、オペアンプの出力VOは以下の式で表せます。

\(V_O = I_{LOAD} \times R_{SHUNT} \times \displaystyle \frac{R2}{R1} \quad [V]\)

デフォルト回路は、ILOAD=30A、RSHUNT=1mΩ、R1=2kΩ、R2=120kΩとなっているためVO=1.8Vが出力されます。”Voltage to Digital”のしきい値は2V(過電流≒33.3A)に設定しているため保護は動作しません。

ROHM Solution Simulator(RSS)を使ったシミュレーション。PTCヒータの熱シミュレーション:過電流保護回路過電流保護回路

PTCヒータの熱シミュレーション:熱シミュレーションモデル

下図の“PTC-heater”シンボルは、PTCヒータの熱シミュレーションモデル(ROM*1)です。また、PTCヒータ熱シミュレーションモデルの端子説明を下表に示します。
*1 ROM(Reduced Order Model):3D-CAEで作成したモデルを1Dに低次元化する手法を用いたモデル

PTCヒータの熱シミュレーション:熱シミュレーションモデル熱シミュレーションモデル

熱シミュレーションモデルの端子説明

端子名 説明
S_S_IGBT_1 IGBT1の損失を入力し、TJをモニターする
S_S_IGBT_2 IGBT2の損失を入力し、TJをモニターする
S_S_IGBT_3 IGBT3の損失を入力し、TJをモニターする
S_S_Res RSHUNTの損失を入力し、TJをモニターする
F_Heater ヒータ温度
F_Water_Near_Side 冷却水の温度(入口)
F_Water_Far_Side 冷却水の温度(出口)
F_20CAmbient 周囲温度
S_M_IGBT1_mold IGBT1のモールド温度をモニターする(ハイインピーダンスで受ける)
S_M_IGBT2_mold IGBT2のモールド温度をモニターする(ハイインピーダンスで受ける)
S_M_IGBT3_mold IGBT3のモールド温度をモニターする(ハイインピーダンスで受ける)
S_M_R_lead RSHUNTのリード温度をモニターする(ハイインピーダンスで受ける)
  • ・ S_S_xxxx端子は、デバイスの損失を入力することで、デバイスの温度をモニターすることができます。
  • ・ F_xxxx端子には”tc_amb”を接続し、その場所の温度に設定します。
  • ・ S_M_xxxx端子は、IGBTのモールド温度、シャント抵抗のリード温度をモニターすることができます。

PTCヒータの熱シミュレーション:コンポーネントと品名リスト

本章では、PTCヒータの熱シミュレーションにおける、コンポーネントと品名リスト、関連文書を紹介します。

下図にPTCヒータの熱シミュレーションに使用する主なコンポーネント名を示します。各コンポーネントの初期値は下表を参照してください。コンポーネントの中には、使用する部品を予めセットされた品名リストから選択できるものがあります。変更可能な部品と品名リストを下々表に示します。品名変更は下々図のように、コンポーネント上でマウスを右クリックし、“Properties”を選択します。“Property Editor”の“Spicelib Part”から使用する品名を選択します。

ROHM Solution Simulator(RSS)を使ったシミュレーション。PTCヒータの熱シミュレーション:主なコンポーネント名

主なコンポーネント名、コンポーネントの初期値

コンポーネント名 機能 初期値 備考
Q1、Q2、Q3 IGBT RGS00TS65D TO247パッケージ
変更可能
RSHUNT Resistor 1mΩ PSR100シリーズ 定数選択可能
RL1、RL2、RL3 Load Resistor {Vin/ILOADx} 固定
OPAMP Op-amp LMR1802YG-C Datasheet model

変更可能なコンポーネントと品名リスト

コンポーネント名 機能 品名 仕様
Q1、Q2、Q3 IGBT RGC80TSX8R 1800V、40A
RGCL60TS60D 600V、30A
RGCL80TS60D 600V、40A
RGS00TS65D 650V、50A
RGS00TS65E 650V、50A
RGS50TSX2DHR 1200V、25A
RGS60TS65D 650V、30A
RGS80TS65D 650V、40A
RGS80TSX2DHR 1200V、40A
RGT00TS65D 650V、50A
RGT40TS65D 650V、20A
RGT50TS65D 650V、25A
RGT60TS65D 650V、30A
RGT80TS65D 650V、40A
RGTH00TS65D 650V、50A
RGTH40TS65D 650V、20A
RGTH50TS65D 650V、25A
RGTH60TS65D 650V、30A
RGTH80TS65D 650V、40A
RGTV60TS65D 650V、30A
RGW00TS65D 650V、50A
RGW60TS65D 650V、30A
RGW80TS65D 650V、40A

ROHM Solution Simulator(RSS)を使ったシミュレーション。PTCヒータの熱シミュレーション:使用するコンポーネントの品名変更使用するコンポーネントの品名変更

・関連文書へのリンク

PTCヒータの熱シミュレーションの3D(3次元)モデル

本章では、PTCヒータの熱シミュレーションにおける、3D(3次元)モデルを紹介します。

PTCヒータの熱シミュレーションモデル(ROM*1)作成に使用した3D(3次元)モデルのイメージを下図に示します。また構造情報を下表に示します。

*1 ROM(Reduced Order Model):3D(3次元)-CAEで作成したモデルを1D(1次元)に低次元化する手法を用いたモデル

ROHM Solution Simulator(RSS)を使ったシミュレーション。PTCヒータの熱シミュレーション:PTCヒータの3D(3次元)イメージPTCヒータの3D(3次元)イメージ

PTCヒータの構造情報

構造部位 説明
アルミ筐体*2 外形寸法:250mm × 110mm × 120mm
基板 外形寸法:100mm × 90mm × 1.6mmt 基板材質:FR-4 銅箔厚:70μm(2 oz 銅箔)
絶縁シート 厚み:1mm

*2 シミュレーション時間短縮のために、アルミ筐体部分の熱容量は考慮していません。

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