SiCパワーデバイス｜応用編
SiC MOSFET：スナバ回路の設計方法 ーはじめにー
2022.07.12
この記事のポイント
・近年、SiC MOSFETは高速スイッチング動作が可能であることから、様々な電力変換アプリケーションに用途が広がっている。
・しかし、高速動作によりドレイン-ソース間に大きなサージが発生するので、その抑制が必要。
・サージ抑制方法の１つとしてスナバ回路がある。
SiC MOSFET：スナバ回路の設計方法 ーはじめにー
近年、SiC MOSFETは、様々な電源アプリケーションや電力ラインのスイッチング素子としての使用が急増しています。これは、従来のパワー半導体と比較して高速スイッチング動作が可能であることが理由の1つです。しかしながら、スイッチング時の電圧や電流の変化が急峻になったことで、デバイス自身のパッケージインダクタンスや周辺回路の配線インダクタンスの影響を無視できなくなり、結果としてドレイン-ソース間に大きなサージが発生します。このサージは使用するSiC MOSFETの最大定格を超えないようにする必要があり、それには様々な抑制方法があります。スナバ回路の追加はその抑制方法の1つです。
本章では、スナバ回路の設計方法に関して、以下の説明をします。
【資料ダウンロード】 SiCパワーデバイスの基礎
SiCの物性やメリット、SiCショットキーバリアダイオードとSiC MOSFETのSiデバイスとの比較を交え特徴や使い方の違いなどを解説しており、さまざまなメリットを持つフルSiCモジュールの解説も含まれています。
SiCパワーデバイス
基礎編
応用編
- SiC MOSFET : ブリッジ構成におけるゲート－ソース間電圧の挙動
- SiC MOSFET：スイッチング波形から損失を求める方法
- SiC MOSFET：スナバ回路の設計方法 ーはじめにー
- SiC MOSFET：ゲート－ソース電圧のサージ抑制方法
- ドライバーソース端子によるスイッチング損失の改善
- SiC MOSFETゲート－ソース間電圧測定時の注意点：一般的な測定方法
- 最新世代SiC MOSFETを使った損失低減の実証
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