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2021.03.16 Siパワーデバイス

はじめに

Si-ダイオード向け小型・高放熱パッケージ「PMDE」の評価

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はじめに

近年、様々な電子機器において実装デバイスに対する小型化要求が強まっています。しかし、一般的にパッケージの許容損失はパッケージの小型化にともない低下するため、特にショットキーバリアダイオード(以下SBD)など発熱による熱暴走の危険があるデバイスにとっては、小型化とパッケージ許容損失の両立は非常に大きな課題です。

この対応として、新パッケージ「PMDE」をSBDに採用しました。PMDEパッケージは、特に車載市場で高評価を得ている従来の「PMDU」パッケージの後継であり、サイズはPMDUの3.5×1.6×0.8mmに対してPMDEは2.5×1.3×0.95mmで、実装面積を約40%削減しています。それにも関わらず、PMDEは裏面電極面積を約1.5倍に拡大することで、PMDUと同等のパッケージ許容損失を確保するとともに、実装強度は約1.4倍に向上しています。

本章では、このPMDEパッケージと従来のPMDUパッケージに関して、外形や内部構造などの比較、そして熱シミュレーションや実機での評価を行います。

なお、この記事の基になっているアプリケーションノート「車載向けショットキーバリアダイオード(SBD)における小型・高放熱パッケージ「PMDE」の優位性」はキーポイント下のボタンよりダウンロードできます。

キーポイント:

・新パッケージ「PMDE」は従来の「PMDU」パッケージの後継。

・PMDEはPMDUに対して実装面積を約40%削減しながら、裏面電極を約1.5倍に大きくすることで同等のパッケージ許容損失を確保し、実装強度は1.4倍に向上。

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