MOSFETの基礎

基礎編

• トランジスタの基礎 ＋
  • トランジスタとは：仕組み・種類・動作原理の基礎
  • バイポーラトランジスタとは｜仕組みと使い方（NPN/PNP）
  • NPNトランジスタとは｜ローサイドスイッチの基礎
  • PNPトランジスタとは｜ハイサイドスイッチの基礎
  • MOSFETの基礎｜寄生容量・Qg・ミラー領域・しきい値
  • MOSFETのオン抵抗（RDS(on)）
  • スーパージャンクションMOSFET（SJ-MOSFET）の基礎
  • デジタルトランジスタとは
  • デジタルトランジスタの選定
  • 素子印加電力の計算方法
  • 素子温度の計算方法
  • ロードスイッチ
• MOSFETの基礎 ＋
  • MOSFETとは－スイッチング特性とその温度特性
  • MOSFETの仕様に関する用語集
  • MOSFETの熱抵抗と許容損失：裏面放熱が可能なパッケージ
• Siパワーデバイスの基礎
• 実動作におけるトランジスタの適性確認とは ＋
  • 実動作における適性確認と準備
  • 絶対最大定格内であることの確認
  • SOA（安全動作領域）内であることの確認
  • 実使用温度でディレーティングしたSOA内であることの確認
  • 平均消費電力が定格電力内であることの確認
  • チップ温度の確認
  • 実動作におけるトランジスタの適性確認　ーまとめー
• Siパワーデバイスの基礎　－まとめ－

評価編

• ダブルパルス試験とは ＋
  • ダブルパルス試験によるリカバリ特性評価
  • セルフターンオン発生のメカニズム
  • ダブルパルス試験によるMOSFETのリカバリ特性評価　ーまとめー
• 位相シフトフルブリッジ回路の電力変換効率向上 ＋
  • PSFB回路の基本構成
  • PSFB回路の基本動作
  • 軽負荷時におけるスイッチング素子の動作に関する注意点
  • 重負荷時におけるスイッチング素子の動作に関する注意点
  • 効率の評価
  • 位相シフトフルブリッジ回路の電力変換効率向上　ーまとめー
• MOSFETの破壊メカニズム ＋
  • MOSFETの破壊メカニズム　ーまとめー
  • SOA（Safety Operation Area）破壊とは
  • アバランシェ破壊とは
  • dV/dt破壊とは
• インバータ回路におけるスイッチング素子の逆回復特性の重要性　－はじめに－ ＋
  • インバータ回路の種類と通電方式について
  • 三相変調インバータ回路の基本動作
  • ダブルパルス試験によるPrestoMOS™と通常のSJ MOSFETの損失比較（実測定結果）
  • 三相インバータ回路によるPrestoMOS™と通常のSJ MOSFETの効率比較（シミュレーション）
  • インバータ回路におけるスイッチング素子の逆回復特性の重要性　－まとめ－
• LLCコンバータにおける一次側スイッチング素子のリカバリー特性の重要性 ＋
  • LLCコンバータの基本構成
  • LLCコンバータの動作の特徴
  • LLCコンバータの基本動作
  • LLCコンバータの共振外れに対するMOSFETのリカバリー特性の重要性
  • LLCコンバータにおける一次側スイッチング素子のリカバリー特性の重要性　ーまとめー