SiCパワーデバイス｜応用編
ドライバーソース端子を備えたパッケージ
2021.09.28
この記事のポイント
・現在ロームのドライバソース端子を備えたパッケージには、TO-247-4LとTO-263-7L。
前回は、本題となるドライバーソース端子の効果を解説する前提として、従来のMOSFETの駆動方法を確認しました。今回は、ドライバーソース端子を備えた実際のパッケージを確認します。
ドライバーソース端子を備えたパッケージ
現在ロームのドライバーソース端子を備えたパッケージには、TO-247-4LとTO-263-7Lがあります。
参考までに、各パッケージの外寸と構造を示します。詳細はリンクから図面を確認願います。
TO-247-4Lパッケージ
TO-247-4Lパッケージ寸法図（PDF）
TO-247-4Lパッケージ構造図（PDF）
TO-263-7Lパッケージ
TO-263-7Lパッケージ寸法図（PDF）
TO-263-7Lパッケージ構造図（PDF）
【資料ダウンロード】 SiCパワーデバイスの基礎
SiCの物性やメリット、SiCショットキーバリアダイオードとSiC MOSFETのSiデバイスとの比較を交え特徴や使い方の違いなどを解説しており、さまざまなメリットを持つフルSiCモジュールの解説も含まれています。
SiCパワーデバイス
基礎編
応用編
- SiC MOSFET : ブリッジ構成におけるゲート－ソース間電圧の挙動
- SiC MOSFET：スイッチング波形から損失を求める方法
- SiC MOSFET：スナバ回路の設計方法 ーはじめにー
- SiC MOSFET：ゲート－ソース電圧のサージ抑制方法
- ドライバーソース端子によるスイッチング損失の改善
- SiC MOSFETゲート－ソース間電圧測定時の注意点：一般的な測定方法
- 最新世代SiC MOSFETを使った損失低減の実証
製品紹介
FAQ