SiCパワーデバイス｜応用編
SiC MOSFET：スナバ回路の設計方法 RCスナバ回路の設計
2022.08.30
この記事のポイント
・RCスナバ回路は消費電力PSNBを考慮してCSNBとRSNBを求め、その共振角周波数ωSNBをサージの共振角周波数ωSURGEよりも十分高く設定する必要がある。
前回のＣスナバ回路に続いて、RCスナバ回路の設計について説明します。
SiC MOSFET：RCスナバ回路の設計
図7にRCスナバ回路の動作時電流の経路を示します。CSNBは「Cスナバ回路の設計」と同様に式（2）により決定します。RSNBの目安値は、次の式（3）から求めます。
fSW：スイッチング周波数
VSNB：放電スナバ電圧（VDS_SURGEの0.9倍）
RSNBを決定した後にRSNBで消費される電力PSNBを式（4）で計算し、損失を許容できる抵抗器を選定します。
RCスナバ回路では、式（4）の第二項が追加され、fSWあるいはVHVDCが高いほどRSNBで消費される電力は大きくなるので、PSNBが大きく抵抗の選定が困難な場合は、CSNBの静電容量値を下げて再計算する必要があります。
さらに、RCスナバ回路が十分にサージを吸収するためには、RSNBとCSNBによる共振角周波数ωSNBが、サージの共振角周波数ωSURGEよりも十分高くなければサージを吸収できないので、式（5）に示すRCスナバ回路の共振角周波数ωSNBを確認します。
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SiCパワーデバイス
基礎編
応用編
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