SiC MOSFET：スナバ回路の設計方法放電型RCDスナバ回路の設計

2022.08.30

この記事のポイント

・放電型RCDスナバ回路の設計は、基本的にRCスナバ回路と同じ。

・ただし、ダイオードによるサージ吸収のためRCスナバ回路で示した式（5）による共振周波数の確認は不要。

・ダイオードはリカバリ電流の小さいものを選定する必要がある。

スナバ回路3つ目の「放電型RCDスナバ回路の設計」についての説明です。

SiC MOSFET：放電型RCDスナバ回路の設計

放電型RCDスナバ回路の設計は、基本的に前回のRCスナバ回路と同じになりますが、ダイオードによるサージ吸収のため、RCスナバ回路で示した式（5）による共振周波数の確認は不要です。

ただし、使用するダイオードのリカバリ電流が大きいと、高周波動作時のダイオード損失が大きくなりますので、スナバ回路の損失を低減するためには、できるだけリカバリ電流が小さいダイオードを選定する必要があります。

また、サージ吸収時の電流変化が大きいので、スナバ回路の配線インダクタンスを極力小さくするなどの配慮が必要になります。

SiCの物性やメリット、SiCショットキーバリアダイオードとSiC MOSFETのSiデバイスとの比較を交え特徴や使い方の違いなどを解説しており、さまざまなメリットを持つフルSiCモジュールの解説も含まれています。

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