半導体メモリ｜基礎編

DRAM＜デバイス原理＞

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メモリセル構成

1トランジスタ、1キャパシターで構成

1トランジスタ、1キャパシターで構成

データの書き込み方

＜”1″ の場合＞

  1. 1. ワード線電位を high
  2. 2. Bit線の電位を high
  3. 3. ワード線電位を low
データの書き込み方